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1、SJ/TXXXXXXXXX 7 附 录 A（规范性）半绝缘型碳化硅单晶衬底电阻率非接触测试方法 A.1 概述 本附录规定了半绝缘型碳化硅单晶衬底电阻率非接触测试方法。A.2 测试原理 非接触电阻率测试方法源自电容充放电的原理，其主要部件探头的基本结构如图 A.1 所示。其中处于探头中心的是电荷放大器电极，电荷放大器可以通过它实时监测电量变化。非接触式电阻率测试法在测试电阻率时，会绘制出其电量变化的驰豫曲线图（如图 A.2 所示），并根据驰豫时间计算出电阻率。图 A.1 探头结构示意图 图 A.2 驰豫曲线图 SJ/TXXXXXXXXX 8 A.3 仪器、设备 非接触式电阻率测试仪和计算机分析系
2、统。A.4 样品制备 确保 SiC 衬底表面清洁，总厚度变化小于 20 m，厚度范围在 300 m5000 m。A.5 检测程序 A.5.1 检测环境 检测环境条件如下：a）环境温度：（235）；b）相对湿度：30%75%。A.5.2 检测 按如下步骤进行检测：a）将待测衬底放置在卡盘正中央，硅面朝上；b）将待测衬底的厚度、尺寸等数据输入计算机，探头将在电机的控制下自动移动到待测位置；c）设定待测条件：去除边缘后，一般将分辨率设为1616，共208个点，具体如图A.3所示，仪器自动依次检测这些区域的电阻率；d）检测完后保存检测数据；e）取下样品；f）检测结果分析。图 A.3 电阻率测试点分布示意图 A.5.3 结果输出 当衬底电阻率小于 105 cm 的量程下限时，系统自动设定对应的检测区结果显示为蓝色，电阻率大于 1012 cm 的量程上限时系统自动设定对应的检测区域结果显示为红色。A.5.4 检测报告 报告应包括以下内容：a）样品名称、标识等信息；b）设备名称及计量有效期；c）检测条件；SJ/TXXXXXXXXX 9 d）检测结果；e）检测日期。
