广安机械设备项目建议书(参考范文)

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1、泓域咨询/广安机械设备项目建议书广安机械设备项目建议书xxx有限公司目录第一章 市场分析8一、 干法刻蚀是芯片制造的主流技术8二、 等离子体刻蚀面临的问题9三、 原子层刻蚀为未来技术发展方向10第二章 绪论14一、 项目名称及投资人14二、 编制原则14三、 编制依据15四、 编制范围及内容15五、 项目建设背景16六、 结论分析16主要经济指标一览表19第三章 项目背景分析21一、 反应离子刻蚀21二、 高密度等离子体刻蚀21三、 离子束刻蚀22四、 积极有为融入新发展格局23五、 项目实施的必要性25第四章 建设内容与产品方案27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领

2、27产品规划方案一览表27第五章 选址方案分析29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 构建川东渝北区域综合交通枢纽31四、 项目选址综合评价33第六章 运营管理34一、 公司经营宗旨34二、 公司的目标、主要职责34三、 各部门职责及权限35四、 财务会计制度38第七章 法人治理结构46一、 股东权利及义务46二、 董事50三、 高级管理人员56四、 监事58第八章 发展规划分析60一、 公司发展规划60二、 保障措施61第九章 原材料及成品管理64一、 项目建设期原辅材料供应情况64二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理64第十章 环境保护方案66一、 编制依据66二、 建设

3、期大气环境影响分析66三、 建设期水环境影响分析67四、 建设期固体废弃物环境影响分析67五、 建设期声环境影响分析68六、 环境管理分析69七、 结论73八、 建议73第十一章 组织架构分析74一、 人力资源配置74劳动定员一览表74二、 员工技能培训74第十二章 劳动安全分析77一、 编制依据77二、 防范措施80三、 预期效果评价84第十三章 项目节能分析85一、 项目节能概述85二、 能源消费种类和数量分析86能耗分析一览表86三、 项目节能措施87四、 节能综合评价88第十四章 投资方案分析89一、 投资估算的编制说明89二、 建设投资估算89建设投资估算表91三、 建设期利息91建

4、设期利息估算表92四、 流动资金93流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表96第十五章 经济效益及财务分析98一、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表99固定资产折旧费估算表100无形资产和其他资产摊销估算表101利润及利润分配表103二、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105三、 偿债能力分析106借款还本付息计划表107第十六章 项目招标及投标分析109一、 项目招标依据109二、 项目招标范围109三、 招标要求110四、 招标组织方式112五、 招标信息发

5、布114第十七章 项目总结115第十八章 附表117主要经济指标一览表117建设投资估算表118建设期利息估算表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124利润及利润分配表125项目投资现金流量表126借款还本付息计划表128本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 市场分析一、 干法刻蚀是芯片制

6、造的主流技术刻蚀设备处于半导体产业链上游环节。半导体产业链的上游由为设计、制造和封测环节提供软件及知识产权、硬件设备、原材料等生产资料的核心产业组成。半导体产业链的中游可以分为半导体芯片设计环节、制造环节和封装测试环节。半导体产业链的下游为半导体终端产品以及其衍生的应用、系统等。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形。刻蚀是指使用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,并保证有图形的光刻胶在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀。常用来代表刻蚀效率的参数主要有:刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差和选择比等。刻蚀速率指刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度;刻蚀剖面指的是刻蚀图形的侧壁形状,

7、通常分为各向同性和各向异性剖面;刻蚀偏差指的是线宽或关键尺寸间距的变化,通常由横向钻蚀引起;选择比指的是同一刻蚀条件下两种材料刻蚀速率比,高选择比意味着不需要的材料会被刻除。刻蚀技术按工艺分类可分为湿法刻蚀和干法刻蚀,其中干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法,湿法刻蚀主要包括化学刻蚀和电解刻蚀。由于在湿法刻蚀技术中使用液体试剂,相对于干法刻蚀,容易导致边侧形成斜坡、要求冲洗或干燥等步骤。因此干法刻蚀被普遍应用于先进制程的小特征尺寸精细刻蚀中,并在刻蚀率、微粒损伤等方面具有较大的优势。目前先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。一个等离子

8、体刻蚀机的基本部件包括发生刻蚀反应的反应腔、产生等离子体气的射频电源、气体流量控制系统、去除生成物的真空系统。刻蚀中会用到大量的化学气体,通常用氟刻蚀二氧化硅,氯和氟刻蚀铝,氯、氟和溴刻蚀硅,氧去除光刻胶。二、 等离子体刻蚀面临的问题随着当前先进芯片关键尺寸的不断减小以及FinFET与3DNAND等三维结构的出现,不同尺寸的结构在刻蚀中的速率差异将影响刻蚀速率,对于高深宽比的图形窗口来说,化学刻蚀剂难以进入,反应生成物难以排出。另外,薄膜堆栈一般由多层材料组成,不同材料的刻蚀速率不同,很多刻蚀工艺都要求具有极高的选择比。第三个问题在于当达到期望深度之后,等离子体中的高能离子可能会导致硅片表面粗

9、糙或底层材料损伤。干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。在这种情况下,一个等离子体刻蚀机应装上一个终点检测系统,使得在造成最小的过刻蚀时停止刻蚀过程。当下一层材料正好露出来时,重点检测器会触发刻蚀机控制器而停止刻蚀。三、 原子层刻蚀为未来技术发展方向随着国际上高端量产芯片从14nm-10nm阶段向7nm、5nm甚至更小的方向发展,当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长的限制,关键尺寸无法满足要求,必须采用多重模板工艺,利用刻蚀工艺实现更小的尺寸,使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。制程升级背景下,刻蚀次数显著增加。随着半导体制程的不断缩小,受光波长限制,关键尺寸无法满足要求

10、,必须采用多重模板工艺,重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽,使得薄膜沉积和刻蚀次数显著增加以及刻蚀设备在晶圆产线中价值比率不断上升,其中20纳米工艺需要的刻蚀步骤约为50次,而10纳米工艺和7纳米工艺所需刻蚀步骤则超过100次。以硅片上的原子层刻蚀为例,首先,氯气被导入刻蚀腔,氯气分子吸附于硅材料的表面,形成一个氯化层。这一步改性步骤具有自限制性:表面一旦饱和,反应立即停止。紧接着清楚刻蚀腔中过量的氯气,并引入氩离子。使这些离子轰击硅片,物理性去除硅-氯反应后产生的氯化层,进而留下下层未经改性的硅表面。这种去除过程仍然依靠自限制性,在氯化层被全部去除后,过程中止。以上两个步骤完成后,一

11、层极薄的材料就能被精准的从硅片上去除。半导体设备市场快速发展,刻蚀设备价值量可观半导体设备市场快速发展,2022有望再创新高。随着2013年以来全球半导体行业的整体发展,半导体设备行业市场规模也实现快速增长。根据SEMI统计,2013年到2020年间,全球半导体设备销售额由320亿美元提升至712亿美元,年复合增速达到12.10%。2021年全球半导体设备市场规模突破1000亿美元,达到历史新高的1026亿美元,同比大增44。根据SEMI预测,2022年全球半导体设备市场有望再创新高,达到1140亿美元。目前全球半导体设备的市场主要由国外厂商高度垄断。根据芯智讯发布的基于各公司财报统计数据显示

12、,在未剔除FPD设备及相关服务收入、以2021年度中间汇率为基准进行计算,2021年全球前十五大半导体设备厂商中仅有一家ASMPacificTechnology来自中国香港,2021年销售额为17.39亿美元,位列榜单第14位。整体来看目前全球半导体设备市场主要被外国市场垄断。刻蚀设备投资占比不断,成为半导体产业第一大设备。先进集成电路大规模生产线的投资可达100亿美元,75%以上是半导体设备投资,其中最关键、最大宗的设备是等离子体刻蚀设备。根据SEMI的统计数据,2018年晶圆加工设备价值构成中,刻蚀、光刻、CVD设备占比分别为22.14%、21.30%、16.48%,刻蚀设备成为半导体产业

13、第一大设备。过去50年中,人类微观加工能力不断提升,从电子管计算机到现在的14纳米、7纳米器件,微观器件的基本单元面积缩小了一万亿倍。由于光的波长限制,20纳米以下微观结构的加工更多使用等离子体刻蚀和薄膜沉积的组合。集成电路芯片的制造工艺需要成百上千个步骤,其中等离子体刻蚀就需要几十到上百个步骤,是在制造过程中使用次数频多、加工过程非常复杂的重要加工技术。泛林半导体占据刻蚀设备半壁江山光刻机和刻蚀机作为产业的核心装备,占据了半导体设备投资中较大的份额。随着半导体技术进步中器件互连层数增多,介质刻蚀设备的使用量不断增大,泛林半导体利用其较低的设备成本和相对简单的设计,逐渐在65nm、45nm设备

14、市场超过TEL等企业,占据了全球大半个市场,成为行业龙头。根据Gartner的数据显示,目前全球刻蚀设备行业的龙头企业仍然为泛林半导体、东京电子和应用材料三家,从市占率情况来看,2020年三家企业的合计市场份额占到了全球刻蚀设备市场的90%以上,其中泛林半导体独占44.7%的市场份额。全球龙头持续投入,加强研发、外围并购维持竞争力。应用材料于2018年6月宣布成立材料工程技术推动中心(META中心),主要目标是加快客户获得新的芯片制造材料和工艺技术,从而在半导体性能、成本方面实现突破。泛林半导体依靠自身巨大的研发投入和强大的研发团队,自主研发核心技术,走在半导体设备的技术前沿,开创多个行业标准

15、,如其KIYO系列创造了业内最高生产力、选择比等多项记录,其ALTUSMaxE系列采用业界首款低氟钨ALD工艺,被视作钨原子层沉积的行业标杆。除此之外,泛林半导体首创ALE技术,实现了原子层级别的可变控制性和业内最高选择比。第二章 绪论一、 项目名称及投资人(一)项目名称广安机械设备项目(二)项目投资人xxx有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准)。二、 编制原则1、坚持科学发展观,采用科学规划,合理布局,一次设计,分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势,合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则,根据行业的现有格局和未来发展方向,优化设备选型和工艺方案,使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则,产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合

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