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1、触控显示电路结构、阵列基板和显示装置的制作方法专利名称：触控显示电路结构、阵列基板和显示装置的制作方法技术领域：本实用新型涉及显示器制造领域，尤其涉及一种触控显示电路结构、阵列基板和显示装置。背景技术：AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,简称为 ADS,高级超维场开关)技术显示凭借其宽广的视角、更高的对比率、更高的分辨率及更明亮的颜色呈现，逐渐被消费者所追捧。在ADS模式下，通过同一层平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及不同层的狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而
2、提高了液晶工作效率并增大了透光效率。对incell touch (像素单元内部触控)技术关注将越来越大，目前大部分厂家对于触控技术的实现还是在显示显示装置的出光侧设置一层用于触控的电容薄膜、有少部分厂家在ADS显示模组上使用in cell touch技术,并已经成功量产,但是实用新型人发现在现有技术中，存在产品制程工艺繁琐，且制成品开口率较低的问题。实用新型内容本实用新型的实施例提供一种触控显示电路结构、阵列基板和显示装置，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案:一方面,提供一种触控显示电路结构,
3、包括触控单元和显示单元；与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线；与所述显示单元连接的栅线和数据线；其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管；所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线；所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极；所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极，所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线；所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极，所述第二开关晶体管的漏极连接所述检测信号线；所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线，
4、所述第一电容的第二极连接所述触控电极。可选的，所述显示单元包括:第三开关晶体管及第二电容；其中所述第三开关晶体管的栅极连接所述栅线，所述第三晶体管的源极连接所述数据线；所述第二电容的第一极连接所述第三开关晶体管的漏极，所述第二电容的第二极连接接地端。可选的，所述第一电容的第一极为与所述显示单元的像素电极同层的透明导电材料；所述第一电容的第二极为与所述显示单元的公共电极同层的透明导电材料。可选的，所述触控电极与所述显示单元的像素电极在同一次构图工艺形成。可选的，所述第三开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”。可选的，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”；所述
5、放大晶体管为“P”型晶体管。一方面，提供一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的至少一个像素单元包括上述任一触控显示电路结构。可选的，所述阵列基板上按横向或纵向每四个像素单元中包含有一个所述的触控显示电路结构。可选的，所述检测信号线为所述阵列基板上的一条数据线，包含所述触控显示电路结构的本级像素单元处于所述检测信号线与所述本级像素单元的数据线之间，所述检测信号线为所述本级像素单元的前一级像素单元提供显示驱动信号。一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本实用新型的实施例提供一种触控显示电路结构、阵列基板和显示装置，将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起，能够通过显示单元的制程流程同时
6、形成本实用新型实施例提供的触控结构，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型的实施例提供的一种触控显示电路结构示意图；图2为本实用新型的实施例提供的一种触控显示电路结构的驱动信号时序状态示意图；图3为本实用新型的实施例提供的一种触控显示电路结构触控电极电压变化示意图；图4为
7、本实用新型的实施例提供的一种阵列基板显示电路结构示意图；图5为本实用新型的实施例提供的一种显示单元为ADS模式的阵列基板示意图。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。本实用新型所有实施例中采用的开关晶体管和放大晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本
8、实用新型实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外本实用新型实施例所采用的开关晶体管包括P型开关晶体管和N型开关晶体管两种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止；放大晶体管包括P型和N型，其中P型放大晶体管在栅极电压为低电平(栅极电压小于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态，可以将源极的输入电压放大后在漏极输出；其中N型放大晶体管的栅极电压为高电平(栅极电压大于源极电压)
9、，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态，可以将源极的输入电压放大后在漏极输出，当然本实用新型的实施例只是采用了 P型的放大晶体管。参照图1所示，为本实用新型的实施例提供的一种触控显示电路结构，包括触控单元I和显示单元2 ;与触控单元I连接的第一扫描线S1、第二扫描线S2、检测信号线Dn-1、数据线Dn及信号控制线Kl ;与显示单元2连接的栅线Gn和数据线Dn ；其中触控单元I包括第一开关晶体管Tl、第二开关晶体管T2、第一电容Cl、触控电极NI及放大晶体管T3 ；第一开关晶体管Tl的源极连接数据线Dn，第一开关晶体管Tl的栅极连接信号控制线Kl ；触控电极NI连接第一开关晶体管T
10、l的漏极；放大晶体管T3的栅极连接触控电极NI，放大晶体管T3的源极连接第二扫描线S2 ；第二开关晶体管T2的栅极连接第一扫描线SI，第二开关晶体管T2的源极连接放大晶体管T3的漏极，第二开关晶体管T2的漏极连接检测信号线Dn-1 ；第一电容Cl的第一极连接第二扫描线S2，第一电容Cl的第二极连接触控电极NI。 这里第一电容可以在制作显示单元的制程工艺中形成。优选的，结合制作ADS模式的显示单元2制作第一电容，其中第一电容的一极与制作显示单元的公共电极的同一次构图工艺形成，第一电容的另一极与制作显示单元的像素电极的同一次构图工艺形成，即第一电容的第一极为与显示单元的像素电极同层的透明导电材料；
11、第一电容的第二极为与显示单元的公共电极同层的透明导电材料。即在制作显示单元2的公共电极和像素电极时，保留触控单元I的部分公共电极和部分像素电极，利用触控单元I的公共电极层与像素电极之间的交叠形成第一电容。当然，触控单元I和显示单元2这两个区域的公共电极之间和像素电极之间都是断开的。例如图5，显示单元2的公共电极59为狭缝电极,像素电极55为板状电极。当然，其中第一电容的一极可以与制作显示单元的像素电极的同一次构图工艺形成，第一电容的另一极与制作显示单元的公共电极的同一次构图工艺形成。0044进一步的，触控电极NI与制作显示单元2的像素电极在同一次构图工艺形成，即由显示单元的像素电极同层的透明导
12、电材料构成；且第一电容Cl的第二极与触控电极NI通过过孔连接。当然过孔的深度由制作显示单元的公共电极与像素电极之间的距离而定。进一步的,触控单元I的所有晶体管与显示单元2的晶体管同步形成。进一步的，第二开关晶体管T2和放大晶体管T3位于触控电极NI的一侧，第一开关晶体管Tl位于触控电极NI相对的另一侧。进一步的，第一扫描线S1、第二扫描线S2、及信号控制线Kl均与显示单元2的栅线同步形成；且与栅线平行设置，均位于显示单元2的间隙之间，不影响显示单元2的开口率。其中，如图5所示，显示单元2的栅线可以与显示单元2的栅极52在同一次构图工艺中形成。进一步的，为了布线需要和信号的输入，同一触控显示电路
13、结构的第一扫描线S1、第二扫描线S2位于靠近第二开关晶体管T2和放大晶体管T3的一侧，即位于栅线Gn的外侦牝栅线Gn内侧连接显示单元2的第三开关晶体管T4 ;信号控制线Kl位于靠近第一开关晶体管Tl的一侧，即位于栅线Gn+ (未示出)的外侧，栅线Gn+内侧连接Gn+1行的显示单元。进一步的，第一开关晶体管Tl，第二开关晶体管T2以及放大晶体管T3均可以通过制作显示单元2时在触控单元I中保留的数据线层(例如数据线Dn)作为连接线，与其他部件进行连接，并在需要的地方进行过孔连接。例如:第二开关晶体管T2的栅极通过制作显示单元2在触控单元I中保留的数据线层(例如数据线Dn)作为连接线，连接第一扫描线
14、SI，并在需要的地方进行过孔连接。比如，在该连接线靠近第一扫描线SI的一端进行过孔连接。过孔的深度和位置，取决于第一扫描线SI与数据线层的层间距离以及部件之间的位置关系。其中，如图5所示，显示单元2中的数据线层可以与源极56，漏极57在同一次构图工艺中形成。所述构图工艺可以包括制作图形的掩膜、曝光、显影、光刻，刻蚀等过程。举例来说，采用构图工艺在基板上形成栅极，具体为:首先在基板上沉积栅极层薄膜，然后涂布光刻胶，利用掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理来形成光刻胶图案，接着利用该光刻胶图案作为蚀刻掩模，通过刻蚀等工艺去除相应的电极层，并且去除剩余的光刻胶，最终在基板上形成栅极图形。可选的，显示单元
15、2包括:第三开关晶体管T4及第二电容C2 ;其中第二电容C2包括显示单元2的像素电极与公共电极之间的液晶电容及第三开关晶体管T4的寄生电容；其中第三开关晶体管T4的栅极连接栅线Gn，第三晶体管T4的源极连接数据线Dn ；像素电极作为第二电容C2的第一极连接第三开关晶体管T4的漏极，公共电极作为第二电容T2的第二极连接接地端VSS。可选的，第一开关晶体管Tl和第二开关晶体管T2为“P”型晶体管或“N型晶体管”;放大晶体管T3为“P”型晶体管。可选的，第三开关晶体管T4为“P”型晶体管或“N型晶体管”。本实用新型的实施例提供的触控显示电路结构，将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起，能够通过显
16、示单元的制程流程同时形成本实用新型实施例提供的触控结构，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。参照以上各实施例提供的触控显示电路本实用新型实施例还提供了以上各实施例触控显示电路的驱动方法:第一阶段，第一开关晶体管Tl、第二开关晶体管T2和放大晶体管T3截止，栅线Gn输入扫描信号、数据线Dn输入控制信号控制显示单元2处于显示状态； 第二阶段，第一开关晶体管Tl导通，第二开关晶体管T2和放大晶体管T3截止，数据线Dn输入重置信号为第一电容Cl的第二极充电,栅线Gn输入扫描信号关闭显不单兀2 ；第三阶段，第一开关晶体管Tl截止，第二开关晶体管T2导通，第二扫描线S2提供耦合脉冲信号，当触控电极NI受到触摸时，第一电容Cl的第二极放电直至放大晶体管T3的栅极和源极的电压差等于放大晶体管T3的阈值电压，放大晶体管T3导通并处于放大状态将第二扫描线S2提供的耦合脉冲信号放大输出至检测信号线Dn-1。进一步的，第一阶段，第三开关晶体管T4导通；第二阶段和第三阶段第三开关晶体管T4截止。这里对第一开关晶体管Tl
