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1、聚焦离子束(fib)传感器电路的制作方法专利名称:聚焦离子束(fib)传感器电路的制作方法技术领域:本发明关于FIB传感器之电路,其可用于精灵卡ICs之保护。在电子电路中,主要在设有保持个人信息之内存之电路中,有一问题,即电路必须加以保护以防未授权之分析,别是保护存资料之被秘密发现。一种可能攻击可FIB(聚焦电子束)达成。此种攻击可由适于此目的之电路予以侦出,俾在一攻击被证实后发动适当对策。例如,其可被在此一攻击期间或之后,电子电路变成无法使用至一程度,即信息无法以未授权方式读出。适于此目的之电路主要系构成一FIB传感器,其可侦出由攻击所实施之对保护电路之电攻击,或对备有此目的之电路之攻击。由
2、FIB攻击而由FIB传感器侦出之电荷,导致电荷含量可侦出之改变,以辨认此电路已为FIB攻击之目标。FIB传感器因此包含一内存单元,其有一驱动电路,及一天线连接至内存单元,作为一电导体,在FIB攻击期间其上有电荷积聚。此电荷被馈至内存后,内存即经验出其电荷容量可侦出之改变。设有另一电路作为驱动电路,以证实FIB传感器之内存单元之状态。此时,必须确保此电路已连接,或连接后可使天线在FIB攻击时,收集之电荷不会在内存再程序化前,自驱动电路流出。EP 0 510 434 A2专利说明一防止电路被分析之电路配置,其中设有一PIN光电二极管以侦测攻击之辐射,并连接在作业放大器之反相及未反相输入之间,放大器
3、之输出控制一开关,其在辐射时之供应电压待保护时,将易失RAM内存脱接。本发明之一目的为指定一电路,其适于作为FIB传感器及可以精灵卡IC之标准组件实施。此一目的之达成系由一可侦出FIB攻击之电路完成,该电路具有申请专利范围第1项之特性。进一步之精进可由附属专利范围中出现。本发明使用标准组件之侦测FIB攻击之电路,经一电容作电容性激活内存单元之驱动(擦拭,再程序及读取),该电容系额外存在并可将内存单元之驱动电路自天线隔离。在经天线侦测一攻击时,电容可防止电荷流出,俾产生之电压作用在内存单元上,该单元因而可经历其电荷状态之可侦出之改变,例如,予以对应性再程序。电容可以电路之随机电容器结构实现。内存
4、单元之构型原则上为随机的。较佳为一浮动闸单元,EEPROM单元(电可擦拭可程序仅读内存),或快速单元。在一简单情形下,内存单元可由在硅面积上之导电电极形成,电极与硅由作为储存媒体之绝缘体所隔离。此电极导电连接至天线。绝缘体可包含一氮化物层。此结构可构成为一SONOS单元(硅氧化物-氮氧化物-多硅)。附图简略说明本发明之电路举例。图1例中说明电路之基本结构。FIB传感器之内存单元1由驱动电路2操作,该电路为熟知者,故不详述。一FIB攻击导致电导体上之充电。电荷主要积聚在所备之天线3上,并传导至内存单元。根据本发明,电容4之设置供驱动电路2自内存单元1及天线3之地路分支除耦合。图2说明比较之较佳实
5、施倒,其中有一第二内存单元1,其亦连接至天线3,并由电容4自驱动电路2除耦合。此时,一内存单元之设计可使其侦测正电荷,另一内存单元之设计可侦测负电荷。其优点为二符号之电荷均被侦出,并无法由特殊方式补偿。本发明之电路适于,特别适于供PIB传感器之操作,该传感器系供保护精灵卡IC。参考符号表1内存单元1内存单元2驱动电路3天线4电容权利要求1.一种供侦测一由FIB攻击之电路,其中有一内存单元(1),其有一驱动电路(2)反一天线(3)连接至内存单元以侦测攻击,其特征为一电容(4)连接在内存(1)与驱动电路(2)之间,以将驱勤电路自天线(3)隔离。2.如申请专利范围第1项之电路,其中,该内存单元(1)
6、为自浮动闸单元,EEPROM单元,闪存及SONOS单元之一组。3.如申请专利范围第1项之电路,其中,该内存单元(1)包含在硅面积上之导电电极。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之电路,其申,供有二内存单元(1,1)其连接至天线(3),并由电容(4)与驱动电路(2)隔离。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之电路,供一精灵卡IC之FIB传感器之操作。全文摘要本电路可经由一电容(4)电容性激活一内存单元之驱动(擦拭,程序化及读取),该电容系额外存在,并自内存单元(1)之驱动电路(2)与天线(3)隔离。在攻击情况下,电荷会积聚在天线上。此电容可防止电荷流失,俾产生之电压作用在内存单元上,因此其经历一电荷状态之对应改变,此举并可被侦出。此电容可以电路之随机电容器结构之方式实现。