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1、调压电路的制作方法调压电路的制作方法本发明公开了一种调压电路。该电路包括NMOS晶体管、NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述NPN双极型晶体管的基极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，集电极连接至肖特基势垒二极管的负极端、NMOS晶体管的栅极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；NMOS晶体管的源极接地，漏极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。【专利说明】调压电路【技术领域】0001 本发明涉及一种调压电路。【背景技术】0002调压是电路中经常用到的电路模块，用于调整电路功能电压。
2、现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件，但是晶闸管的面积较大，发热较大，消耗的功率也较大，根本不适用于集成电路，一般是在芯片外接调压电路。【发明内容】0003本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题，提供一种MOS结构的调压电路。0004本发明采用的技术方案是这样的:本发明的一种调压电路，该电路包括NMOS晶体管、NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述NPN双极型晶体管的基极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，集电极连接至肖特基势垒二极管的负极端、NMOS晶体管的栅极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；NM0S晶体管
3、的源极接地，漏极作为输出端的负极。0005在上述的电路中，所述第一电阻和第二电阻为参数相同的电阻。0006综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是:该电路体较小、功耗小、速度高、适用于集成，且电路结构简单。【专利附图】【附图说明】0007图1是本发明调压电路的电路原理图。【具体实施方式】0008下面结合附图，对本发明作详细的说明。0009为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。0010如图1所示，是本发明调压电路的电路原理图。0011下面结合图1对本发明
4、上述各电子元器件间的连接关系做详细说明:一种调压电路，该电路包括NMOS晶体管Q1、NPN双极型晶体管Tl、第一电阻R1、第二电阻R2、可调电阻RWl和肖特基势垒二极管Zl ;所述NPN双极型晶体管Tl的基极通过第一电阻Rl连接至电压源VDD并通过可调电阻RWl连接至地GND，源极接地GND，集电极连接至肖特基势垒二极管Zl的负极端、NMOS晶体管Ql的栅极以及通过第二电阻R2连接至电压源VDD ;肖特基势垒二极管Zl的正极端接地；NM0S晶体管Ql的源极接地GND，漏极作为输出端Vout的负极。0012在本发明上述的电路中，所述第一电阻Rl和第二电阻R2为参数相同的电阻。0013以上所述仅为
5、本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。【权利要求】1.一种调压电路，其特征在于，包括NMOS晶体管(Q1)、NPN双极型晶体管(Tl)、第一电阻(Rl)、第二电阻(R2 )、可调电阻(RWl)和肖特基势垒二极管(ZI);所述NPN双极型晶体管(Tl)的基极通过第一电阻(Rl)连接至电压源(VDD)并通过可调电阻(RWl)连接至地(GND)，源极接地(GND)，集电极连接至肖特基势垒二极管(Zl)的负极端、NMOS晶体管(Ql)的栅极以及通过第二电阻(R2)连接至电压源(VDD);肖特基势垒二极管(Zl)的正极端接地；NMOS晶体管(Ql)的源极接地(GND)，漏极作为输出端(Vout)的负极。2.根据权利要求1所述的调压电路，其特征在于，所述第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)为参数相同的电阻。
