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1、用来进行区块管理的方法、记忆装置及其控制器的制作方法专利名称：用来进行区块管理的方法、记忆装置及其控制器的制作方法技术领域：本发明涉及关于具有多通道的闪存(Flash Memory)的存取(Access)，更具体地说，涉及一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。背景技术：近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如符合SD/MMC、 CF、MS、)(D标准的记忆卡)或具备闪存的固态硬盘(Solid State Drive, SSD)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的闪存的访问控制遂成为相当热门的议题。以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(
2、Single Level Cell,SLC) 与多阶细胞(Multiple Level Cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的储存能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以透过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组(或以上)位信息(00、01、11、10)；理论上， 多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的
3、空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。 然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的访问控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，相关技术的管理机制无法保证在具有多通道的闪存中的储存空间得以被妥善利用；尤其是，有些区块可能自始至终都不会被终端使用者用到。因此，需要一种新颖的方法来进行区块管理， 以妥善利用闪存中的储存空间。发明内容本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述无法保证在具有多通道的闪存中的储存空间得以
4、被妥善利用的缺陷，因此本发明的目的之一在于提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。本发明的另一目的在于提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以妥善利用闪存中的储存空间。本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是构造一种用来进行区块管理的方法，该方法应用于具有多通道(Channel)的闪存(Flash Memory)的控制器，该闪存包含分别对应于该些通道的多个区块，该方法包含有将未分组(Group)至任一超区块(Meta Block)的至少一好区块的至少一索引暂时地储存于一备用好区块(Spare Good Block)表， 其中该好区块为
5、该多个区块当中未被判定为坏区块的一区块；以及当侦测到目前分组至超区块的区块当中对应于一特定通道的一特定区块为坏区块时，动态地更新该备用好区块5表，以供进行区块管理。上述本发明所述的方法，其中在需要时，该好区块用来代换分组至一超区块的一区块。上述本发明所述的方法，其另包含有当侦测到对应于该特定通道的该特定区块为坏区块以及该备用好区块表指出对应于该特定通道的一好区块存在时，动态地以对应于该特定通道的该好区块来取代该特定区块。上述本发明所述的方法，其中动态地更新该备用好区块表以供进行区块管理的步骤另包含当动态地以对应于该特定通道的该好区块来取代该特定区块时，自该备用好区块表移除对应于该特定通道的该好
6、区块的索引。上述本发明所述的方法，其中动态地更新该备用好区块表以供进行区块管理的步骤另包含当侦测到对应于该特定通道的该特定区块为坏区块时，将该特定区块所属的一超区块中的至少一其它区块的至少一索引暂时地储存于该备用好区块表。上述本发明所述的方法，其另包含有将该备用好区块表的一先前版本储存于该闪存，并将该备用好区块表的一复制版本储存于该控制器的一缓冲器，以供动态地更新该备用好区块表；以及将该缓冲器当中该备用好区块表的最新版本储存至该闪存，以取代该备用好区块表的该先前版本。上述本发明所述的方法，其中该至少一索引代表至少一实体地址、及/或该至少一索引对应于至少一实体地址。本发明解决其技术问题所采用的技
7、术方案之二是构造上述方法的同时，也对应地构造一种记忆装置，其包含有具有多通道的一闪存，该闪存包含分别对应于该些通道的多个区块；以及一控制器，用来存取(Access)该闪存以及管理该多个区块。另外，该控制器将未分组至任一超区块的至少一好区块的至少一索引暂时地储存在一备用好区块表，其中该好区块为该多个区块当中未被判定为坏区块的一区块。此外，当侦测到目前分组至超区块的区块当中对应于一特定通道的一特定区块为坏区块时，该控制器动态地更新该备用好区块表，以供进行区块管理。上述本发明所述的记忆装置，其中在需要时，该好区块用来代换分组至一超区块的一区块。上述本发明所述的记忆装置，其中当侦测到对应于该特定通道的
8、该特定区块为坏区块以及该备用好区块表指出对应于该特定通道的一好区块存在时，该控制器动态地以对应于该特定通道的该好区块来取代该特定区块。上述本发明所述的记忆装置，其中当动态地以对应于该特定通道的该好区块来取代该特定区块时，该控制器自该备用好区块表移除对应于该特定通道的该好区块的索引。上述本发明所述的记忆装置，其中当侦测到对应于该特定通道的该特定区块为坏区块时，该控制器将该特定区块所属的一超区块中的至少一其它区块的至少一索引暂时地储存于该备用好区块表。上述本发明所述的记忆装置，其中该控制器将该备用好区块表的一先前版本储存于该闪存，并将该备用好区块表的一复制版本储存于该控制器的一缓冲器，以供动态地更
9、新该备用好区块表；以及该控制器将该缓冲器当中该备用好区块表的最新版本储存至该闪存，以取代该备用好区块表的该先前版本。上述本发明所述的记忆装置，其中该至少一索引代表至少一实体地址、及/或该至少一索引对应于至少一实体地址。本发明解决其技术问题所采用的技术方案之三是构造上述方法的同时，也对应地构造一种记忆装置的控制器，该控制器用来存取具有多通道的一闪存，该闪存包含分别对应于该些通道的多个区块，该控制器包含有一只读存储器(Read Only Memory，ROM)，用来储存一程序代码；以及一微处理器，用来执行该程序代码以控制对该闪存的存取以及管理该多个区块。另外，透过该微处理器执行该程序代码的该控制器
10、将未分组至任一超区块的至少一好区块的至少一索引暂时地储存在一备用好区块表，其中该好区块为该多个区块当中未被判定为坏区块的一区块。此外，当侦测到目前分组至超区块的区块当中对应于一特定通道的一特定区块为坏区块时，透过该微处理器执行该程序代码的该控制器动态地更新该备用好区块表，以供进行区块管理。上述本发明所述的控制器，其中在需要时，该好区块用来代换分组至一超区块的一区块。上述本发明所述的控制器，其中当侦测到对应于该特定通道的该特定区块为坏区块以及该备用好区块表指出对应于该特定通道的一好区块存在时，透过该微处理器执行该程序代码的该控制器动态地以对应于该特定通道的该好区块来取代该特定区块。上述本发明所述
11、的控制器，其中当动态地以对应于该特定通道的该好区块来取代该特定区块时，透过该微处理器执行该程序代码的该控制器自该备用好区块表移除对应于该特定通道的该好区块的索引。上述本发明所述的控制器，其中当侦测到对应于该特定通道的该特定区块为坏区块时，透过该微处理器执行该程序代码的该控制器将该特定区块所属的一超区块中的至少一其它区块的至少一索引暂时地储存于该备用好区块表。上述本发明所述的控制器，其特征在于，其中透过该微处理器执行该程序代码的该控制器将该备用好区块表的一先前版本储存于该闪存，并将该备用好区块表的一复制版本储存于该控制器的一缓冲器，以供动态地更新该备用好区块表；以及透过该微处理器执行该程序代码的
12、该控制器将该缓冲器当中该备用好区块表的最新版本储存至该闪存，以取代该备用好区块表的该先前版本上述本发明所述的控制器，其中该至少一索引代表至少一实体地址、及/或该至少一索引对应于至少一实体地址。本发明解决其技术问题所采用的技术方案之四是构造一种用来进行区块管理的方法，该方法应用于具有多通道的闪存的控制器，该闪存包含分别对应于该些通道的多个区块，该闪存得以该些区块中单一区块进行抹除，该方法包含有建立一超区块，其中该超区块包含位于不同通道的多个区块，且该控制器以该超区块为最小抹除单位对该闪存进行抹除；以及依据该多个区块的损坏状况，更新该超区块的区块组成或更新该超区块的损坏状况。尤其是，依据该多个区块
13、的损坏状况更新该超区块的区块组成的步骤更包含当该超区块中属于一第一通道的一区块被判定为一坏区块，以该第一通道中的一好区块替代该坏区块。实施本发明的技术方案，具有以下有益效果依据本发明所实现的区块管理可妥善利用上述剩余的储存空间，不会造成浪费。相较于相关技术，本发明在不大幅地增加芯片面积及相关成本的状况下就能达到兼顾运作效能与系统资源使用控管的目标。下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中图IA为依据本发明一第一实施例的一种记忆装置的示意图；图IB为图IA所示的记忆装置在一实施例中的实施细节；图2为依据本发明一实施例的一种用来进行区块管理的方法的流程图；图3A至图3C为图2所示的方法在
14、一实施例中的实施细节；图4A至图4C为图2所示的方法在另一实施例中的实施细节；图5A至图5C为图2所示的方法在另一实施例中的实施细节。主要组件符号说明100_记忆装置_110_闪存控制器_112_微处理器_112C_程序代码_112M_只读存储器_114_控制逻辑_116_缓冲存储器_118_接口逻辑_120闪存_12 OB_信息区块_12 OF_备用好区块表_120M_超区块映射表_1200, 120-1, ., 120- (N-I) 内存芯片910_用来进行超区块管理的方法912, 914步骤Buf ( 1 ) Buf (1)_缓冲器_Ch (Q), Ch (1)， Ch (2), 通道_
15、Ch (3),，Ch (N - 1)(K - 3), (K - 2), (K - 1) 代表及/或对应于实体地址的索_M(O), M(I), M (2),.超区块具体实施例方式请参考图1A，图IA为依据本发明一第一实施例的一种记忆装置100的示意图，其中本实施例的记忆装置100尤其为可携式记忆装置(例如符合SD/MMC、CF、MS、)(D标准的记忆卡)或固态硬盘(SSD，Solid State Drive)等。记忆装置100包含有一闪存(Flash Memory) 120，其包含至少一信息区块(Block) 120B ；以及一控制器，用来存取(Access)闪存 120，其中该控制器例如一内存
16、控制器110。依据本实施例，内存控制器110包含一微处理器 112、一只读存储器(Read Only Memory，R0M) 112M、一控制逻辑114、至少一缓冲存储器116、与一接口逻辑118。另外，本实施例的只读存储器112M用来储存一程序代码112C，而微处理器112则用来执行程序代码112C以控制对闪存120的存取。请注意到，程序代码112C 也得储存在缓冲存储器116或任何形式的内存内。如图IA所示，上述的至少一信息区块120B用来储存关于区块管理的信息，尤其是一超区块(Meta Block)映射表120M与一备用好区块(Spare Good Block)表120F。依据本实施例，缓冲存储器116包含缓冲器Buf(O)与Buf(l)。例如缓冲器Buf(O)与Buf(I)可分别为缓冲存储器116中的多个缓冲区域。又例如上述的至少一缓冲存储器116包含多个缓冲存储器，可分别用来实施缓冲器Buf(O)与Buf
