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1、曝光原理与曝光机課程綱要多層板製程曝光製程光阻曝光原理曝光光源系統曝光量測11/50多層板製程11/50多層板Multilayer PCB 結構通孔Through Hole孔徑孔環Annular Ring絕緣介質層Dielectric線路線距線寬內層2內層1傳統多層板增層法多層板11/50結構術語及尺寸單位導通孔Via Hole目的: 連接各層電路孔徑 Ex. 機鑽通孔 0.35 mmEx. 雷射盲孔 6 mil 孔環 Annular RingEx. 單邊 + 5 mil縱橫比 Aspect Ratio板厚/孔徑 鑽孔, 電鍍能力孔間距100 mil = 2.54 mm 50 mil = 1.
2、27 mm線路Power/Ground層信號層 Signal layer線路 Conductor焊墊 Pad線寬/線距 (L/S) Line Width / Line Space6/6 = 150/150 m5/5 = 125/125 m4/4 = 100/100 m孔間(100 mil)過几條導線8/8 過 2 條 6/6 過 3 條 5/5 過 4 條11/50外形術語及尺寸單位多層板 Multi-layer層數 layer count: Cu層數內層 inner layerEx. L2/L3, L4/L5外層 outer layer零件面 Component side Ex. L1銲錫面
3、 Solder side Ex. L6外尺寸長度寬度Ex. 20 x 16板厚Ex. 63 mil (條) = 1.6 mm尺寸單位英吋 inch1 inch = 1000 mil = 25.4 mm英絲 mil1 mil = 0.001 inch = 0.0254 mm= 25.4 m5 mil = 0.005 inch = 0.125 mm= 125 m1 mm = 39.37 mil11/50疊板結構例：4L 疊板L1 - 1 oz: 1.4 mil1080: 2.5 mil 7628: 7.0 milL2/L3-1.0mm, 1/1: 40 mil7628: 7.0 mil1080:
4、2.5 milL4 - 1 oz, 1.4 milTotal = 61.8 mil = 1.569 mm例：6L 疊板L1 - 1/2 oz: 0.7 mil1080: 2.5 mil 7628: 7.0 milL2/L3 - 0.38mm, 1/1: 17.8 mil2116: 4.0 mil2116: 4.0 milL4/L5 - 0.38mm, 1/1: 17.8 mil7628: 7.0 mil1080: 2.5 milL6 - 1/2 oz, 0.7 milTotal = 64 mil = 1.6 mm11/50大家应该也有点累了，稍作休息大家有疑问的，可以询问和交流大家有疑问的，可
5、以询问和交流大家有疑问的，可以询问和交流大家有疑问的，可以询问和交流8多層板製程示意11/50裁板銅箔基板磨邊導角內層剝膜內層蝕刻內層顯像內層曝光乾膜貼合前處理內層AOI疊板壓合黑/棕氧化鍍一次銅化學鍍銅除膠渣去毛邊鑽孔乾膜貼合鍍二次銅前處理外層曝光外層顯像鍍錫鉛外層剝膜外層蝕刻噴錫鍍鎳金文字印刷文字烘烤塞孔印刷防焊後烤綠漆顯像防焊預烤防焊塗佈前處理防焊曝光成品檢查斜邊成型真空包裝成品清洗V-Cut電測剝錫鉛外層AOI典型多層板製程Multi-Layer Process基板處理 內層製程 壓合鑽孔鍍銅 外層製程 防焊製程 表面處理 檢驗成型11/50曝光製程11/50印刷電路板影像移轉製程影像
6、移轉 Image Transfer將PCB設計圖像(Pattern)的工程資料由CAD/CAM上轉移至網板或底片上使用印刷或曝光方式將底片上影像移轉至阻劑上再經由蝕刻、電鍍或單純顯像方式製作線路或遮蓋部分板面曝光製程內層 Inner Layer Primary Image外層 Outer Layer Primary Image防焊 Solder Mask選擇性鍍金 Secondary Image Transfer12/50曝光製程 - 內層內層 Print and Etch光阻在線路製作製程 中使用，蝕刻完成後除去內層曝光光阻抗酸性蝕刻光阻塗佈壓膜 Dry Film Lamination滾塗
7、Roller Coating乾膜：壓膜曝光顯像蝕刻剝膜膜厚 1.0,1.3 mil，能量 4560 mj/cm2濕膜：塗佈預烘曝光顯像蝕刻剝膜liquid film 1015m厚，需80120 mj/cm2因無Mylar層可做較細線路11/50曝光製程 - 外層外層 Pattern Plate光阻在線路製作製程 中使用，電鍍完成後除去外層曝光 (負片流程)光阻抗電鍍，抗鹼性蝕刻光阻塗佈壓膜 Dry Film Lamination乾膜：壓膜曝光顯像電鍍剝膜蝕刻膜厚 1.3, 1.5 mil11/50外層正片 / 負片流程內層曝光正片 Print and Etch 流程曝光聚合部分保護線路曝光顯像
8、蝕刻外層曝光負片流程 Pattern Plate曝光聚合部分非線路曝光顯像電鍍蝕刻正片Tenting 流程 Tent and Etch曝光聚合部分保護線路曝光顯像蝕刻11/50內層與外層製作比較內層流程外層負片電鍍流程外層正片Tenting流程11/50曝光製程 - 防焊防焊 LPSM保護銅面PCB上永久性保護層防焊曝光光阻塗佈網印 Flood Screen Printing簾塗 Curtain Coating噴塗 Spray Coating塗佈預烤曝光顯像後烘烤UV硬化約0.8 mil厚，能量 400600 mj/cm2曝光時需抽真空使底片密貼板材並隔絕氧氣使聚合反應加速完成11/50光阻曝
9、光原理11/50365nm光阻聚合製程光阻(乾膜/濕膜)曝光聚合(UV)顯像(碳酸鈉)曝光原理及製程G-line: 436 nmH-line: 405 nm I-line: 365 nm11/50光阻反應機構Sensitizer 光敏劑接受初始能量, 啟動反應 (搖旗吶喊)Photoinitiator 感光起始劑接受, 產生自由基, 抓Monomer, 連鎖反應形成聚合物對 320380 nm 波長敏感Monomer 單體Crosslink, Migrate Inhibitor 遮蔽劑在未曝光時維持不反應 (警察), MigrateBinder 塑化劑強度11/50光阻感光聚合過程自由基轉移T
10、ransfer Free Radical聚合/交聯Polymerization / Cross Linking單體吸收自由基Monomer + R形成聚合體Polymer顯像DevelopingNa2CO3紫外線照射UV Radiation光啟始劑裂解Photoinitiator出現自由基Free Radical RPI + h PI*ITX + h ITX*ITX* + PI ITX + PI*Monomer & Oligomer + PI* Polymer + PI11/50曝光對乾膜結構的變化11/50線路曝光作業的考量因素反應特性聚合反應速率與配方、塗佈厚度、UV照度及UV光源發射光譜
11、分佈等有關。聚合反應中能量的累積是持續性的，反應開始後如因故UV照射受干擾而中斷時，將導致反應不完全。聚合反應中應儘量隔絕氧氣的接觸，因氧的活性大，會抑制其它自由基的聯結，降低聚合反應速率。作業要求提高光阻與銅面附著力曝光顯像後光阻側壁垂直且殘足短達到最佳光阻解析能力曝光能量 時，解析度曝光能量時，聚合效果及抗化性達到光阻最佳工作區間 準確的能量控制Off Contact時，解析度 提高底片與板面真空密貼程度11/50能量對光阻聚合影響起始階段部分聚合階段完全聚合階段11/5011/50曝光能量與最佳解析度關係以乾膜曝光而言，為得到最佳乾膜解析能力，曝光能量約有10% 的容許區間，這也是對能量
12、均勻度的基本要求當線路愈細及線寬公差要求愈嚴時，對均勻度的要求應更嚴格11/50曝光方式與吸真空Hard Contact Exposure 硬式接觸曝光底片與板面密貼且吸真空吸真空時在表面產生彩色牛頓環，紋路愈密表示底片與板面密貼程度愈佳散射光要吸真空Soft Contact Exposure 軟式接觸曝光底片與板面密貼但不吸真空或只輕微吸真空Off Contact Exposure 非接觸曝光底片與板面間有距離不接觸，不能吸真空Projection Exposure 投影曝光鏡組將線路影像聚焦在板面上，不能吸真空11/50乾膜光阻乾膜光阻 Dry Film PhotoresistMylar蓋
13、膜(聚烯 Polyester/PET) + 光阻 Photoresist + PE分隔膜(聚乙烯 Polyethylene/PE)Mylar 厚度: 0.8 mil光阻厚度: 0.6, 1.0, 1.3, 1.5, 2.0 mil廠商杜邦大東 DuPont/Riston長興 Eternal/Etertec長春 LongLiteHitachi/PhoTecAsahiShipley/Morton11/50光阻作用方式-負型與正型負性光阻感光聚合，形成高分子，顯像時不會溶解Soluble vs Semi-soluble有殘足問題常用在PCB正性光阻感光分解，顯像時溶解Soluble vs Non-s
14、oluble正性光阻可製作出較細線路常用在IC, LCD11/50油墨光阻劑濕膜光阻Liquid Photoresist光阻 Coating 厚度: 812 m廠商MacDermidNippon Paint川裕.液態感光防焊綠漆 Liquid Photoimageable Solder Mask (LPSM)二液型廠商Taiyo, Tamura, Hitachi永聖泰11/50曝光光源系統11/50曝光光源種類散射光 Flood毛細燈 Capilary長弧燈 Long Arc平行光 Collimated短弧燈 Short Arc點光源 Point Source短燈管 UV無電極點光源Micro
15、wave 激發 UV 燈11/50各種 UV 曝光燈管Capillary: 毛細燈線路曝光用/ 3, 5 KwShort Arc:汞氙短弧燈平行光曝光用/ 3.5, 5, 8 KwLong Arc: 水銀燈/金屬鹵化物燈防焊曝光用/ 7, 8, 9, 10 Kw11/50各種UV燈管光譜分佈比較水銀燈金屬鹵化物燈毛細燈汞氙燈光阻聚合365nm11/50水銀的特性光譜線Energy (eV)185365577931329754643640525401263P61P163D73S510Ionizationi-line:365nmg-line:436nmh-line:405nm11/50焦點散漫,
16、UV 均勻分佈, 強度較弱散光型反射燈罩11/50散射光對曝光影響11/50不同光源對光阻曝光影響平行光CHA; 1.52.5DA: 12點光源DA: 512散射光DA: 102511/50如何產生平行光平行光產生方式增加光源至照射面距離利用拋物體燈罩反射點光源利用拋物面鏡反射點光源光柱利用鏡組折射點光源光柱汞氙短弧燈11/50平行光曝光系統平行反射鏡(Collimation Mirror)曝光照射面(Exposure Surface)反射鏡(Reflection Mirror)點光源短弧燈(Short Arc Lamp)橢圓集光器(Collector)冷鏡(Dichroic Mirror)積光器(Integrator)平行光源: 5KW汞氙短弧燈平行半角(CHA): 1.5斜射角(DA) 111/50Integrator (Flyeye) 積光器作用11/50平行半角與斜射角平行半角Collimation half angle光柱擴散角度斜射角Declination angle光柱與法線夾角11/50平行半角與斜射角量測平行半角與斜射角測量量測規目測熱感紙測量UV光11/50曝光量測
