《半导体刻蚀设备项目运营方式分析【范文】》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体刻蚀设备项目运营方式分析【范文】（40页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、泓域咨询/半导体刻蚀设备项目运营方式分析半导体刻蚀设备项目运营方式分析xx有限公司目录一、 项目简介4二、 产业环境分析8三、 技术端：先进制程拉动刻蚀用量，复杂结构打开设备市场8四、 必要性分析11五、 运营战略正在并越来越受重视12六、 工业4.0对运营管理模式的重构12七、 运营管理的目标和实质14八、 运营系统15九、 实现精益生产的条件15十、 价值流图18十一、 精益生产的概念与目标19十二、 价值流图20十三、 投资方案分析21建设投资估算表23建设期利息估算表24流动资金估算表25总投资及构成一览表26项目投资计划与资金筹措一览表27十四、 经济效益28营业收入、税金及附加和增
2、值税估算表29综合总成本费用估算表30利润及利润分配表32项目投资现金流量表34借款还本付息计划表37十五、 进度规划方案38项目实施进度计划一览表38一、 项目简介（一）项目单位项目单位：xx有限公司（二）项目建设地点本期项目选址位于xx（待定），占地面积约91.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（三）建设规模该项目总占地面积60667.00（折合约91.00亩），预计场区规划总建筑面积89298.56。其中：主体工程59806.98，仓储工程8418.64，行政办公及生活服务设施8614.85，公共工程12458
3、.09。（四）项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。（五）项目提出的理由1、不断提升技术研发实力是巩固行业地位的必要措施公司长期积累已取得了较丰富的研发成果。随着研究领域的不断扩大，公司产品不断往精密化、智能化方向发展，投资项目的建设，将支持公司在相关领域投入更多的人力、物力和财力，进一步提升公司研发实力，加快产品开发速度，持续优化产品结构，满足行业发展和市场竞争的需求，巩固并增强公司在行业内的优势竞争地位，为建设国际一流的研发平台提供充实保障。2
4、、公司行业地位突出，项目具备实施基础公司自成立之日起就专注于行业领域，已形成了包括自主研发、品牌、质量、管理等在内的一系列核心竞争优势，行业地位突出，为项目的实施提供了良好的条件。在生产方面，公司拥有良好生产管理基础，并且拥有国际先进的生产、检测设备；在技术研发方面，公司系国家高新技术企业，拥有省级企业技术中心，并与科研院所、高校保持着长期的合作关系，已形成了完善的研发体系和创新机制，具备进一步升级改造的条件；在营销网络建设方面，公司通过多年发展已建立了良好的营销服务体系，营销网络拓展具备可复制性。存储芯片在国内集成电路产业份额最大，大数据等新兴领域成为其市场增量。存储芯片一直都是国内集成电路
5、市场中份额最大的产品类别，特别是在2018年存储芯片价格上涨的影响下，存储芯片市场占比进一步提升，2018年国内市场销售额达5,775亿元，同比增长34%，2016年至2018年国内存储芯片市场销售额的年均复合增长率达40%。2019年因前期存储芯片厂商扩产导致存储芯片供给增加，同时下游需求增长有所放缓，导致市场规模有所收缩。未来随着物联网、大数据等新兴领域的快速发展，以及相关国家战略的陆续实施，存储芯片仍具有巨大的市场需求和发展空间。（六）建设投资估算1、项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资27324.90万元，其中：建设投资216
6、02.61万元，占项目总投资的79.06%；建设期利息608.91万元，占项目总投资的2.23%；流动资金5113.38万元，占项目总投资的18.71%。2、建设投资构成本期项目建设投资21602.61万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用18337.74万元，工程建设其他费用2799.05万元，预备费465.82万元。（七）项目主要技术经济指标1、财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入62100.00万元，综合总成本费用49011.47万元，纳税总额6110.00万元，净利润9582.07万元，财务内部收益率27.42%，财务净现值17911.37万元，全
7、部投资回收期5.33年。2、主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积60667.00约91.00亩1.1总建筑面积89298.56容积率1.471.2基底面积33973.52建筑系数56.00%1.3投资强度万元/亩227.722总投资万元27324.902.1建设投资万元21602.612.1.1工程费用万元18337.742.1.2工程建设其他费用万元2799.052.1.3预备费万元465.822.2建设期利息万元608.912.3流动资金万元5113.383资金筹措万元27324.903.1自筹资金万元14898.363.2银行贷款万元12426.544营业
8、收入万元62100.00正常运营年份5总成本费用万元49011.476利润总额万元12776.107净利润万元9582.078所得税万元3194.039增值税万元2603.5410税金及附加万元312.4311纳税总额万元6110.0012工业增加值万元20846.4113盈亏平衡点万元20388.55产值14回收期年5.33含建设期24个月15财务内部收益率27.42%所得税后16财务净现值万元17911.37所得税后二、 产业环境分析总体上看，“十三五”期间，我市工业经济将进入新常态后速度调整、结构转化和动力转换的矛盾凸显期，以及工业经济转型升级关键期，具备加快发展的条件和机遇。作为东北老
9、工业基地城市，工业是我市发展的基础和命脉，加快推进我市工业化和城市化进程，症结在工业、难点在工业、突破点也在工业。我们要坚持以发展制造业为工业之本，更加注重产业结构调整，更加注重发展质量和效益同步提升，更加注重空间优化布局，更加注重大企业和中小企业协调发展，进一步提升工业在全市经济社会发展中的主导支撑地位和辐射带动作用，努力将我市建设成为具有国内和国际竞争力的先进装备制造业强市。三、 技术端：先进制程拉动刻蚀用量，复杂结构打开设备市场逻辑芯片不断突破，先进工艺刻蚀次数也不断提升。晶圆代工行业呈现越来越高的资金和技术壁垒，如今晶圆厂一条28nm的4万/月的生产线需要40-50亿美元资本开支，研发
10、新一代制程节点可能需要数十亿美元，如此庞大的投入构筑起了高资金和技术壁垒。而随着“摩尔定律”放缓，从7纳米到5纳米乃至3纳米，每一个制程节点都举步维艰，拥有高端制程能力的公司屈指可数，而对于不同节点的产品研发也需要海量的资金投入。而随着先进制程工艺不断演进，所需要的刻蚀次数也逐渐增多，从65nm制程的20次增加至5nm制程的160次，复杂度提升了8倍，显著提升了半导体刻蚀设备的数量和质量。逻辑电路制程不断微缩，FinFET成为当前主流工艺。逻辑电路工艺不断的向着微型化发展，基于传统平面MOSFET结构的晶胞单元不断的缩小，漏、源的间距也不断的减小，栅极的控制力就不断的减弱，导致器件的性能恶化，
11、同时增加了静态的功耗。当半导体工艺向更高技术节点挺进时，平面结构制程工艺逐渐达到极限难以突破，3D结构的FinFET工艺逐渐成为主流。与平面晶体管相比，FinFET器件改进了对沟道的控制，从而减小了短沟道效应，同时能够更好地对沟道进行静电控制。然而，当工艺制程来到3nm之后，鳍片(Fin)宽度达到5nm(等于3nm节点)时，FinFET将接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈。此时全环栅晶体管GAA有望延续半导体技术经典“摩尔定律”的新兴技术路线，进一步增强栅极控制能力，克服当前技术的物理缩放比例和性能限制。先进工艺结构增加刻蚀难度与刻蚀步骤，对刻蚀设备提出了更高的要求。半导体逻辑电路的不断微缩，包
12、括技术本身进化的需求，刻蚀工艺在不断迭代，像MultiplePatterning技术、基于金属硬掩模的双大马士革工艺等等，都提高了刻蚀的难度，相应刻蚀机制造的难度也随之增加。同时先进制程增加了刻蚀的步骤，多次刻蚀要求每一个步骤的精确度足够高，才能保证整体生产的良率。存储工艺革新带动刻蚀需求提升。NANDFlash技术不断成熟和进步，现已经迈入3DNAND时代，3DNAND采用将存储单元立体堆叠的方式，使得储存能力提升明显，而其技术复杂程度较2D有显著提升。3DNAND需要先经过干法和湿法刻蚀形成柱形通孔和3DNAND单元，由内层依次形成沉积氧化层-氮化层-氧化层结构后形成浮栅层，然后刻蚀多余的
13、FG使之能够实现完全隔离，最后通过多步沉积形成3DNANDFlash。3DNAND形成过程中需要用到多步刻蚀，并且要保证刻蚀的各向异性和尽量小的偏差，对于刻蚀设备和相应技术都有着极高的要求。高深宽比通道刻蚀与选择性刻蚀等步骤使3DNAND刻蚀难度全面升级。在96层3DNAND中纵横比高达70:1，每块晶圆中有一万亿个微小孔通道，孔道随着叠加层数而增多，故保证孔道的均匀性和平整性才能保证器件的性能。其中，克服不完全刻蚀、弓形刻蚀、扭曲以及堆叠顶部和底部之间的CD差异成为刻蚀3DNAND工艺中面临的巨大挑战。此外，选择性刻蚀是3DNAND刻蚀工艺中的关键步骤，刻蚀的均一性直接影响后续栅极电介质的沉
14、积质量，但随着堆叠层数增加，畸形氧化沉积层变厚，严重时会直接导致氧化层塌陷，影响芯片性能。因此，3DNAND更高堆叠层数的突破将带来刻蚀难度的极大提升，器件性能的突破也往往伴随着刻蚀工艺的长足进步。DRAM微缩工艺拉动刻蚀设备需求。DRAM制程工艺进入20nm以后，由于制造难度越来越高，内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1x、1y、1z，大体来讲，1x-nm制程相当于1619nm、1y-nm相当于1416nm，而1z-nm则相当于1214nm。如今传统的DRAM面临越来越严峻的微缩挑战，随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进，DRAM电路图形密度增大，多重图案化重复次数增加，极大地增加了刻蚀工艺的设备需求。四、 必要性分析1、提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。五、 运营战略正在并越来越受重视20世纪70年代初，哈佛商学院的威克姆，斯金纳提出了运营战略的概念。运营战略可总结为如何通过运营管理赢得组织的竞争优势。其构成要素包括低成本、高质量、准时交货。现在，越来越多的组织认识到了
