《半导体刻蚀设备公司并购战略分析【参考】》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体刻蚀设备公司并购战略分析【参考】（45页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、泓域/半导体刻蚀设备公司并购战略分析半导体刻蚀设备公司并购战略分析目录一、 产业环境分析3二、 半导体设备投资占比巨大，刻蚀设备是其中重要一环3三、 必要性分析9四、 公司概况9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10五、 战略联盟的类型与主要形式11六、 合作战略的竞争风险15七、 精简17八、 收缩17九、 阻碍并购成功的因素18十、 并购的类型28十一、 项目基本情况29十二、 发展规划分析35十三、 组织机构、人力资源分析38劳动定员一览表39十四、 项目风险分析40十五、 项目风险对策43一、 产业环境分析综合判断，在经济发展新常态下，我区发展机遇与挑战并存，机遇大于
2、挑战，发展形势总体向好有利，将通过全面的调整、转型、升级，步入发展的新阶段。知识经济、服务经济、消费经济将成为经济增长的主要特征，中心城区的集聚、辐射和创新功能不断强化，产业发展进入新阶段。二、 半导体设备投资占比巨大，刻蚀设备是其中重要一环半导体设备在硅片制造、前道及后道工艺中举足轻重。半导体设备即主要应用于半导体制造和封测流程的设备。半导体设备行业是半导体制造的基石，是半导体行业的基础和核心。从产业链来看，半导体设备的上游主要是单晶硅片制造以及IC设计，下游则主要为IC封测。根据半导体设备在IC制造中应用的场景不同，一般可以分为氧化炉、涂胶显影设备、光刻机、刻蚀机、离子注入机、清洗设备、质
3、量/电学检测设备、CMP设备、CVD设备和PVD设备等。先进制程驱动产线建设成本上行，半导体设备资本支出占比提升。通常，一条90nm制程芯片的晶圆生产线建设成本为20亿美元，当制程微缩至20nm时成本达到67亿美元，翻了三倍之多。而半导体设备作为半导体产线投资的主要投入项，不仅种类繁多，而且具有非常高的技术要求，也导致设备的价格非常昂贵，设备在生产线的资本支出占比也逐渐提高。根据高新智库研究表明，在90nm制程中设备支出占比为70%，到了20nm制程占比达到85%，从14亿美元提高到57亿美元，提高了约4倍。IC制造设备占半导体设备比例达80%，光刻、刻蚀和沉积设备为主要组成部分。从产品细分结
4、构来看，目前供应的半导体设备主要为IC制造设备，其占市面上半导体设备的比重约为80%；在这些IC制造设备中，以光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备为主，根据SEMI测算数据，当前这三类半导体设备分别约占市面上半导体设备的24%、20%和20%。光刻：光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，其利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上，具有耗时长、成本高的特点。光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备，技术含量、价值含量极高。刻蚀：刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤，对于器件的电学性能十分重要。其利
5、用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格的工艺流程控制。薄膜沉积：薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节。薄膜沉积是指任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺，这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。薄膜沉积有化学和物理工艺之分，具体而言可分为化学气相沉积、物理气相沉积和其他沉积三大类。中国大陆占据全球半导体设备市场约四分之一，技术仍处于追赶状态。中国大陆的半导体设备需求量大，2019年中国的半导体设备市场规模占到了全球的一半，其中中国大陆的半导体设备市场规模占全球的22.
6、4%，略低于中国台湾。中国大陆在市场需求占据很大份额的同时，半导体设备自给率很低，技术仍处于追赶状态，先进半导体设备技术仍由美欧日等国主导。其中美国的等离子刻蚀设备、离子注入机、薄膜沉积设备、检测设备、测试设备、表面处理设备等设备的制造技术位于世界前列；荷兰则是凭借ASML的高端光刻机在全球处于领先地位；在刻蚀设备、晶圆清洗设备、检测设备、测试设备、氧化设备等方面，日本极具竞争优势。刻蚀设备有望率先完成国产替代。从国内市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。目前我国主流设备中，去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化
7、率均已经达到20%以上。而这之中市场规模最大的则要数刻蚀设备。我国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创以及屹唐股份。先进工艺不断演进，干法刻蚀大势所趋刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程，进而形成光刻定义的电路图形。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形，有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。在通常的CMOS工艺流程中，刻蚀都是在光刻工艺之后进行的。从这一点来看，刻蚀可以看成在硅片上复制所想要图形的最后主要图形转移工艺步骤。按照刻蚀工艺划分，刻蚀主要分
8、为干法刻蚀以及湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀，利用等离子体与表面薄膜反应，形成挥发性物质，或者直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。干法刻蚀可以在某一特定方向上进行切割，使得实现理想中纳米（nm）级的超精细图案轮廓。湿法刻蚀工艺主要是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，该刻蚀方法会导致材料的横向纵向同时腐蚀，会导致一定的线宽损失。目前来看，干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流地位，市场占比约90%。按照刻蚀材料划分，刻蚀工艺包括介质刻蚀和导体刻蚀，导体刻蚀又分为硅刻蚀和金属刻蚀。金属刻蚀主要是在金属层上去除铝、钨或铜层，以在逐级叠加的芯片结构中生成互联导线图形；硅刻蚀（包括多晶
9、硅）应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅、硅槽电容；介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。对于8英寸晶圆，介质、多晶硅以及金属刻蚀是刻蚀设备的常用类别。进入12英寸世代以后，随着铜互连的发展，金属刻蚀逐渐萎缩，介质刻蚀份额逐渐加大。20年介质刻蚀设备的份额已超过40%，而且随着器件互连层数增多，介质刻蚀技术和设备有望持续发展。干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片表面材料；化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，纯化学刻蚀作用中，通过等离子体产
10、生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率；物理化学性刻蚀，即反应离子刻蚀，利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，具有各向异性强的优势，是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法。ICP与CCP是应用最为广泛的刻蚀设备。目前等离子刻蚀是晶圆制造中使用的主要刻蚀方法，电容性等离子刻蚀（CCP）和电感性等离子刻蚀（ICP）是两种常用的等离子刻蚀方法。CCP的原理是将施加在极板上的射频或直流电源通过电容耦合的方式在反应腔内形成等离子体，主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料
11、。ICP刻蚀的原理是将射频电源的能量经由电感线圈，以磁场耦合的形式进入反应腔内部，从而产生等离子体并用于刻蚀，主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。原子层刻蚀（ALE）能够精确控制刻蚀深度，成为未来技术升级趋势。随着当前集成电路技术的不断发展，构成芯片的核心器件尺寸持续缩小，芯片的加工制造变得越来越精细。原子层刻蚀（ALE）是指通过一系列的自限制反应去除单个原子层，不会触及和破坏底层以及周围材料的先进半导体生产工艺。ALE是一种先进的刻蚀技术，可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。原子层刻蚀（ALE）技术适合间距或者空间上非常紧密的可能发生孔洞“堵塞”的刻蚀，和具有超高选择性和均匀性的应用。原子
12、层刻蚀（ALE）可以分为等离子体ALE和高温ALE，适用于不同类型的刻蚀。等离子体ALE使用高能离子或中性物质从表面上剔除物质的方法来进行蚀刻；而高温ALE应用于特定的高温气相反应。目前，等离子体ALE已经进入生产使用阶段，而高温ALE仍处于早期阶段，距离商业化使用仍有较远距离。介质刻蚀和硅刻蚀领衔，等离子体刻蚀成绝对主流。从下游半导体行业刻蚀机的需求来看，介质刻蚀机与硅刻蚀机需求场景较多，因此占比较高，其中介质刻蚀与硅刻蚀机分别占据干法刻蚀工艺半壁江山。在集成电路生产线来看，等离子体刻蚀设备因其提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀而被广泛应用，根据问芯Voice，目前等离子体刻蚀设备的市场规
13、模也超过了120亿美元，约占全球刻蚀市场规模的85%左右，成为刻蚀设备的绝对主流。未来随着中微等公司对设备研发的不断投入，刻蚀设备国产化率进一步提升未来可期。三、 必要性分析1、提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。四、 公司概况（一）公司基本信息1、公司名称：xxx有限公司2、法定代表人：郝xx3、注册资本：1050万元4、统一社会信用代码：xxxxxxx
14、xxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2015-8-177、营业期限：2015-8-17至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx（二）公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7423.035938.425567.27负债总额4374.933499.943281.20股东权益合计3048.102438.482286.07公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入17172.2013737.7612879.15营业利润3365.032692.022523.77利润总额2738.6321
15、90.902053.97净利润2053.971602.101478.86归属于母公司所有者的净利润2053.971602.101478.86五、 战略联盟的类型与主要形式（一）从治理结构的角度分类战略联盟从治理结构的角度可以分为股权式联盟（合资、相互持股）和契约式联盟（生产、研发、销售等环节）。1、股权式联盟股权式战略联盟是由各成员作为股东共同创立的，其拥有独立的资产、人事和管理权限，股权式联盟中一般不包括各成员的核心业务，具体又可分为对等占有型战略联盟和相互持股型战略联盟。对等占有型战略联盟是指合资生产和经营的项目分属联盟成员的局部功能，双方母公司各拥有50%的股权，以保持相对独立性。相互持股型战略联盟中联盟成员为巩固良好的合作关系，长期地相互持有对方少量的股份，与合资、合作或兼并不同的是，这种方式不涉及设备和人员等要素的合并。IBM公司在19901991年间，大约购买了200家西欧国家的软件和电脑服务公司的少量股份，借此与当地的经销商建立了良好的联盟关系，从而借助联盟中的中间商占领了这片市场。2、契约式联盟当联盟内各成员的核心业务与联盟相同、合作伙伴又无法将其资产从核心业务中剥离出来置于同一企业内时，或者为了实现更加灵活地收缩和扩张、合作伙伴不愿建立独立的合资公司时，契约式战略联盟便出现了。契约式战略联盟
