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1、泓域咨询 /晶体生长设备项目策划方案晶体生长设备项目策划方案目录一、 项目名称及项目单位3二、 项目建设地点3三、 编制依据和技术原则4主要经济指标一览表4四、 主要结论及建议6五、 半导体设备行业概况10六、 产品规划方案及生产纲领11产品规划方案一览表12七、 建筑工程建设指标13建筑工程投资一览表13八、 社会经济发展目标14九、 股东权利及义务17十、 优势分析（S）20十一、 设备选型方案23主要设备购置一览表23十二、 人力资源配置23劳动定员一览表24十三、 预期效果评价24十四、 环境保护综述25十五、 项目总投资25总投资及构成一览表26十六、 资金筹措与投资计划27项目投资
2、计划与资金筹措一览表27十七、 经济评价财务测算28营业收入、税金及附加和增值税估算表28综合总成本费用估算表29利润及利润分配表31十八、 项目盈利能力分析32项目投资现金流量表33十九、 财务生存能力分析35二十、 偿债能力分析35借款还本付息计划表36二十一、 经济评价结论37二十二、 招标要求37二十三、 总结39报告说明目前，中国大陆从事硅片生产的厂商主要有沪硅产业（上海新昇）、中环股份、立昂微（金瑞泓）、神工股份、中欣晶圆、超硅公司、奕斯伟等。从市场结构和应用方向上看，8英寸和12英寸硅片已成为半导体硅片的主流产品，目前，国内企业在8英寸和12英寸硅片供给率较低，12英寸产品主要依
3、赖进口，随着沪硅产业于2018年实现了300mm（12英寸）半导体硅片规模化生产并率先实现了300mm（12英寸）半导体硅片国产化，上述其他企业陆续实现了从8英寸到12英寸半导体硅片的突破。随着半导体市场的不断发展，不论材料端还是设备端，国产化需求亟待解决，国内市场发展潜力巨大。根据谨慎财务估算，项目总投资27962.45万元，其中：建设投资20876.79万元，占项目总投资的74.66%；建设期利息445.83万元，占项目总投资的1.59%；流动资金6639.83万元，占项目总投资的23.75%。项目正常运营每年营业收入55900.00万元，综合总成本费用45791.65万元，净利润7382
4、.51万元，财务内部收益率18.31%，财务净现值8185.92万元，全部投资回收期6.36年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。一、 项目名称及项目单位项目名称：晶体生长设备项目项目单位：xxx集团有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约45.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）
5、；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。（二）技术原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度，采取有效的环境保护措施，使生产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积30000.00约45.00亩1.1总建筑面积61370.571.2基底面积19200.001.3投资强度万元/亩445.092总投资万元27962.452.1建设投资万元2087
6、6.792.1.1工程费用万元17781.142.1.2其他费用万元2601.482.1.3预备费万元494.172.2建设期利息万元445.832.3流动资金万元6639.833资金筹措万元27962.453.1自筹资金万元18864.033.2银行贷款万元9098.424营业收入万元55900.00正常运营年份5总成本费用万元45791.656利润总额万元9843.357净利润万元7382.518所得税万元2460.849增值税万元2208.3410税金及附加万元265.0011纳税总额万元4934.1812工业增加值万元16884.5913盈亏平衡点万元22741.12产值14回收期年6
7、.3615内部收益率18.31%所得税后16财务净现值万元8185.92所得税后四、 主要结论及建议该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。二级标产业环境分析全市地区生产总值增长8%（预计数，下同）；规模以上工业增加值增长8.8%；固定资产投资增长10%；社会消费品零售总额增长10%；地方一般公共预算收入增长8%；全体居民人均可支配收入增长8.8%，高质量发展取得重大进展。今年是全面建成小康社会和“十三五”规划收官之年，长沙的未来机遇和挑战同在，
8、发展与风险并存。从机遇看，我国经济稳中向好、长期向好的基本趋势没有改变，国家坚持宏观政策要稳、微观政策要活、社会政策要托底的政策框架，逆周期调节力度不断加大，技术创新、减税降费等方面的政策支持将会叠加发。从挑战看，我国正处在转变发展方式、优化经济结构、转换增长动力的攻关期，结构性、体制性、周期性问题相互交织，受“三期叠加”、经济下行压力加大和三大攻坚战任务仍然艰巨等影响，长沙推动经济高质量发展与生态高水平保护的统筹需要持续加强，防范债务风险和稳定投资增长的矛盾需要重点破解，应对先进城市竞争与带动区域共同发展的关系需要协同推进。我们一定要保持定力、激发活力、创新动力、形成合力，积极应对各种风险挑
9、战，保持高质量发展良好势头，加快现代化长沙建设进程，努力展现省会城市更大担当、彰显幸福长沙更大作为。全市经济社会发展的主要目标是：地区生产总值增长8%左右；固定资产投资增长9%；规模以上工业增加值增长8.5%左右；社会消费品零售总额增长10%；地方一般公共预算收入增长6.5%；全体居民人均可支配收入增长8%；单位地区生产总值能耗下降2%，税收占财政收入比重、减排任务完成省定指标；城镇登记失业率控制在4%以内，居民消费价格指数103.5左右。当前时期是可以大有作为、必须奋发有为的重要战略机遇期，是实现弯道取直、后发赶超的最关键时期，是脱贫攻坚、同步小康的决胜时期。从国际国内看，和平与发展仍然是时
10、代主题，新一轮科技革命和产业变革蓄势待发，发展中国家群体力量继续增强，国际力量对比逐步趋向平衡；同时，国际金融危机深层次影响在相当长时期依然存在，全球经济贸易增长乏力，外部环境中不稳定不确定因素增多。全国物质基础雄厚、人力资本丰富、市场空间广阔、发展潜力巨大，经济发展方式正在加快转变，新的增长动力正在孕育形成，经济长期向好的基本面没有改变，同时也进入以速度变化、结构优化、动力转换为主要特点的新常态，面临着新的困难和挑战。综合分析，国内外大环境对我省发展总体有利；国家实施“一带一路”、长江经济带、区域协同发展等区域发展战略，为扩大国际国内开放合作创造了有利条件；国家实施大数据和网络强国等战略，为
11、我省弯道取直、后发赶超创造了宝贵契机；国家实施精准扶贫精准脱贫，为我省打好扶贫开发攻坚战提供了政策支撑；国家加快补齐发展短板，为缩小与全国差距带来了重要机遇；国家实施新一轮西部大开发战略，为完善现代基础设施、构建现代产业体系、发展社会事业等提供了良好条件。经过“十二五”时期持续快速发展，工业化、城镇化进入加速发展阶段，基础条件日益改善，发展环境不断优化，资源红利、生态红利、劳动力红利、政策红利、改革红利正在叠加释放，区域上下团结奋进、干事创业的激情空前高涨，这些积极因素为同步全面建成小康社会创造了有利条件。同时，也要清醒地看到，受国内外宏观经济环境的传导影响，一些长期积累的发展性矛盾、结构性矛
12、盾、体制性矛盾逐步显现出来，保持经济持续快速增长面临很大挑战。主要是：贫困人口多、贫困面大、贫困程度深，脱贫攻坚任务艰巨，全省90%以上的贫困人口、贫困乡镇和贫困村处于集中连片地区，都是难啃的“硬骨头”，要实现全部脱贫困难不小；经济下行压力仍然较大，企业盈利能力下降，市场预期不稳、信心不足，大企业投资意愿不强，中小企业经营困难，要保持经济持续快速增长、加快做大经济总量、提高人均水平、缩小与全国的差距难度增大；产业结构不合理、资源开发利用水平不高、经济发展方式粗放，转型升级步伐缓慢，大部分传统产业企业生产技术水平不高、核心竞争力不强，新兴企业规模普遍偏小，对经济增长的贡献有限，去库存、去产能、补
13、短板的任务非常繁重；实体经济特别是中小微企业融资难、融资贵问题普遍存在，加之劳动力、土地成本持续上升，物流成本居高不下，降成本的任务艰巨，政府债务率不断攀升，财政金融风险加大，去杠杆的压力不小；城乡发展差距大，区域发展不平衡，社会事业发展滞后，公共产品和公共服务供给不足，民生保障兜底还不牢，公共安全、生态环境、社会信用等方面仍存在不少问题和风险，改善民生和维护稳定任务依然艰巨；政府职能转变还不到位，一些干部能力和素质不高，不同程度存在着不作为、慢作为、乱作为、为政不廉等问题，提升能力、转变作风、惩治和预防腐败任务依然繁重。对这些问题，必须高度重视，切实加以解决。五、 半导体设备行业概况作为半导
14、体产业链的上游支撑产业，半导体设备通常决定了中游制造产业的品质及下游应用产业的广泛性。根据行业内“一代设备，一代工艺，一代产品”的经验，半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品，“设备工艺产品”互相促进，共同推动半导体产业的快速发展。半导体设备种类丰富，复杂精细程度较高，涉及多学科综合，具有技术壁垒高，制造难度大及研发投入高等特点，在一条制造先进半导体产品的生产线投资中，设备价值约占总投资规模的75%以上，故半导体设备是半导体行业的基础和核心。以集成电路为例，其制造过程可分为硅片制造、芯片设计、芯片制造及芯片封测等多个流程，各个流程均需使用特定
15、的设备，故其所对应的主要设备包括硅片设备、制造设备、封装设备和测试设备等。1、硅片设备在硅片制造环节，多晶硅在晶体生长设备中经过原料熔化、融入籽晶、旋转拉晶等前道工艺形成晶棒，再经过切磨抛设备、清洗设备和检测设备等对晶棒进行切片、打磨、抛光及清洗等后道工艺，最终形成用于半导体器件制造的硅片。晶体生长设备作为半导体产业链上游支撑产业的基础和起点，对硅片的品质及良率具有重大影响，故对设备的先进性、可靠性、稳定性和一致性提出了极高的要求。2、制造设备晶圆制造过程可分为氧化扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、清洗抛光及金属化等，主要涉及的生产设备包括氧化扩散炉、薄膜沉积设备、光刻机、刻蚀机、离子注入机、抛光机和清洗机等
