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1、CMOS工艺(gngy)器件结构演示文稿1页,共17页,星期日。优选CMOS工艺(gngy)器件结构2页,共17页,星期日。CMOS工艺(gngy)中常用的元器件MOSFET (hv or lv )PMOSNMOSNMOS_dnwNMOS_nativeRESISTORCAPACITANCEDIODEBIPOLARINDUCTOR3页,共17页,星期日。一、MOSFETNmos 版图版图(bnt)Nmos 剖面图剖面图lNMOSFET 版图版图(bnt)和结构和结构4页,共17页,星期日。一、MOSFETNmos _na版图版图(bnt)Nmos_na 剖面图剖面图lNMOS_NA 版图版图(b
2、nt)和结构和结构5页,共17页,星期日。一、MOSFETNmos_dnw 版图版图(bnt)Nmos_dnw 剖面图剖面图lNMOS_dnw 版图版图(bnt)和结和结构构6页,共17页,星期日。一、MOSFETPmos 版图版图(bnt)Pmos 剖面图剖面图lPMOSFET 版图版图(bnt)和结和结构构7页,共17页,星期日。二、RESISTORPoly resistor 版图版图(bnt)Poly resistor 剖面图剖面图lPoly resistor 版图版图(bnt)和和结构结构8页,共17页,星期日。二、RESISTORnwell resistor 版图版图(bnt)nwe
3、ll resistor 剖面图剖面图lnwell resistor 版图版图(bnt)和结构和结构9页,共17页,星期日。二、RESISTOR普通普通(ptng)poly resistor 版图版图扩散扩散(kusn)电阻版图电阻版图lOthers resistor版图和结构版图和结构10页,共17页,星期日。三、CAPACITANCEMIM cap 版图版图(bnt)lMIM版图版图(bnt)和结构和结构11页,共17页,星期日。三、CAPACITANCEMOM cap 版图版图(bnt)lMOM版图版图(bnt)和结构和结构12页,共17页,星期日。三、CAPACITANCEVAR cap
4、 版图版图(bnt)lVARACTOR版图版图(bnt)和结构和结构VAR cap 剖面图剖面图13页,共17页,星期日。三、CAPACITANCEMOS管做电容管做电容(dinrng)示意图示意图lMOS CAP版图版图(bnt)和结构和结构14页,共17页,星期日。四、DIODEDIODE 版图版图(bnt)lPSD/NWELL版图版图(bnt)和和结构结构DIODE 剖面图剖面图15页,共17页,星期日。四、DIODEDIODE 版图版图(bnt)lPSD/NWELL版图版图(bnt)和和结构结构DIODE 剖面图剖面图16页,共17页,星期日。五、BIPOLAR(BJT)l横向横向BJT(pnp)版图版图(bnt)和结和结构构DIODE 版图版图(bnt)及对应剖及对应剖面图面图17页,共17页,星期日。