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1、本文格式为Word版，下载可任意编辑版图设计期末复习 第一章 绪论 1、 什么是Scaling-down，它对集成电路的进展有什么重要作用？在器件按比例缩小过程中 需要遵守哪些规矩（CE，CV，QCE），这些规矩的概括实现方式 （1） 为了保证器件性能不变差，衬底掺杂浓度要相应增大。通过Scaling-down使集成 电路的集成度不断提高，电路速度也不断提高，因此Scaling-down是推动集成电路进展的重要理论。 （2） 在CE规矩中，全体几何尺寸，包括横向和纵向尺寸，都缩小k倍；衬底掺杂浓 度增大k倍；电源电压下降k倍。 （3） 在CV规矩中，全体几何尺寸都缩小k倍；电源电压保持不变；衬
2、底掺杂浓度增 大k2倍。 （4） 在QCE规矩中，器件尺寸k倍缩小，电源电压/k倍（1k）变化，衬底掺杂 浓度增大k倍 2、 什么是摩尔定律？ 集成电路容量每18个月增加一倍。 3、 什么是幅员设计？包含哪两个要素？ （1）幅员设计就是按照线路的要求和确定的工艺参数，设计出元件的图形并举行排列互连，以设计出一套供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形，称为幅员或工艺复合图 （2）确定功能的电路布局；确定的工艺规矩 4、集成电路全定制和半定制设计的过程，及识别 自动化技术：半定制，标准单元技术 手工技术：全定制，一般用于高性能数字电路或者模拟电路 其次章电路根基学识 1、管子的串并联，电阻模型分析
3、。 串联：两个宽长比为W/L的管子串联，若等价为一个管子，其宽长比为多少？ 并联：两个宽长比为W/L的管子并联，若等价为一个管子，其宽长比为多少？ 2、管子的尺寸标注 3、繁杂规律门的功能分析（写出规律表达式），或根据规律表达式，画出CMOS电路图 4、 传输门布局，原理 （1）由两个巩固型MOS管（一个P沟道，一个N沟道）组成。 （2）C=0，！C=1时，两个管子都夹断，传输门截止，不能传输数据。 （3）C=1，！C=0时，传输门导通。 （4）双向传输门：数据可以从左边传输到右边，也可以从右边传输到左边，因此是一个双向传输门。 5、CMOS电路中，NMOS和PMOS管子的宽长比，对输出特性的
4、影响。例如：对于CMOS反相器，若要获得对称的输出特性，两个管子应如何设计？若NMOS和PMOS管子的宽长比一致，那么上升和下降时间之间有什么关系。 第三章半导体制造工艺 1、当掺杂的杂质浓度增高时，电阻率会随着浓度增高快速降低吗？ 与温度有关：杂质需要完全电离；掺杂半导体中载流子的迁移率会随杂质浓度增加而显著下降 2、 集成电路单道工艺通常包含哪几类？ （1）薄膜制备工艺：包括外延生长、氧化工艺、薄膜淀积工艺，如制造金属、绝缘层等。 （2）图形转移工艺：包括光刻工艺和刻蚀工艺。 （3）掺杂工艺：包括分散工艺和离子注入工艺。 3、 什么是制版？ 光刻掩膜版就是将电路幅员的各个层分别转移到一种涂
5、有感光材料的优质玻璃上，为将来再转移到晶圆做打定，这就是制版 4、 根据给定的光刻胶类型（正胶或负胶），以及需要转移的图形外形，画出需要的掩膜版。 5、多晶硅的刻蚀需要哪几步？ 预刻蚀、主刻蚀、过刻蚀 6、什么是光刻？什么是刻蚀？ 光刻：将图形转移到笼罩在半导体硅片外观的光刻胶 刻蚀：将图形转移到光刻胶下面组成器件的各层薄膜上 7、哪一种刻蚀方法轻易产生横向钻蚀？ 湿法刻蚀 8、常用的掺杂工艺有哪两种？二者相比，优势工艺表达在哪些方面？ （1）主要的掺杂工艺：分散和离子注入 （2）分散：根据分散的原理，使杂质从高浓度处向低浓度处分散。两个要素：高温柔浓度梯度，用于结较深，线条较粗的器件 （3）
6、离子注入：与分散比，离子注入技术具有加工温度低、大面积注入杂质仍能保证平匀、掺杂种类广泛等优点，用于浅结与细线条图形 9、什么是方块电阻？与电阻值的关系（用公式表示）？ 1/g用R表示，称为方块电阻 第四章幅员设计根基 1、绘图层和研磨层之间存在什么关系？ 研磨层来自绘图层，要比绘图层多n:1 2、会画MOS管幅员（四端）和尺寸标注 3、接触孔和通孔的识别 接触孔特指最低层金属孔，用于将最低层金属和多晶硅或者分散层连接起来。 而通孔那么是指允许更高层金属举行相互连接的孔 4、什么是幅员设计规矩？制定的目的是什么？ 设计规矩：考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平和成品率要求，给出的一组同
7、一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的展现 目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，制止线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率 5、 幅员设计规矩包括哪两种？各自优缺点？ （1）?设计规矩或规整格式设计规矩 优点：幅员设计独立于工艺和实际尺寸 缺点：与工艺线所具有的工艺辨识率有关，线宽偏离梦想特征尺寸的上限以及掩膜版之 间的最大套准偏差 （2）微米设计规矩，又称自由格式规矩 优点：由于各尺寸可相对独立地选择，所以可把尺寸定得合理 缺点：对于一个设计级别，就要有一整套数字，因而显得烦琐 6、幅员设计规矩，填表。 7
8、、分析芯片设计结果图，分析是由于违反了哪种设计规矩。 8、识幅员：根据幅员，给出规律表达式（管子的串并联）。 9、幅员验证包括哪些？各个概念。DRC ERC LVS 第五章数字电路幅员设计 1、驱动才能的设计原那么 在确保驱动的前提下，尽量选择小的器件 2、在标准单元技术中，如何兼顾局部优化和全局优化？ 对每个规律门都举行特意设计，即获得局部优化；在互连过程中，应用软件工具，实现全局优化。 3、标准单元库需要哪三方面的内容？分别在集成电路设计流程的哪一步使用？ （1）规律单元符号库与功能单元库； （2）拓扑单元库； （3）幅员单元库。 4、幅员单元的特点有哪些？（宽度，高度，电源、地线，输入/
9、输出端） （1）各幅员单元可以有不同的宽度，但务必有一致的高度。 （2）单元的电源线和地线通常安置在单元的上下端，从单元的左右两侧同时出线，电源、地线两侧的位置要一致，线的宽度要一致，以便单元电源、地线的对接。 （3）单元的输入/ 输出端通常安置在电源和地线垂直的位置 5、输入单元主要考虑（养护）功能，输出单元除了考虑其（驱动）才能之外，还要具有确定的（功能）。 6、什么是ESD（Electrostatic discharge），静电放电，为什么CMOS集成电路要考虑ESD养护问题？ 由于薄栅氧化层的击穿电压较低，务必参与有效的在片ESD养护电路以箝位加到内部电路栅氧上的过冲电压 7、采用漏端
10、开路布局实现规律与。 第六章模拟电路幅员设计 1、与数字电路幅员设计相比，模拟电路幅员设计更提防（性能）。 2、模拟电路幅员设计需要考虑的寄生效应包括哪些？ 寄生电容、寄生电阻、寄生电感 3、裁减寄生电容的设计方法包括哪些？ （1）让那一片面布线寄生参数小的导线尽量短，以裁减重叠 （2）选择远离衬底的金属层走线 （3）在布线时最好绕过电路模块，而不是仅仅简朴的在它上面走线。理应让敏感的信号远离 4、在幅员设计中，可以利用寄生参数吗？为什么？ 5、模拟集成电路中的匹配技术有哪些？（靠近、周边环境、方向、电路功能、根器件、指状交错、虚设器件、四方交错、寄生参数匹配） 测验考试： 画幅员：给定库名称，单元名称，设计规矩，画出幅员，写主要步骤。 常用快捷键名称和作用 8
