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1、泓域咨询/丹东光伏靶材项目实施方案目录第一章 市场预测8一、 供给：薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，国内光伏靶材亦多处于起步阶段8二、 国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲9第二章 项目背景分析12一、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展12二、 全球光伏靶材市场规模预测15三、 全力以赴稳外贸15第三章 项目承办单位基本情况17一、 公司基本信息17二、 公司简介17三、 公司竞争优势18四、 公司主要财务数据20公司合并资产负债表主要数据20公司合并利润表主要数据21五、 核心人员介绍21六、 经营宗旨22七、 公司发展规划23第四章 项目基本情况25一、
2、 项目名称及项目单位25二、 项目建设地点25三、 可行性研究范围25四、 编制依据和技术原则25五、 建设背景、规模27六、 项目建设进度28七、 环境影响28八、 建设投资估算28九、 项目主要技术经济指标29主要经济指标一览表29十、 主要结论及建议31第五章 产品方案32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表32第六章 建筑工程技术方案34一、 项目工程设计总体要求34二、 建设方案36三、 建筑工程建设指标37建筑工程投资一览表37第七章 运营模式分析39一、 公司经营宗旨39二、 公司的目标、主要职责39三、 各部门职责及权限40四、 财
3、务会计制度43第八章 SWOT分析51一、 优势分析（S）51二、 劣势分析（W）53三、 机会分析（O）53四、 威胁分析（T）54第九章 法人治理58一、 股东权利及义务58二、 董事62三、 高级管理人员68四、 监事70第十章 组织机构管理72一、 人力资源配置72劳动定员一览表72二、 员工技能培训72第十一章 项目环境影响分析74一、 编制依据74二、 环境影响合理性分析74三、 建设期大气环境影响分析76四、 建设期水环境影响分析79五、 建设期固体废弃物环境影响分析79六、 建设期声环境影响分析79七、 建设期生态环境影响分析80八、 清洁生产81九、 环境管理分析82十、 环
4、境影响结论86十一、 环境影响建议86第十二章 原辅材料供应、成品管理87一、 项目建设期原辅材料供应情况87二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理87第十三章 项目节能方案89一、 项目节能概述89二、 能源消费种类和数量分析90能耗分析一览表90三、 项目节能措施91四、 节能综合评价92第十四章 投资方案分析93一、 编制说明93二、 建设投资93建筑工程投资一览表94主要设备购置一览表95建设投资估算表96三、 建设期利息97建设期利息估算表97固定资产投资估算表98四、 流动资金99流动资金估算表100五、 项目总投资101总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投
5、资计划与资金筹措一览表102第十五章 项目经济效益分析104一、 基本假设及基础参数选取104二、 经济评价财务测算104营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表106利润及利润分配表108三、 项目盈利能力分析108项目投资现金流量表110四、 财务生存能力分析111五、 偿债能力分析112借款还本付息计划表113六、 经济评价结论113第十六章 招标方案115一、 项目招标依据115二、 项目招标范围115三、 招标要求115四、 招标组织方式116五、 招标信息发布116第十七章 总结评价说明117第十八章 附表附件119营业收入、税金及附加和增值税估算表119综合总
6、成本费用估算表119固定资产折旧费估算表120无形资产和其他资产摊销估算表121利润及利润分配表122项目投资现金流量表123借款还本付息计划表124建设投资估算表125建设投资估算表125建设期利息估算表126固定资产投资估算表127流动资金估算表128总投资及构成一览表129项目投资计划与资金筹措一览表130本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 市场预测一、 供给：薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，国内光伏靶材亦多处
7、于起步阶段国外头部企业一直在增强自身对太阳能电池的开发与供应。JX日矿金属与爱发科等在行业内处于领先位置。如如JX日矿金属目前已拥有了用于形成CIGS薄膜太阳能电池吸收层的In靶材（4N）和CuGa靶材（3N5N）。爱发科在太阳能电池靶材方面也在不断加强产能建设，据2017年爱发科电子材料（苏州）有限公司靶材生产技术改造项目环境影响报告表数据显示，技改后爱发科（苏州）共拥有半导体及太阳能电池靶材产能1200枚/年。国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，相关企业也较少，多处于起步阶段，其中先导稀材、江丰电子等产能规模相对较大。由于我国薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，相关上游生产企业也较少，目前
8、国内企业中涉及太阳能电池靶材生产的企业主要有江丰电子、先导稀材、四丰电子、新疆众合等企业，其中江丰电子2020年太阳能电池靶材营收仅为0.216亿元，占比1.85%，毛利率为13.76%，由于太阳能电池靶材要求较低，因此毛利率较其他产品也较低。此外新疆众合的铝靶、四丰电子的非靶材类钨、钼制品也广泛应用于光伏太阳能行业。先导稀材子公司先导薄膜材料在清远拥有新型显示及HIT异质结太阳能用靶材160吨，在合肥具有750吨太阳能靶材产能。此外由于HIT电池用ITO靶材与面板用技术互通，隆华科技等部分显示面板靶材企业也已开始布局相关产业龙头。如隆华科技司已向HIT电池龙头隆基送样并开展联合测试开发项目，
9、目前已经通过隆基认证，与下游企业的紧密合作也将助力公司光伏用ITO靶材业务的高速增长，确立先发优势，高筑行业壁垒。二、 国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来，靶材是制备功能薄膜的核心原材料，主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域，实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元，我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看，四家日美巨头占据80%靶材市场，国内溅射靶材主要应用于中低端产品，国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代，技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，
10、纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移，预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元，21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展，其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面，日美厂商约占90%份额，但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破，同时产能也在不断扩张，预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代，我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺，可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等，纯度和技术要求仅次于半导体，一般在
11、4N甚至5N以上，但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升，预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元，21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看，我国显示面板靶材高度依赖进口，日企在国内市场仍然占据主导地位，国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主，国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启，靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池，纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展，预计25年我国市场规模将接近38亿美元，21-25年CAGR为56.1
12、%。供给方面，由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小，相关靶材企业也较少，多处起步阶段，其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大，此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作，常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主，中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低，且记录媒体研发重心主要在半导体存储，预计传统机械键盘成长空间有限，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求
13、增量较大。第二章 项目背景分析一、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,，对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关，随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步，溅射靶材也需要随之变化，随着半导体技术的不断发展，集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变，此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需
14、求，对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高，这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1：大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于8英寸晶圆而言，12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2：多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材，其中铝与铜为两大主流导线工艺。
15、目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺，一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线，110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用，常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料，钽靶则配合铜靶使用，作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上，从全球晶圆厂产能建设情况来看，12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。据SEMI数据显示，如今12英寸晶圆约占64%，8英寸晶圆占比达26%，其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依
