榆林存储设备项目可行性研究报告

上传人:泓域M****机构 文档编号:280263271 上传时间:2022-04-21 格式:DOCX 页数:132 大小:125.37KB
返回 下载 相关 举报
榆林存储设备项目可行性研究报告_第1页
第1页 / 共132页
榆林存储设备项目可行性研究报告_第2页
第2页 / 共132页
榆林存储设备项目可行性研究报告_第3页
第3页 / 共132页
榆林存储设备项目可行性研究报告_第4页
第4页 / 共132页
榆林存储设备项目可行性研究报告_第5页
第5页 / 共132页
点击查看更多>>
资源描述

《榆林存储设备项目可行性研究报告》由会员分享,可在线阅读,更多相关《榆林存储设备项目可行性研究报告(132页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、泓域咨询/榆林存储设备项目可行性研究报告报告说明RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储,进一步分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。动态随机存取存储器(DRAM)需要在维持通电的同时,通过周期性刷新来维持数据,故称“动态”存储器。DRAM结构简单,因此单位面积的存储密度显著高于SRAM,但访问速度慢于SRAM;此外,由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据,因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器,主要用作CPU处理数据的临时存储装置,广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。根据谨慎财务估算,项目总投资35651.48万元,其

2、中:建设投资29663.01万元,占项目总投资的83.20%;建设期利息433.96万元,占项目总投资的1.22%;流动资金5554.51万元,占项目总投资的15.58%。项目正常运营每年营业收入66900.00万元,综合总成本费用56907.10万元,净利润7286.14万元,财务内部收益率14.86%,财务净现值2725.34万元,全部投资回收期6.34年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟

3、可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 项目建设背景、必要性8一、 半导体存储产业链特征8二、 半导体存储器简介9三、 行业发展面临的机遇与挑战11四、 狠抓项目促投资13五、 项目实施的必要性14第二章 行业、市场分析16一、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线16二、 全球半导体存储产业概况18三、 行业发展现状及未来发展趋势20第三章 项目投资主体概况22一、 公司基本信息

4、22二、 公司简介22三、 公司竞争优势23四、 公司主要财务数据25公司合并资产负债表主要数据25公司合并利润表主要数据25五、 核心人员介绍26六、 经营宗旨27七、 公司发展规划28第四章 总论34一、 项目名称及建设性质34二、 项目承办单位34三、 项目定位及建设理由35四、 报告编制说明36五、 项目建设选址38六、 项目生产规模38七、 建筑物建设规模38八、 环境影响39九、 项目总投资及资金构成39十、 资金筹措方案40十一、 项目预期经济效益规划目标40十二、 项目建设进度规划40主要经济指标一览表41第五章 建设方案与产品规划43一、 建设规模及主要建设内容43二、 产品

5、规划方案及生产纲领43产品规划方案一览表43第六章 项目选址方案45一、 项目选址原则45二、 建设区基本情况45三、 精准施策稳实体48四、 项目选址综合评价49第七章 运营模式分析50一、 公司经营宗旨50二、 公司的目标、主要职责50三、 各部门职责及权限51四、 财务会计制度55第八章 发展规划分析58一、 公司发展规划58二、 保障措施64第九章 法人治理66一、 股东权利及义务66二、 董事68三、 高级管理人员73四、 监事75第十章 技术方案77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析79三、 质量管理80四、 设备选型方案81主要设备购置一览表82第十一章 节能方案说

6、明83一、 项目节能概述83二、 能源消费种类和数量分析84能耗分析一览表85三、 项目节能措施85四、 节能综合评价86第十二章 人力资源配置分析87一、 人力资源配置87劳动定员一览表87二、 员工技能培训87第十三章 投资方案89一、 投资估算的依据和说明89二、 建设投资估算90建设投资估算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表92四、 流动资金94流动资金估算表94五、 总投资95总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计划96项目投资计划与资金筹措一览表97第十四章 经济收益分析98一、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表99固定资

7、产折旧费估算表100无形资产和其他资产摊销估算表101利润及利润分配表103二、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105三、 偿债能力分析106借款还本付息计划表107第十五章 项目招投标方案109一、 项目招标依据109二、 项目招标范围109三、 招标要求109四、 招标组织方式112五、 招标信息发布112第十六章 风险评估分析113一、 项目风险分析113二、 项目风险对策115第十七章 总结118第十八章 附表121建设投资估算表121建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附

8、加和增值税估算表126综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表129利润及利润分配表129项目投资现金流量表130第一章 项目建设背景、必要性一、 半导体存储产业链特征半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从1990年代起,受降低成本和提升效率等要素驱动,原来主流的IDM(设计-制造垂直整合)模式向产业链分工模式切换,Fabless(设计)、Foundry(制造)、Test(测试)各环节开始独立,产业链纵向分化;而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密,半导体存储主要晶圆厂仍采用IDM模式经营。同时,半导体存储器核心功能即

9、为数据存储,存储晶圆标准化程度高,应用场景所需的功能则在NANDFlash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后,仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征,部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透,同时独立的存储器供应商(含品牌商)应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆制程,在产品应用领域,囿于产品化成本等要素限制,原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户(如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户)。存储原厂的目标市场之外,仍存在极为广泛的应用场景和市场需求,包括细分行业存储

10、需求(如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等)以及主流应用市场中小客户的需求。存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求,进行晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等,将标准化存储晶圆转化为存储产品,扩展了半导体存储器的应用场景,提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性,推动实现存储晶圆的产品化,是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉,推动存储产品企业塑造自身的品牌形象,进而巩固其市场地位并改善利润空间,推动其增加研发投入,形成良性循环。二、 半导体存储器简介存储

11、器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件,半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储,存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放,半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器(RAM)。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写,因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储,进一步分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。动态随机存取存储器(DRAM)需要在维持通电的同时,通过周期性刷新来维持数据,故称“动态”

12、存储器。DRAM结构简单,因此单位面积的存储密度显著高于SRAM,但访问速度慢于SRAM;此外,由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据,因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器,主要用作CPU处理数据的临时存储装置,广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易失性存储非易失性存储主要指只读存储器(ROM),无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来,以非破坏性读出方式工作,只能读出而无法修改或再次写入信息,故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展,经过掩膜只读存储器(MaskROM)、可编程只读存储器(PROM)、可

13、编程可擦除只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flash)等阶段,已经突破原有的“只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管,存储密度远高于其他ROM;在正常使用情况下,Flash所存的电荷(数据)可长期保存;同时,NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案,是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行(e

14、XecuteInPlace,XIP),即应用程序可直接在Flash内运行,而不必再读到系统RAM中;但NORFlash写入和擦除速度慢,因此不适宜作为大容量存储器,仅在小容量场景具有成本效益。三、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇(1)国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来,为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展,国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策,国家层面也设立相应产业投资基金,给行业注入新动力。(2)下游应用行业蓬勃发展,国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展

15、主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施,下游制造业的升级换代进程加快,其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势,直接推动存储器产业链的持续扩张,有利于维持存储器行业需求端的规模增长。(3)存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展,全球集成电路行业经历了向中国转移的过程,中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下,存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线,下游晶圆加工工艺持续改进,国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平,为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。(4)信创产业助力存储行业发展近年来,国家大力推动信创产业发展,从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件,再到整

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 商业/管理/HR > 管理学资料

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号