三亚平板显示靶材项目投资计划书_范文

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1、泓域咨询/三亚平板显示靶材项目投资计划书目录第一章 背景、必要性分析8一、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲8二、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展10三、 打造一流营商环境13四、 项目实施的必要性14第二章 市场预测15一、 显示面板靶材市场规模预测15二、 供给:日企占据国内市场主导地位,国产替代逐渐提速15第三章 绪论21一、 项目名称及建设性质21二、 项目承办单位21三、 项目定位及建设理由22四、 报告编制说明23五、 项目建设选址25六、 项目生产规模26七、 建筑物建设规模26八、 环境影响26九、 项目总投资及资金构成26十、 资金筹措

2、方案27十一、 项目预期经济效益规划目标27十二、 项目建设进度规划28主要经济指标一览表28第四章 项目选址31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 创新开展招商引资33四、 有序落实以贸易投资自由便利为重点的制度安排34五、 项目选址综合评价34第五章 建筑技术方案说明36一、 项目工程设计总体要求36二、 建设方案37三、 建筑工程建设指标38建筑工程投资一览表38第六章 发展规划40一、 公司发展规划40二、 保障措施44第七章 SWOT分析47一、 优势分析(S)47二、 劣势分析(W)49三、 机会分析(O)49四、 威胁分析(T)50第八章 人力资源配置分析56一、

3、 人力资源配置56劳动定员一览表56二、 员工技能培训56第九章 进度计划59一、 项目进度安排59项目实施进度计划一览表59二、 项目实施保障措施60第十章 原辅材料及成品分析61一、 项目建设期原辅材料供应情况61二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理61第十一章 项目环保分析62一、 编制依据62二、 建设期大气环境影响分析63三、 建设期水环境影响分析67四、 建设期固体废弃物环境影响分析68五、 建设期声环境影响分析68六、 环境管理分析69七、 结论71八、 建议71第十二章 劳动安全生产73一、 编制依据73二、 防范措施74三、 预期效果评价78第十三章 投资计划80一、 投资

4、估算的编制说明80二、 建设投资估算80建设投资估算表82三、 建设期利息82建设期利息估算表83四、 流动资金84流动资金估算表84五、 项目总投资85总投资及构成一览表85六、 资金筹措与投资计划86项目投资计划与资金筹措一览表87第十四章 经济效益89一、 经济评价财务测算89营业收入、税金及附加和增值税估算表89综合总成本费用估算表90固定资产折旧费估算表91无形资产和其他资产摊销估算表92利润及利润分配表94二、 项目盈利能力分析94项目投资现金流量表96三、 偿债能力分析97借款还本付息计划表98第十五章 项目风险防范分析100一、 项目风险分析100二、 项目风险对策102第十六

5、章 项目招标、投标分析104一、 项目招标依据104二、 项目招标范围104三、 招标要求104四、 招标组织方式107五、 招标信息发布110第十七章 总结分析111第十八章 附表附件113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表113固定资产折旧费估算表114无形资产和其他资产摊销估算表115利润及利润分配表116项目投资现金流量表117借款还本付息计划表118建设投资估算表119建设投资估算表119建设期利息估算表120固定资产投资估算表121流动资金估算表122总投资及构成一览表123项目投资计划与资金筹措一览表124报告说明钼铌10合金靶。西部材料下属西安瑞福莱钨

6、钼有限公司和爱发科公司合作,经多次试验攻关,已于2017年成功轧制出了氧含量小于1000106,致密度达99.3%的Mo-Nb合金靶坯。此外金钼集团也已实现高纯大尺寸钼铌管状靶材顺利交付,攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题,掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。经第三方机构检测,制备出的钼铌合金靶材各项指标达到要求。在此基础上,项目组又承接了用户管状靶材的订购需求,顺利交付了3套高纯大尺寸钼铌合金管状靶材,且品质优良。钼铌合金管状靶材直径大于150毫米、长度达到2100毫米,纯度可达99.99%,氧含量小于500ppm。根据谨慎财务估算,项目总投资33727.98万元,其中:建设

7、投资28259.26万元,占项目总投资的83.79%;建设期利息328.26万元,占项目总投资的0.97%;流动资金5140.46万元,占项目总投资的15.24%。项目正常运营每年营业收入63600.00万元,综合总成本费用53781.95万元,净利润7153.62万元,财务内部收益率14.57%,财务净现值5390.27万元,全部投资回收期6.40年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理,原材料国内市场供应充足,生产规模适宜,产品质量可靠,产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著,抗风险能力强,盈利能力强。综上所述,本项

8、目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 背景、必要性分析一、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元,我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产

9、替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元,21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用

10、靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在4N甚至5N以上,但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元,21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池,纯度一般在4N以上。随着HIT电池

11、和薄膜电池的发展,预计25年我国市场规模将接近38亿美元,21-25年CAGR为56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长

12、空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。二、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推

13、进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于8英寸晶圆而言,12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶

14、材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提

15、高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据SEMI数据显示,如今12英寸晶圆约占64%,8英寸晶圆占比达26%,其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。

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