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1、泓域咨询/宜昌靶材项目申请报告目录第一章 市场分析9一、 应用趋势：预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔9二、 靶材在半导体中的应用12三、 国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲13第二章 项目背景分析16一、 金属靶材薄膜制备核心材料，磁溅技术发展带动需求提升16二、 中国光伏电池靶材市场规模预测17三、 积极融入新发展格局统筹国际国内两种资源、两个市场，坚定实施扩大内需战略，促进生产、分配、流通、消费各环节良性循环，建设更高水平开放型经济新体制，打造融入双向循环的关节点和中西部对外开放桥头堡。18四、 加快构建现代产业体系，增强经济核心竞争力21第三章 项目概况25一、 项目名称及项
2、目单位25二、 项目建设地点25三、 可行性研究范围25四、 编制依据和技术原则26五、 建设背景、规模27六、 项目建设进度28七、 环境影响28八、 建设投资估算28九、 项目主要技术经济指标29主要经济指标一览表29十、 主要结论及建议31第四章 建筑技术分析32一、 项目工程设计总体要求32二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标37建筑工程投资一览表38第五章 建设方案与产品规划40一、 建设规模及主要建设内容40二、 产品规划方案及生产纲领40产品规划方案一览表42第六章 法人治理44一、 股东权利及义务44二、 董事49三、 高级管理人员53四、 监事55第七章 运营管理模式57
3、一、 公司经营宗旨57二、 公司的目标、主要职责57三、 各部门职责及权限58四、 财务会计制度61第八章 发展规划分析65一、 公司发展规划65二、 保障措施66第九章 劳动安全评价69一、 编制依据69二、 防范措施72三、 预期效果评价76第十章 工艺技术分析77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析79三、 质量管理81四、 设备选型方案82主要设备购置一览表83第十一章 项目进度计划84一、 项目进度安排84项目实施进度计划一览表84二、 项目实施保障措施85第十二章 组织机构及人力资源86一、 人力资源配置86劳动定员一览表86二、 员工技能培训86第十三章 项目投资分析
4、88一、 编制说明88二、 建设投资88建筑工程投资一览表89主要设备购置一览表90建设投资估算表91三、 建设期利息92建设期利息估算表92固定资产投资估算表93四、 流动资金94流动资金估算表95五、 项目总投资96总投资及构成一览表96六、 资金筹措与投资计划97项目投资计划与资金筹措一览表97第十四章 项目经济效益评价99一、 基本假设及基础参数选取99二、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表101利润及利润分配表103三、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105四、 财务生存能力分析106五、 偿债能力分析107借款还本付息计划表1
5、08六、 经济评价结论108第十五章 项目风险防范分析110一、 项目风险分析110二、 项目风险对策112第十六章 招标及投资方案114一、 项目招标依据114二、 项目招标范围114三、 招标要求115四、 招标组织方式115五、 招标信息发布115第十七章 总结116第十八章 附表118营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表118固定资产折旧费估算表119无形资产和其他资产摊销估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表123建设投资估算表124建设投资估算表124建设期利息估算表125固定资产投资估算表126流动资金估算表127总投
6、资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129报告说明面板ITO靶材：预计整体需求相对稳定，但高端ITO靶材国产替代需求强劲。ITO靶材技术难壁垒高，长期以来一直被外商高度垄断，国产化进展十分缓慢。目前中国ITO靶材供应超一半左右依赖进口。本土厂商生产的ITO靶材主要供应中低端市场；而高端TFT-LCD、触摸屏用ITO等靶材几乎全部从日本、韩国进口。据ResearchInChina数据显示，2018中国ITO靶材需求已超过1000吨。但其中一半仍需进口，其中多为高端ITO靶材，本土企业实现进口替代的空间很大。但考虑到OLED产业对于ITO靶材需求相对较小，预计未来面板用ITO靶材市场将
7、维持相对稳定。光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池（本征薄膜异质结电池），目前市场主流的晶体硅太阳能电池较少用到溅射靶材。太阳能电池主要包括晶硅电池和薄膜电池两大类，但目前市场主流的晶体硅太阳能电池不用溅射靶材，光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池。其中自2015年三洋的HIT专利保护结束后，技术壁垒消除，HIT电池电池开始推广，近年来发展迅速。薄膜电池近年来在美国也受到了政策的大力鼓励。光伏电池用靶材形成背电极，靶材溅射镀膜形成的太阳能薄膜电池的背电级主要有三个用途：第一，它是各单体电池的负极；第二，它是各自电池串联的导电通道；第三，它可以增加太阳能电池对光的反射
8、。目前太阳能薄膜电池用溅射靶材主要为方形板状，纯度要求一般在99.99%（4N）以上。其中薄膜电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等，HIT电池则主要使用ITO靶材作为其透明导电薄膜。铝靶、铜靶主要用于导电层薄膜，钼靶、铬靶用于阻挡层薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明导电层薄膜。根据谨慎财务估算，项目总投资13025.55万元，其中：建设投资10096.65万元，占项目总投资的77.51%；建设期利息129.87万元，占项目总投资的1.00%；流动资金2799.03万元，占项目总投资的21.49%。项目正常运营每年营业收入23600.00万元，综合总
9、成本费用19563.74万元，净利润2945.06万元，财务内部收益率16.09%，财务净现值2890.68万元，全部投资回收期6.26年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 市场分析一、 应用趋势：预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔显示面
10、板用靶材的发展趋势是：大尺寸、低电阻、高纯度、高密度化，高效率化。平板显示器对于溅射靶材的纯度和技术要求仅次于半导体，一般在4N甚至5N（99.999%）以上。在溅射靶材应用领域中，半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等最为严苛。相较于半导体芯片，平板显示器对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹，但随着靶材尺寸的增大，对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。钼溅射靶材作为OLED显示屏中的关键核心原材料，预计未来会有较快幅度的增长，据DSCC测算，到2025年，中国大陆的Gen6OLED产线将消耗约248Ton高纯Mo。钼靶及其合计靶材作为OLED阴极常用材料，通常来看
11、是OLED屏幕使用最多的靶材原料，2019年之前，钼溅射靶材由国外供应商独家供应，国产化率极低，钼靶原材料的瓶颈也阻碍这我国OLED显示行业的发展。但近年来，金钼股份等国内企业已突破了钼溅射靶材行业壁垒。如2020年，金钼股份通过自主进行工装技术设计、改造，先后攻克了超宽幅钼靶所用钼板坯的规格设计、钼基板板型控制、大规格板坯机加工精度控制等技术难题，成功制备出宽1800mm，长度2300mm的G6代钼靶材，产品各项指标已经达到国际先进水平，成功将G6代钼整靶推向全球最先进的OLED生产线使用，如三星、京东方。且公司主要产品已经量产，并具有超大（宽幅1800mm，单重超600Kg）、超纯（Mo9
12、9.97%）、超细晶粒等特点，制备难度大，精度要求高。据悉2019年金钼股份钼靶材产品销售同比增长222%，跻身成为三星全球第二大供应商。2020年钼靶材产品销量同比增加47%。预计随着OLED的快速崛起，钼靶未来将保持较高增长。参考DSCC数据，预计2025年，中国大陆的Gen6OLED产线大约需要消耗46Ton的Al和248Ton高纯Mo。其中京东方、深天马和华星大致会消耗总量的37%、20%和17%。此外，得益于优异的电学性能，铜靶将在显示屏生产得到广泛运用，据DSCC测算，中国大陆Gen10.5工厂对高纯Cu的需求会从2021年599吨，逐步增加到2025年的976吨。G8.5+产线对
13、高纯Cu的需求将会超过8000吨。据悉，为满足超高清电视性能需要和未来4K、8K产业规划，现在国内所有的Gen10.5代产线均已采取铜制程。同时，也为了进一步增加高端IT产品的刷新率和分辨率，一些较小的产线也逐步开始进行Cu制程的改建，不少Gen8.5和Gen8.5代线也在逐渐的全部或者部分转向Cu制程。预计到2025年，所有G8.5+的产线均会采用Cu制程。随着Cu制程的进一步推广，显示面板厂对Cu的需求和依赖也会进一步推高。根据DSCC测算，中国大陆Gen10.5工厂对高纯Cu的需求将会从2021年599吨，逐步增加到2025年的976吨。若考虑到G8.5+产线，预计中国大陆G8.5+产线
14、每年对高纯Cu的需求会超过8000吨与Al不同，Cu的氧化物不能形成致密保护膜，耐腐蚀较差且扩散性较强，所以在采取Cu工艺时，一般会用Mo和Ti进行保护。据DSCC测算，假设Gen10.5代线均以Ti来保护Cu线，则在2025年大致一年会消耗38吨的高纯Ti。若考虑到G8.5+产线，假设在2025年，G8.5+的产线一半采用Mo，而一般采用Ti，则在2025年，大约需要消耗640吨高纯Mo，372吨高纯Ti。面板ITO靶材：预计整体需求相对稳定，但高端ITO靶材国产替代需求强劲。ITO靶材技术难壁垒高，长期以来一直被外商高度垄断，国产化进展十分缓慢。目前中国ITO靶材供应超一半左右依赖进口。本
15、土厂商生产的ITO靶材主要供应中低端市场；而高端TFT-LCD、触摸屏用ITO等靶材几乎全部从日本、韩国进口。据ResearchInChina数据显示，2018中国ITO靶材需求已超过1000吨。但其中一半仍需进口，其中多为高端ITO靶材，本土企业实现进口替代的空间很大。但考虑到OLED产业对于ITO靶材需求相对较小，预计未来面板用ITO靶材市场将维持相对稳定。二、 靶材在半导体中的应用半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。半导体芯片的制作过程可分为芯片设计、晶圆制造、芯片封装和芯片测试四大环节，其中，在晶圆制造和芯片封装这两个环节中都需要用到金属溅射靶材。其中，靶材在晶圆制造环节主要被用作金属溅镀，常采用PVD工艺进行镀膜，通常使用纯度在5N5及以上的铜靶、铝靶、钽靶、钛靶以及部分合金靶等；靶材在
