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1、. .南昌大学本科生毕业设计论文书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。二、目录：“目录两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开场，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III)编排，从正文第一章开场按照阿拉伯数字1，2，3编排。四、摘要1 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师五号宋体，“摘要两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词三字小四号宋体加粗，2 英文摘要：标题小二号Ti
2、mes New Roman 体加粗，“Abstract 四号Times New Roman 体；“Abstract 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword小四号Times New Roman 体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。八、致谢：“致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下： 密级： 校名标识cm1.886.59，居中校名外文大写Times New Roman，四号，居中 NANCHANG UN
3、IVERSITYTimes New Roman，四号，居中宋体，30磅，居中 学 士 学 位 论 文 THESIS OF BACHELOR中文：宋体；数字：Times New Roman四号，居中20 20 年宋体，四号，居右页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉1.5cm,页脚1.75cm ,1.35倍行距，应用于整篇文档校徽标识cm3.333.33，居中宋体，三号，居中题 目 宋体，四号，居中注意线条长度一致学 院： 系 专业班级： 学生姓名： 学号： 指导教师： 职称： 起讫日期： . v . .此页可直接下载南 昌 大 学学士学位论文原创性申明本
4、人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进展研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出重要奉献的个人和集体，均已在文中以明确方式说明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承当。作者签名： 日期：学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保存、使用学位论文的规定，同意学校保存并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或局部内容编入有关数据库进展检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密，在 年解密后适用本授权书
5、。本学位论文属于 不保密。请在以上相应方框内打“作者签名： 日期：导师签名： 日期：. v . .页眉：中文宋体，五号，居中宋体，小二号，居中III-族氮化物及其高亮度蓝光宋体，五号，对齐居中LED外延片的MOCVD生长和性质研究专 业： 学 号：学生姓名： 指导教师： 标题：宋体，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：中文宋体，外文字符Times New Roman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“关键词三字加粗，关键词用“；分隔 摘要宽禁带III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工
6、业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III族氮化物的生长机理进展了研究，对材料的性能进展了表征。通过设计并优化外延片多层构造，生长的蓝光LED外延片质量到达了目前国
7、际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863方案、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心工程的资助。关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 . v . .页眉：外文Times New Roman，五号，居中Times New Ro
8、man，小二号，居中Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafersAbstract标题：Times New Roman，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：Times New Roman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“Keyword三字加粗，关键词用“；分隔 GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, u
9、ltraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company i
10、n Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the ni
11、trides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer cry
12、stalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption.
