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1、泓域咨询/达州碳化硅衬底项目建议书目录第一章 背景及必要性6一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期6二、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心7三、 深入实施创新驱动战略9四、 项目实施的必要性10第二章 项目总论11一、 项目名称及项目单位11二、 项目建设地点11三、 可行性研究范围11四、 编制依据和技术原则11五、 建设背景、规模12六、 项目建设进度13七、 环境影响13八、 建设投资估算13九、 项目主要技术经济指标14主要经济指标一览表14十、 主要结论及建议16第三章 产品方案分析17一、 建设规模及主要建设内容17二、 产品规划方案及生产纲领17产品规划方案
2、一览表17第四章 建筑工程说明20一、 项目工程设计总体要求20二、 建设方案20三、 建筑工程建设指标22建筑工程投资一览表22第五章 SWOT分析24一、 优势分析（S）24二、 劣势分析（W）25三、 机会分析（O）26四、 威胁分析（T）27第六章 发展规划分析35一、 公司发展规划35二、 保障措施39第七章 法人治理结构42一、 股东权利及义务42二、 董事44三、 高级管理人员49四、 监事51第八章 安全生产53一、 编制依据53二、 防范措施56三、 预期效果评价61第九章 进度计划62一、 项目进度安排62项目实施进度计划一览表62二、 项目实施保障措施63第十章 环境影响
3、分析64一、 环境保护综述64二、 建设期大气环境影响分析64三、 建设期水环境影响分析67四、 建设期固体废弃物环境影响分析67五、 建设期声环境影响分析68六、 环境影响综合评价69第十一章 节能分析70一、 项目节能概述70二、 能源消费种类和数量分析71能耗分析一览表71三、 项目节能措施72四、 节能综合评价74第十二章 投资计划75一、 投资估算的依据和说明75二、 建设投资估算76建设投资估算表78三、 建设期利息78建设期利息估算表78四、 流动资金80流动资金估算表80五、 总投资81总投资及构成一览表81六、 资金筹措与投资计划82项目投资计划与资金筹措一览表83第十三章
4、项目经济效益分析84一、 基本假设及基础参数选取84二、 经济评价财务测算84营业收入、税金及附加和增值税估算表84综合总成本费用估算表86利润及利润分配表88三、 项目盈利能力分析88项目投资现金流量表90四、 财务生存能力分析91五、 偿债能力分析92借款还本付息计划表93六、 经济评价结论93第十四章 项目风险防范分析95一、 项目风险分析95二、 项目风险对策97第十五章 项目招投标方案100一、 项目招标依据100二、 项目招标范围100三、 招标要求100四、 招标组织方式102五、 招标信息发布104第十六章 总结分析105第十七章 附表附件107主要经济指标一览表107建设投资
5、估算表108建设期利息估算表109固定资产投资估算表110流动资金估算表111总投资及构成一览表112项目投资计划与资金筹措一览表113营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表114利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表118第一章 背景及必要性一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司
6、包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全
7、球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 大尺寸大势所趋
8、，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面
9、积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研
10、磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。三、 深入实施创新驱动战略强化创新在达州高质量发展中的核心地位，突出科技创新，聚合要素资源，构建多层次、多元化创新体系，加快形成以创新为主引擎和主支撑的经济体系和发展模式，积极建设区域创新中心。提升创新能力，加强基础应用研究、注重原始创新，促进各类创新要素向“6+3”重点产业集
11、聚，着力突破一批产业关键核心技术。壮大科创平台，推进创新型城市和达州科创新城建设，主动参与中国西部科学城建设，联动共建万达开科创走廊，构建一批国省级重点实验室等研发平台，支持在达或引进高校、科研单位建设大学科技园和教学实践基地。培育创新主体，强化企业创新主体地位，加大企业与院校、科研院所的协同创新，打造一批掌握产业“专精特新”技术的创新型领军企业和创新团队，培育一批国省级科技企业孵化器和众创空间。优化创新生态，深入推进科技体制改革，改进科技项目组织管理，扩大科研自主权，加强知识产权保护和综合服务平台建设，完善科技奖励制度，多渠道增加科研投入，弘扬科学家精神和工匠精神，着力构建有利于创新要素流动
12、、高效协同的创新环境。推动成果转化，出台重大科技成果在达转化支持政策，健全技术交易市场，提高科技成果转化率和科技对经济增长的贡献率。四、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第二章 项目总论一、 项目名称及项目单位项目名称：达州碳化硅衬底项目项目单位：xxx（集团）有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约4
13、0.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其
14、他有关资料。（二）技术原则为实现产业高质量发展的目标，报告确定按如下原则编制：1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路：资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术，在保证产品质量的同时，力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。五、 建设背景、规模（一）项目背景相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高
15、电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积26667.00（折合约40.00亩），预计场区规划总建筑面积44035.70。其中：生产工程25657.99，仓储工程8644.43，行政办公及生活服务设施4384.85，公共工程5348.43。项目建成后，形成年产xxx万片碳化硅衬底的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx（集团）有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺，
