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1、中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介 2014-3-3中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式半导体照明研发中心简介 “中国科学院半导体照明研发中心”，拥有1500平方米的超净工艺环境；装备方面总体已完成投入4000余万元，具备从材料制备、芯片工艺、封装测试完整的研发工艺线。 “中心”组建了强有力的研发团队,由18位
2、留学回国人员、30余名正高和副高职称研究员和近30余名工程技术人员组成；并与美、日、德等国建立了国际合作关系，聘请了8位客座研究员。在半导体照明重大装备、材料生长、器件工艺、重大应用等方面与国内外相关研发产业机构建立了良好的关系。中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式设备名录中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式中国科学院半导体研究所Institute
3、of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式技术指标： 1.365 nm(波长) 输出光强-约18-20 mW/cm2; 2.400 nm(波长) 输出光强-约35-40 mW/cm2; 3.曝光有效范围:4英寸直径; 4.曝光精度： 硬接触模式1微米,软接触1.5微米; 接近式（20um）2微米,接近式（50um）3微米工艺特点： 1.卓越的曝光面内均一性: 2.误差小于1% 于 2 英寸曝光范围内; 3.误差小于2% 于 4 英寸曝光范围内; 4.具备高性能消除衍射涂层光学系统; 5.双通道光强度控制系统; 6.实时
4、动态显示（通过CCD直接在显示器上显示）1.光刻机中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式方孔边长4.62um圆孔直径1.05um示例：1.光刻机中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式2.微波式打胶机设备简介： 厂商：德国PVA-TePla-AG 型号： 310 M工作原理： 通过微波产生的氧气等离子体对样品表面进行清洁作用或者去除光刻胶掩膜。用途： 光刻
5、胶或其他有机物的去除。中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式技术指标：1.等离子体室：石英，直径245mm，深380mm;2.等离子体发生器：微波频率2.45GHz，最大1.000瓦，可变功率工艺特点：1.微波等离子体廉价、易于使用、高度活性、高效，且不会对电子装置产生损害，该系统配备洁净的石英晶体处理室;2.可以进行普通光刻胶灰化、SU8灰化;3.适合于光刻胶显影底膜的去除。2.微波式打胶机中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, C
6、hinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式3.化学清洗工作台设备简介： 厂商：坤杰精密自动化设备有限公司 型号： 310 M用途： 通过化学清洗手段对样品进行表面处理，通常可进行清洗、腐蚀、剥离等工艺。中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式技术指标：1.共18个工作槽位，配备氮气及纯水清洗系统;2.可进行常规有机、无机清洁处理；ITO薄膜湿法蚀刻；去蜡清洗；lift-off 工艺；湿法腐蚀氧化硅等工艺。工艺特点：1.小批量多片处理、水浴加
7、热清洗、超声清洗；2.DI水冲洗为喷淋，溢注两种模式自由组合;3.半自动机械手臂进行上下往复晃动，反应更均匀3.化学清洗工作台中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式 4、感应耦合等离子刻蚀机ICP设备简介： 厂商：AST 型号 CIRIE-200 工作原理： 在高功率射频电磁场中，刻蚀气体电离，电子在电场的加速下，与中性分子或原子撞击，产生电子、离子、活性游离基及辉光，即等离子体。利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。用途： 干法刻蚀GaN和蓝宝石。
8、 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式 4、感应耦合等离子刻蚀机ICP1.刻蚀气体：主要为氯气、三氯化硼;2.刻蚀材料：GaN、蓝宝石;3.wafer尺寸：2英寸或以下;4.每炉片数：7片*2inch工艺特点：1.可以较好地精确地控制刻蚀的深度，刻蚀深度几十nm到几个微米;2.通过调整刻蚀参数和刻蚀掩膜，可以调节刻蚀的角度，在30度到80度。GaN刻蚀，角度82度蓝宝石刻蚀的阵列图形示例：技术指标：中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductor
9、s, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式5.等离子体增强化学气相沉积PECVD设备简介： 厂商：Oerlikon 型号： 790+工作原理： 等离子体经受激、分解、离解和离化后，这些具有高反应活性的中性物质被吸附到较低温度的衬底表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。用途： 淀积氧化硅、氮化硅和氮氧化硅薄膜中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式5.等离子体增强化学气相沉积PECVD技术指标：1.300低温即可淀积高质量薄膜，均
10、匀性和重复性好;2.氧化硅膜厚度任意可控：从几十纳米到几十微米都可淀积，膜厚控制精确;3.单炉生长37片2”片，极大节约成本。工艺特点：1.可以低温下淀积极低应力的氮化硅膜;2.可以实现氮氧化硅（SiON）薄膜的折射率从氧化硅的折射率平滑改变到氮 化硅的折射率（1.51.9）。示例：中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式6. 光学镀膜系统设备简介： 厂商：富临 型号：FU-20PEB-OPTO工作原理： 电子束斑聚焦到介质材料表面，使局部达到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉
11、积在基片表面，同时增加离子源辅助沉积，实现高密度、高折射率的光学薄膜。用途： 用于蒸发光学膜，实现增透或高反效果 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式6. 光学镀膜系统技术指标：1.蒸发材料：SiO2，Ti2O5等2.加工能力：2寸片，102片；3.蒸镀温度在室温到300之间可调；4.膜厚均匀性3000A 3%；5.波长反射率和透过率可实现98%；工艺特点：1. 离子源辅助沉积实现光学薄膜的低温沉积，并形成致密、高折射率的介质膜;2. 全自动、光谱仪监控薄膜的生长厚度，精
12、确控制薄膜的蒸镀厚度;3. 强大的软件模拟和执行功能，可将目标膜系和实际膜系的光谱实时比较膜系实时监控高反膜反射率超过98%中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式7.电子束蒸发台（金属）技术指标：1.一次工艺可以蒸发四种不同金属材料；Ti/Al/Ti、Ni/Au、CrPtAu等，Au最后可做到3um；2.蒸镀温度在室温到100之间可调；3.Lift-off工艺一次可以蒸镀108片2圆片；4.Step-coverage工艺一次可以蒸镀67片2圆片；5.工艺的均匀性和重复性5.
13、工艺特点：1. 因应功率IC(Ti/Ni/Ag)及族砷化镓晶圆各种Lift-Off製程需求（Ti、Au、Al、Ni、Cr、AuGe等），将Throw Distance拉高至2632吋;2.Run to Run膜厚均匀性可控制至1%，以确保整体产品良率;3.最佳化蒸镀腔及排气系统设计，可有效降低Cycle time，并提升材料利用率（提高20%）中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式7.电子束蒸发台（金属）设备简介： 厂商：AST(聚昌科技) 型号：Peva-600E工作原理
14、： 电子束斑聚焦到蒸发材料表面，使局部达到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉积在基片表面，形成致密的金属薄膜。用途： 用于蒸发Cr、Ti、Ni、Al、Au、Ag、AuSn等金属 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式8.电子束蒸发台（ITO）设备简介： 厂商：AST(聚昌科技) 型号：Peva-600I工作原理： 电子束斑聚焦到蒸发材料表面，使局部达到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉积在基片表面，形成薄膜用途： 本设备专门用于沉积ITO薄膜（一种透明导电薄膜，氧化铟锡）中国科
15、学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式8.电子束蒸发台（ITO）技术指标：1.加工能力，可加工横向尺寸2英寸以下的任意图型的平片状结构的基片，基片材料需要耐300摄氏度高温，不能污染设备腔室；标准2英寸晶片一次最大加工110片，3英寸晶片最大加工数量20片；2.产品性能：300nm厚度ITO的方阻约10左右，on glass 460nm波长透过率90%左右，表面粗糙度约15nm。工艺特点：本设备属于偏产业化设备，一次加工量较大，沉积的薄膜光电特性优良，均匀性、重复性高。示例： 电
16、子束蒸发沉积的ITO薄膜为呈柱状颗粒紧密排布的多晶材料中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式9.电镀台设备简介： 厂商：中国电子科技集团 型号：Peva-600I工作原理：将导电的阴极和阳极插入电解液中,通电后在阴极会有金属析出附着在阴极表面用途：本设备能在金属表面电镀铜膜、镍膜。 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式9.电镀台技术指标：1.可加工横向尺寸4英寸及以下的wafer；2.一次加工2-6片wafer（视wafer尺寸大小），3.由于镀液是酸性的，样品需要耐酸性溶液，镀100微米需要4小时左右。工艺特点：设备简单、花费低、属低温工艺。示例：镀200微米厚的铜表面照片中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 单击此处编辑母版文本样式10.快速合
