1单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版副标题样式CMOS工艺与版图王智鹏n先在硅表面制作一层二氧化硅；n然后通过光刻，在二氧化硅上需要扩散掺入杂质的区域开设窗口；n最后完成掺杂和金属化等工序，完成芯片的制造集成电路制造(平面工艺)硅片氧化硅光刻胶扩散区栅极负责施加控制电压源极、漏极负责电流的流进流出导电沟道一、单个MOS管的版图实现有源区栅导电沟道 有源区注入杂质形成晶体管， 栅与有源区重叠的区域确定器件尺寸，称为导电沟道1、图形关系 只要源极、漏极以及导电沟道所覆盖的区域称为有源区 芯片中有源区以外的区域定义为场区 MOS管中电流由源极流向漏极沟道中电流流过的距离为沟道长度；截面尺寸为沟道宽度电流方向沟道长度L沟道宽度W2、器件尺寸设计n设计中，常以宽度和长度值的比例式即宽长比（W/L）表示器件尺寸n例：假设一MOS管，尺寸参数为20/5则在版图上应如何标注其尺寸20/53、图形绘制英特尔65纳米双核处理器的扫描电镜(SEM)截面图 版图图层图图层 名称含义义NwellN阱Active有源扩扩散区PselectP型注入掩膜NselectN型注入掩膜Poly多晶硅cc引线线孔Metal1第一层层金属Metal2第二层层金属Via通孔常用图层注意：n不同软件对图层名称定义不同；n严格区分图层作用。
版图图层图图层 名称含义义cc（或cont）引线线孔（连连接金属与多晶硅或有源区）Via通孔（连连接第一和第二层层金属）MOS器件版图图层PMOSnN阱NWELLnP型注入掩模PSELECTn有源扩散区ACTIVEn多晶硅栅POLYn引线孔CCn金属一METAL1n通孔一VIAn金属二METAL2MOS器件版图图层NMOSnN型注入掩模NSELECTn有源扩散区ACTIVEn多晶硅栅POLYn引线孔CCn金属一METAL1n通孔一VIAn金属二METAL2结构图 立体结构和俯视图 有源区（ACTIVE）引线孔（CC）金属一（METAL1）多晶硅栅（POLY）N型注入掩模（NSELECT）n版图设计中不需要绘制基片衬底材料以及氧化层4、版图设计规则n版图设计规则一般都包含以下四种规则：(1) 最小宽度例如，金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小宽度2)最小间距例如，金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小间距3)最小包围例如，N阱、N+离子注入和P+离子注入包围有源区应该有足够的余量;多晶硅、有源区和金属对接触孔四周要保持一定的覆盖4)最小延伸例如，多晶栅极须延伸到有源区外一定长度在符合设计规则的前提下，争取最小的版图面积5、阱与衬底连接n通常将PMOS管的衬底接高电位（正压）；NMOS管的衬底接低电位（负压），以保证电路正常工作n衬底材料导电性较差，为了保证接触的效果，需要在接触区域制作一个同有源区类似的掺杂区域降低接触电阻，形成接触区。
n衬底半导体材料要与电极接触，同样需要引线孔（CC）；nP管衬底为N阱（N型材料），接电源；衬底连接版图由NSELETC、ACTIVE、CC、METAL1组成nN管衬底为基片（P型材料），接地；衬底连接版图由PSELETC、ACTIVE、CC、METAL1组成n 完整的MOS管版版图必须包含两个部分：a）由源、栅和漏组成的器件；b）衬底连接n源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active），有源区之外的区域定义为场区（Fox)有源区和场区之和就是整个芯片表面即基片衬底（SUB）衬底连接布局n尽可能多的设置衬底连接区6、大尺寸器件的设计n单个MOS管的尺寸沟道宽度一般小于20微米，且宽长比W/L1nMOS管宽长比（W/L）比值大于10：1的器件可称为大尺寸器件在版图上需要做特殊处理大尺寸器件普遍应用于：缓冲器（buffer）、运放对管、系统输出级buffer对管缓冲器中的一级反相器运放对管大尺寸器件存在的问题： 寄生电容； 栅极串联电阻 大面积的栅极与衬底之间有氧化层隔绝，形成平板电容 细长的栅极存在串联电阻，导致栅极两端电压不同栅电压降低MOS管寄生电容值MOS管栅极串联电阻值GSD 设计方法 （1）分段 大尺寸MOS管分段成若干小尺寸MOS管。
b) 截成4段（W/L=50/1） (a) MOS管的W/L=200/1（2）源漏共用 合并源/漏区，将4个小MOS管并联(a)形成S-G-D、S-G-D排列(b)左起第二个和第四个MOS管的、和漏互换(c)将相邻S、D重叠n并联后MOS管宽长比与原大尺寸管宽长比相同；n并联小MOS管个数为N，并联管的宽长比等于原大尺寸管宽长比的1/N；n栅极串联电阻为原大尺寸管寄生电容的1/Nn源漏共用只能在两个同类型MOS管中连接相同节点的端口之间实现；n源漏共用可以在两个有相同节点的同类型MOS管（如与非门的两个P管）之间实现注意！7、器件连接n实现源漏共用之后，需要将相应的端口连接才能形成完整的MOS管n将源极、漏极分别用梳状金属线连接，栅极用多晶硅作为引线连接n注意：过长的多晶硅引线将导致较大的线电阻；为了减小接触电阻，应尽量多做引线孔GSD并联后连接源和漏的金属线形成“叉指”结构为节省面积，可以适当考虑减少引线孔，使金属线跨越器件；并尽量将器件设置成矩形8、MOS管阵列的版图实现 (1) MOS管的串联 N1的源、漏区为X和Y，N0的源、漏区为Y和Z利用源漏共用，得到两个MOS管串联连接的版图。
电路图 N1和N0串联版图 N1、 N0版图 任意个MOS管串联例如3个MOS管串联的版图 电路图 版图 （2）MOS管并联(并联是指它们的源和源连接，漏和漏连接，各自的栅还是独立的)电路图 版图 栅极水平放置栅极竖直方向排列电路图 版图 三个或三个以上MOS管并联类似大尺寸MOS管的拆分连接源和漏的并联都用金属连接（叉指型） （3）MOS管的复联 复联是同时存在MOS管串联和并联的情况 n棒状图设计 ：n为了方便地从电路中得到最有效的源漏共用版图，可以使用“棒状图设计”，在绘制版图之前先制作结构草图n可以很好的解决器件布局问题二、集成电路版图设计方法n “混合棒状图”法：矩形代表有源区(宽度不限)；实线代表金属；虚线代表多晶硅；“”代表引线孔其它层次不画,n通常靠近电源vdd的是P管，靠近地线gnd的是N管反相器棒状图电路图-棒状图-版图ab练习n三输入与非门、或非门棒状图。