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1、1.0标题：设备菜单匹配管理规范2.0目的：规定不同设备之间菜单匹配的程序，保证产品质量。3.0范围：适用于生产线上用于相同工艺的不同设备之间的匹配。4.0参考：无。5.0定义:5关键工艺：对产品主要特性（PCM结果，成品率和可靠性等）有决定性影响的工艺步骤。 5.2非关键工艺：除关键工艺以外的，对产品特性影响较小的工艺步骤。5.3设备匹配：为扩大产能和灵活性，在满足质量要求的情况下，将不同设备或腔体用于 同一工艺的加工，工艺菜单内容可根据实际情况作一定限制的修改。6.0责任：6.1设备工程师负责设备硬件条件一致性的匹配调整工作。6.2工艺工程师负责设备的工艺匹配，并达到最终的要求。6.3 T
2、D负责对匹配项口完整性的审核，并对PCM的分析结果进行确认。6.4 M&S负责联系客户并口反馈成品率情况。6.5 QA负责检查匹配工作是否按规定执行。7.0内容：7进行设备匹配，必须完成附录中所列的所有相关项目；完成后提交报告，经PCRB审 核批准后执行。7.2对型号完全相同的设备之间的菜单匹配，按附表中的要求执行。7.3型号不同的设备之间的菜单匹配，由PCRB会议讨论决定匹配项目与内容。7.4对已经匹配过的设备中，新菜单匹配按照下述原则进行。1）单项匹配完成。2）非关键工艺不进行分片直接releaseo3）关键工艺在3批量或小批量（风险批）中选取1批进行分片，通知客户，确定验证 项目，如果合
3、格则通过。7.5对于附录中需耍顾客反馈成品率的批次（分片）EbM&S通知顾客，同意后方可作业，表 单见工艺变更（Process Change）管理程序中的“工艺/材料临时变更客户确认单”。7.6设备匹配中项口需要通知顾客的，由M&S负责通知顾客，顾客确认后方可作业，表单 见工艺变更（Process Change）管理程序中的“工艺/材料永久更改客户通知单”。7.5完成匹配的标准：7.5.1单项丄艺结果：（卜面的o为reference机台或reference lot该项目的标准偏差）7.5.1.1单项工艺结果以卜要求：关键工艺：中心值偏差不得超过la或reference机台的3%,均匀性满足控制
4、 计划要求（均匀性能测试49点的，提供49点的MAP图）；78 系列外延按照5%执行。非关键工艺：中心值偏差不得超过reference机台的5%,均匀性满足控制计 戈|J要求。7.5.1.2 SPC统计后能满足对菽术和质量的要求。7.5.1.3设备间的差异在工艺许可的范围内（由单项工艺工程师进行判断，主管审核） 7.5.2 PCM结果：所有测试数据必须在PCM规范内，中心值偏差不得超过1.5,分布 范围不超过原有水平。在签PCRB时，TD捉供相关的PCM项目与规范，如无直 接相关参数，需得到中测成品率数据，同时通知市场部试验批号、成品率反馈要 求等。分片时直接相关参数做trend chart分
5、析，其他参数提供。分析，分批时对 直接相关参数进行trend chart分析。7.5.3分片或分批对比实验结果：所有圆片都要满足PCM和成品率的要求。7.5.4成品率结果：实验片的最低成品率不得低于对照批最低成品率的90%,平均成品 率大于对照批平均成品率的95%O7.6当以上所有项目均完成并达到标准，经PCRB审核批准后方町将该设备添加到相关设 备组中，应用于生产。&0附录：8.1附录一：扩散菜单匹配方案8.2附录二：薄膜菜单匹配方案8.3附录三：光刻菜单匹配方案8.4附录四：刻蚀菜单匹配方案9.0有效期：木文件自发布之日起至下次修正日止。10.0机密等级： 普通。附录一:扩散菜单匹配方案序
6、号工艺步骤工艺层次是否 关键单项试验项目Class分片试验分批试验征求客户 同意（分片）通知客户 倾目）单独投片片数结果要求PCM成品率1清洗栅氧/电 容氧化关颗粒；速率及均匀性，表面检 查,CV/BT1000A,212PCM/YIELDNO跟踪3批YESNONO2一般清洗除栅氧/ 电容氧化非颗粒；速率及均匀性，表面检 査,CV/BT1000A,3NoNoNONONONONO3发射区扩散发射区关电阻或膜厚，均匀性，Xj（参考）312PCM3NONONONO4注入退火选择非电阻均匀性，Xj（参考）312PCM3NoNONONO5基区退火选择关电阻或膜厚，均匀性，Xj（参考）212PCM/YIEL
7、D3跟踪3批YESNONO6B源Dep扩散选择关电阻均匀性结深偏并（参考）312PCM3跟踪3批NONONO7P/Sb源Dep扩散选择关电阻均匀性结深偏差（参考）312PCM3跟踪3批NONONO8POC1掺杂磷掺杂关电阻均匀性312PCM3跟踪3批NONONO9Nitride 淀积电容关膜厚均匀性腐蚀速率 生长速率 折射率针孔312PCM3跟踪3批NONONO10多晶POLY淀积选择关膜厚均匀性 干法腐蚀速率 牛长 速率电阻比较212PCM/YIELD3跟踪3批YESNONO11LPTEOS淀积选择关膜厚均匀性干法，湿法腐蚀速率 折射率针孔312PCM3跟踪3批NONONO12外延EPI关电
8、阻率，厚度，均匀性，颗粒及 表面质量，SRP分析，漂移率， 畸变212PCM/YIELD33YESYESNO13般氧化所冇非膜厚均匀性颗粒CV/BT30ONONoNONONO14关键氧化选择关膜厚均匀性颗粒CV/BT212PCM/YIELD3跟踪3批YESYESNO15合金所有非DD温度恢复曲线+/3度；312PCM3NoNONONO附录二*对注入工艺的设备匹配，只需Ell, E12, E13,薄膜设备间匹配方案E14, E15, E16几种注入剂量各选一个菜单作匹配序工艺步骤工艺层次是否关 键（是/ 否）单项试验项目Class分片试验分批试验征求客户同意（分片）通知客户单独投片号片 数结果要
9、求PCM成品率（项目）1金属溅射ALSICU1/ALSICU2 淀积 厚ALSICU淀积ALSI淀积关颗粒、方块电阻、均匀性（25点）、反射率、 BT （新机台需做）、膜厚、淀积速率、Rc , RF 刻蚀量（AL2）,台阶覆盖率，Rtho菜单单项测试数据匹配（电阻均匀性、反射率）312PCM/YIELD1跟踪3批YESNONO2Barry溅射Ti+Tin/ RF+ Ti+Tin关TI颗粒，方块电阻，均匀性，膜厚，淀积速率， 电阻重复性3批TIN颗粒，方块电阻，均匀性，膜厚，折射率， 应力，淀积速率，膜厚重复性3批312PCM/YIELD1跟踪3批YESNONO3WSI溅射RF+WSI关RF/W
10、SI颗粒,RF刻蚀量,RF均匀性2擦片SVGSTA非颗粒3NONONONONONONO3AL前清洗CON非BT ,颗粒，HF腐蚀速率，Rc3NONONONONONONOSIO2 CVD屏蔽层非3NONONONONONONOAL下CVD介质层关颗粒；SiO2膜厚、均匀性、折射率，应力，掺杂 膜先行电阻值、均匀性、结深匹配。312PCM1NONONONO4APCVD淀积深磷CVD关312PCM1NONONONO隔离CVD关针孔（钝化层）312PCM1NONONONO钝化CVD关312PCM1NONONONO层间介质关312PCM/YIELD1NOYESNONO5PECVD淀积钝化层关膜厚、均匀性、
11、折射率、淀积速率匹配，应力 （SIN）：针孔（钝化层）312PCM1NONONONO电容介质关312PCM1NONONONO6SOG涂敷NBL埠层 SOD P涂敷关颗粒；膜厚、均匀性、折射率；产品菜单先行电 阻值、均匀性、结深匹配312PCM1NONONONO附录三:光刻菜单匹配方案序号工艺步骤工艺层次是否关键单项试验项目Class分片试验扩批试验征求客 户同意 份片）通知客户 （项H）单独投片片数/新条件结果要求PCM成品率1涂胶所冇涂胶程序关胶P?,胶P?均匀性，CD, E03NONONONONONONO2显影所冇显影程序关CD与均匀性312NONONONONONO3ASML曝光关键层关O
12、VERLAY, CD与均匀性，形貌312NONO跟踪3批NONONO4UT曝光关键层关OVERLAY, CD与均匀性，形貌312NONO跟踪3批NONONO关键层次：根据工艺来定附录四:案 方 配 匹 单 菜 蚀 刻序号次 层 艺 一 1蠶s s a Q客意乜 s伤7 !7 客0 知项 k一 x/v数片M c p率 Ju H 成11晶 多 R关312M c p11NoNoNoNo关312M PC3o NNoNoo晶 多 E非312M c pNoNoNoNoNo2一X 冇关312M PC11NoNoNoU-TT32PCMNoNoNoNo3孔 触 接关323Nos EYNoNo关32M c p3NoNos EYNo关321Nos EYNoNo4is1关%32
