《（可编）电子电气产品基本原理介绍》由会员分享，可在线阅读，更多相关《（可编）电子电气产品基本原理介绍（11页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、电子电气产品基本原理介绍基本原理介绍（转换组件）作为一名DC TO DC CONVERTER研发人员具备的基本理论专业知识：1 :电工技朮基础知识2:模擬与数字电路3：电磁学原理4：数学基础知识及高等数学，英语基础知识5 : il 算机基本使用 Word. Excel. AutoCAD. Prolel6:测试仪器的使用7:上网多了解竞争对手产品。在讲转换组件之前我们有必要了解一些基础知识：1 :电流Current :单位时间流过导体截面积的电量定义式：I = Q/TI ：电流，单位安培A或库仑/秒Q :电量电荷的多少，单位库仑T :时间，単位秒S2 :电压Voltage :电位之差，单位伏特V
2、 ,电位指一点、电压指两点电位之间3 -电压 Vab=Va-Vb3 :电阻Resistance :阻碍电流通过的特性R= P *L/SR ：电阻，单位欧姆。P:介电常数L：长度，L越长电阻会增大，反之减小S:截面积，S増大电阻减小，反之增大4 :功率Watt :电压与电流之积。P=U*IP：功率，单位瓦特PU :电压I :电流5 ：效率 n =(Pout/Pin)*100%=(V out * I out) /(Vin * I in) *100%效率(Efficiency) n相对越高越好。6：欧姆定律：在一段电路中，通过的电流I与两段电压成正比，与电阻成反比。定义式:I = U/RI ：电流，
3、单位安培AU ：电压，单位伏特VR：电阻，单位欧姆。7:基尔霍夫第一定律也称电流定律：流入节点的电流等于流出节点的电流II即：11=12 + 13节点：三个或三个以上支路相交的交点8:基尔霍夫第二定律也称电压定律:在一个闭合回路中，沿电流方向的电压之和为零。丄R2即：I*R1+I*R2-E=OV9 :在直流电路中电阻串联，R.LU三者特点：一.R . 11 +- I -“ L2在串联电路中：电流处处相等，1=11=12总电压等于各部分电压之和，E=U1+U2 = I1*R1+I2*R2总电阻等于各部分电阻之和，R = R1+R2即：串联电路分压10 :在直流电路中电阻并联，R. I. U三者特
4、点：在并联电路中：总电流等于各支路电流之和，1=11+12电压处处相等，E=U1=U2=I1*R1=I2*R2总电阻倒数等于各部分电阻倒数之和，1/R=1/R1 + 1/R2R = (R1*R2)/(R1+R2) 即：并联电路分流11 :绝缘体：在自然界中完全不能导电的物质，例如：干木头，陶瓷，橡胶导体：能导电的物质，例如：铁、钢水半导体SEMICONDUCTORS :导电性能介于绝缘体与导体.例如：硅，緒 本征半导体：没有渗杂的半导体，也称为纯净半导体。中和：物质中的电子与质子互相抵消。在半导体材料中硅，緒都为四价元素，电子(带负电)与空穴(带正电)；在半导体材料中硅，緒中渗入五价元素磷，电
5、子为多数载流子，空穴为少数载 流子，形成N型半导体；在半导体材料中硅，緒中渗入三价元素硼，电子为少数载流子，空穴为多数载 流子.形成P型半导体；PN结：把P型半导体与N型半导体通过工艺的加工使之形成一个层面。12 :二极管Diode :由半导体材料中硅，错渗入杂质形成一个PN结。:极管Diode中PN结半向导电性:给PN结加上正向电压导通； PN结加上反向电压截止。.4 -正白邃壁璋彊E反向邃堅截止E:极管Diode的描述方法：电压与电流关系，即伏安特性曲线图化安W住匱二极管Diode為非線器件O 实践工作中使用的二极管Diode :选择二极管Diode注意事项：1 :二极管Diode最大反向
6、电压Vrm ;2 :二极7? Diode最大正向电流Ifm ；3 :二极管Diode最大功率Pc ；4 :二极管Diode外观尺寸，SMT、DIP。二极管Diode判断的方法：利用二极管Diode单向导电性 判断工具：數子万用表正向導通7 -13 ;半导体组件晶体管TRANSISTOR也稱三极管三极：基极Base，发射极Emitter ,集电极Collector ; 三区：基区，发射区，集电区；年重珏Collector两结（PN结）：发射结，集电结。SSS CollectorJr品体管TRANSISTOR形象表示方法，但内部实际结构不一样！：荃極Base集重瓯CollectorNTX2JIE
7、、發射瓶Emiltcr集電極Collector發射極Emitterrxra品体管的描述方法:输入,输岀特性曲线输入特性曲线：集电极与发射极电压Vce-定，基极与发射极电压Vbe-Ib的关系； 输出特性曲线：基极与发射极电压Vbe定，集电极与发射极电压VcE-Ic的关系； 输出特性曲线上有三个工作状态区：晶体管北线器件，电流控制器件（Ib控制Ic）1 :截止区，Vbe=0V将晶体管完全关闭.Ic = OmA , VBE=Vcc即OFF 2:放大区，发射结加正向电压、集电结加反向电压，大多电路中使用,从在放大倍数p ,放大倒相Ic=- P*Ib3 :饱和区，发射结加正向电压、集电结加正向电压.P
8、*Ib .Ic 最大，Vbe = OV，即 ON輟:入特性Vbe4b.Vce 一定； 大區 散止區V CE（V）鹼出特性VcE4c,Va-定选择品体管TRANSISTOR注意事项：1 :品体管最大工作电压Vce;2 :晶体管最大电流1CM；3 ：品体管最大功率Pc ;4：品体管的放大倍数P ,太大的8值不好，选择恰当；5 :晶体管外观尺寸，SMT、DIPo 实践工作中使用的品体管TRANSISTOR :平面物質 腳位，內部原理品体管TRANSISTOR判断的方法：利用PN结单向导电性判断工具：数子万用表1.先判别基极B ,晶体管TRANSISTOR类型（NPN型，PNP型）：将数子万用表挡位调
9、到二极挡，红色表笔对应数子万用表红色孔为正极，黑色表笔 对应数子万用表黑色孔为负极，用红色表笔 或 黑色表笔固定品体管TRANSISTOR任何一个脚，再用黑色表笔或红色表笔分别测试其它两个脚，同时观察数子万用 表显示屏的数值，一直到分别测试的数值电压为0.20.7V时,说明红色表笔固定 的脚为基极B ,并而为NPN型 或 黑色表笔固定的脚为基极B ,并而为PNP型。2 :以上只能判别基极B ,品体管TRANSISTOR类型，判别集电极C,发射极E : 其实判别集电极C、发射极E方法很多，我自已的看法这样，从原理上讲晶体管有 三个区：基区、发射区、集电区，在三个区上基区最薄，发射区较厚，集电区最
10、 厚。从电阻角度讲，发射区电阻大于集电区电阻，所以RbeRbc.利用数子万用表的电 阻挡测试，用红色表笔或黑色表笔固定品体管TRANSISTOR的基极.再用黑色 表笔或红色表笔分别测试其它两个脚,仔细观察显示屏的电阻数值变化。14 :绝缘柵场效应管MOSFET :利用柵极与源极电压Vgs控制漏极电流Id 它是一种电压控制器件。MMQSFE1苻號 P溝道气暗G腳位三个极；柵极Gate、源极Source.漏极Draino选择绝缘棚场效应管MOSFET注意事项：1 :漏极与源极最大工作电压Vdsm ;2 :漏极最大电流1DM ；3 : MOSFET最大功率Pc ;4：漏极与源极导通电阻Rds；5 :
11、晶体管外观尺寸，SMT、DIP-15 :光电耦合器：发光组件（发光二极管），接收组件（光敏品体管）两部分组成。 利用在输出回授电路中。16 :电容器Capacitance :由两片电板通电在两片电板贮存电荷的器件，单位法拉F =C= *S/DC :电容容量单位元法拉F ;I| + :介电常数1 rS :截面积一一一=D:两片电板之间的距离1F= mF = 106 uF =109nF =10l2pF無瓶性電言詞有極性電容差电容容抗Xc :Xc=l/2 兀FCF ：频率，单位赫兹HZo F越大Xc越小，F越小Xc越大；电容器Capacitance特点：通高频,阻低频；通交流,阻直流；电容器并联电容
12、值增大，电容器串联电容值减小。17 :电感感抗Xl :Xl=2 7tFL L：电感值,单位亨利HF ：频率，单位赫兹HZoLF越大Xl越大.F越小Xl越小；一厂-如、 、一电感器L特点：通低频，阻高频；通直流，阻交流。18 :电磁感应原理：通电导线会产生磁场。loutVin I 初級Nf Tout次級NsNp = Vin = loutNs Vout linNp :初级匝数Vin :输入电压 n :匝数比Ns ：次级匝数Vout：输出电压在上图基础加上一个开关K：同名端 lout11 -当开关K , ON时初级产生电流Im ,同时耦合到次级端产生lout ;当开关K , OFF时初级电流lin减
13、小，同时初级会产生一个阻碍电流Iin减小的电动势方向与原电动势相反，耦合到次级端。如果我们将开关K用电子开关零件（晶体管、MOSFET）控制：童晶證控初同名端 lout方波形成电路ih简单的电阻,电容.线圈组成，和复杂的集中电路1C组成。次级输出整流电路：利用二极管Diode半向导电性来整流.简单的三种二极管整流方式。 r i- 二次级输出整流后贮能与滤波Filter电路：利用电容贮能与滤波及电感特性组成。12 -19 :输出电路的比较器：:它与光电耦合器配合便用。CATHODEREFANODE才腹工作原理：Vref端的电压与比较器+端相接，稳定的基准电压的电压与比较器-端相接，比较器输出端接品体管放大器基极比较器+与-电位比较：Vref基准电压，比较器输出高电平，品体管放大器导通Vref基准电压，比较器输出低电平，品体管放大器截止（不是完全截止）20 :仪器设备工具的认识及使用：数子万用表，电烙铁，电源供给器，电子负载,数子显波器,贮存式数子显波器, 温度记录仪，高低温实验箱。
