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1、 电力电子课程综合实训课程设计题 目: MOSFET升压斩波电路设计 专 业： 电气工程及其自动化 班 级： 指导教师 ： 姓名分工制作设计任务书、元器件选择、电路参数计算、波形分析仿真图线路连接、电路工作原理分析资料搜集、电路图检查 2015年6月目 录第一章 前言11.1概述11.2 MOSFET介绍11.3 PWM控制芯片SG3525介绍1第二章 MOSFET升压斩波电路设计22.1 设计要求22.2设计课题总体方案介绍及工作原理说明22.1.1总体方案22.3 设计方案各电路简介22.3.1电容滤波单相不可控整流电路22.3.2 MOSFET斩波电路32.3.3触发电路32.3.3保护
2、电路3第三章 MOSFET升压斩波主电路设计43.1电容滤波单相不可控整流电路43.1.1电路原理图43.1.2电路原理及其工作波形43.1.3主要的数量关系53.2 MOSFET升压斩波电路53.2.1 电路原理图53.2.2电路原理及其工作波形53.2.3主要的数量关系6第四章 控制电路与保护电路设计74.1 MOSFET驱动电路74.1.1驱动电路原理图74.1.2 电路工作原理7 4.2 保护电路84.1.1变压器的保护8第五章 总体电路原理图及其说明95.1总体电路原理图95.2 MATLAB仿真电路图95.3仿真波形图105.4波形分析11 参考文献13第六章 心得体会14第1章
3、前言1.1概述直流斩波电路作为将直流电变成另一种固定电压或可调电压的DC-DC变换器,在直流传动系统、充电蓄电电路、开关电源、电力电子变换装置及各种用电设备中得到普通的应用.随之出现了诸如降压斩波电路、升压斩波电路、升降压斩波电路、复合斩波电路等多种方式的变换电路。MOSFET升压斩波电路又称为boost变换器，它对输入电压进行升压变换。通过控制电路的占空比即通过MOSFET来控制升压斩波电路的输出电压。直流斩波技术已被广泛用于开关电源及直流电动机驱动中，使其控制获得加速平稳、快速响应、节约电能的效果。全控型电力电子器件MOSFET在牵引电传动电能传输与变换、有源滤波等领域得到了广泛的应用。本
4、文设计的是一个可调的直流升压斩波电源，利用MOSFET升压直流斩波电路原理,将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电，也称为直流-直流变换器（DC/DC Converter）。直流斩波电路的控制电路用PWM控制芯片SG3525为核心构成，控制电路输出占空比可调的矩形波。1.2 MOSFET介绍MOSFET是金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为N沟道型与P沟道型的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFE
5、T、pMOSFET等。1.3 SG3525介绍随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用，为此美国硅通用半导体公司（Silicon General）推出SG3525。SG3525是用于驱动N沟道功率MOSFET。SG3525是电流控制型PWM控制器，所谓电流控制型脉宽调制器是按照接反馈电流来调节脉宽的。在脉宽比较器的输入端直接用流过输出电感线圈的信号与误差放大器输出信号进行比较，从而调节占空比使输出的电感峰值电流跟随误差电压变化而变化。由于结构上有电压环和电流环双环系统，因此，无论开关电源的电压调整率、负载调整率和瞬态响应特性都有提高，是目前比较理想的新型控制器。第2章
6、 MOSFET升压斩波电路设计2.1 设计要求1、输入直流电压：Ud=50V2、输出功率：300W3、开关频率5KHz4、占空比10%50%5、输出电压脉率：小于10%2.2设计课题总体方案介绍及工作原理说明2.1.1总体方案 整流电路电源MOSFET斩波电路负载保护电路触发电路图1 MOSFET升压斩波电路基本组成框图2.3 设计方案各电路简介2.3.1电容滤波单相不可控整流电路电容滤波单相不可控整流电路常用于小功率单相交流输入场合。本设计中采用的是单相桥式接法，其作用是将直接输入的220V交流电压转变为我们所需大小的直流电压，然后提供给MOSFET升压斩波部分作为输入。2.3.2 MOSF
7、ET斩波电路 MOSFET斩波电路是被设计的核心部分，而其核心器件又是MOSFET。本部分是通过触发电路控制MOSFET的开启与关断，再利用电感和电容的储能作用实现升压功能的。2.3.3触发电路 本设计的触发电路是基于SG3525控制芯片设计的。由于SG3525的输出驱动电路是低阻抗的，而功率MOSFET的输入阻抗很高，因此输出端管脚11和输出端B管脚与MOSFET的栅极之间无须串接限流电阻和加速电容，就可以直接推动功率MOSFET。2.3.3保护电路 鉴于电源电路存在一些不稳定因素，而设计用来防止此类不稳定因素影响电路效果的回路称作保护电路。比如有过流保护、过压保护、过热保护、空载保护、短路
8、保护等。保护电路是防止电压或电流过大造成元器件的的损坏而导致电路不能正常工作。第3章 MOSFET升压斩波主电路设计3.1电容滤波单相不可控整流电路3.1.1电路原理图如图2图2 电容滤波单相不可控整流电路图3.1.2电路原理及其工作波形在的正半轴过零点至wt=0的期间，因为,故二极管均不导通，此阶段电容C向R放电，提供负载所需的电流，同时下降。至wt=0之后，将超过，使得VD1和VD4开通，=，交流电源向电容充电，同时向负载R供电，如图3。图3 电容滤波单相不可控整流电路波形图3.1.3主要的数量关系1.输出电压平均值 空载时，R=，输出电压最大，=2. 重载时，R很小，电容放电很快，几乎失
9、去储能作用。随着负载加重，U逐渐趋近于0.9，即趋近于电阻负载特性。在设计时根据负载的情况选择电容C,使 , T为交流电源的周期，此时输出电压为 （1）则 （2） （3）3.2 MOSFET升压斩波电路3.2.1 电路原理图如图4图4 MOSFET升压斩波电路3.2.2电路原理及其工作波形假设电路中电感L和电感C的值很大。当MOS管处于通态时，电源E向电感L充电，当充电电流基本恒定为，同时电容C上的电压向负载R供电。因为C的值很大，基本保持输出电压u0为恒值。当MOS管处于断态时，电源E和电感L共同向电容C充电并向负载R提供能量。设MOS管处于通态的时间为，此期间电感L上积蓄的能量为。设MOS
10、管处于断态的时间为，此期间电感L释放的能量为当电路工作处于稳态时，一个周期T中电感积蓄的能量与释放的能量相等，即 （4）化简得 （5） 波形如图5图5 MOSFET升压斩波电路波形3.2.3主要的数量关系 用占空比的形势表示输出电压 （6） 本设计中取占空比=50%，则 （7）输出电流的平均值为 （8）负载电阻的阻值为 R=75 （9） 第4章 控制电路与保护电路设计4.1 MOSFET驱动电路4.1.1驱动电路原理图如图6图6 MOSFET驱动电路图4.1.2 电路工作原理SG3525是电流控制型PWM控制芯片，所谓电流控制型脉宽调制器是按照接反馈电流来调节脉宽的。在脉宽比较器的输入端直接用
11、流过输出电感线圈的信号与误差放大器输出信号进行比较，从而调节占空比使输出的电感峰值电流跟随误差电压变化而变化。由于结构上有电压环和电流环双环系统，因此，无论开关电源的电压调整率、负载调整率和瞬态响应特性都有提高，是目前比较理想的新型控制器。 当SG3525芯片工作时，会从输出端口引脚11和引脚14输出PWM信号。由于SG3525的输出驱动电路是低阻抗的，而功率MOSFET的输入阻抗很高，因此输出端引脚11和引脚与MOSFET的栅极之间无须串接限流电阻和加速电容，就可以直接推动功率MOSFET。4.2 保护电路4.1.1变压器的保护1.参数计算变压器二次侧电流为 (10) 电流有效值 1.51.
12、57A=2.355A (11) 考虑有一定的余量，FU2可以选用5A的熔断器变压器的变压比为 11021变压器一次侧电流 (12) 考虑有一定的余量，FU1可以选用3A2.变压器保护电路原理图如图7图7 变压器保护电路原理图第5章 总体电路原理图及其说明5.1总体电路原理图如图8图8 总体电路原理图5.2 MATLAB仿真电路图如图9图9 MATLAB仿真电路图5.3仿真波形图如图10 图10 MATLAB仿真波形图占空比仿真图输出电流仿真图输出电压仿真图5.4波形分析输出电压U=100V输出电压范围98V101V电压脉率 (13) (14) 经计算可知，输出电压脉率小于10%，满足设计要求。参考文献1 康华光，陈大钦.模拟电子技术基础 M .北京：高等教育出版社，2006.8Kang youhua, Chen daqin
