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1、High-k与Low-k的分析 近十年来CPU业者每发表1款新主打CPU，就会顺带标榜该芯片所用的制程技术，最初只标榜尺寸缩密性制程，而近五年来更是强调各种新材质性制程，倘若不去了解新材质制程的意义，那么也将愈来愈不了解新CPU的价值意义过去IBM微电子发表Low k Dielectric（低介电质绝缘，或称：低介电常数绝缘）制程技术时，人们没有投入太多的注目，而今Intel在45nm制程的芯片产品发表后，也连带在45nm制程内使用了High k/Metal Gate（高介电质金属闸极）技术，使的最近笔者经常被人问及：Low k制程与High k制程到底有何不同？问此问题的人因为被名称所迷惑，
2、认为Low k与High k是相互矛盾的技术，且半导体业者都纷纷标榜Low k、High k等新制程技术能为芯片电路带来新的提升效益，因此迷惑也就加深，所以以下本文将对此进行更多讨论。一、LOW-K在集成电路内部，由于ILD(Inter Layer Dielectrics，层间电介质)的存在，导线之间就不可避免地存在分布电容，或者称之为寄生电容。分布电容不仅影响芯片的速度，也对工作可靠性构成严重威胁。从电容器容量计算公式中我们可以看出，在结构不变的情况下，减少电介质的k值，可以减小电容的容量。因此，使用low-k电介质作为ILD，可以有效地降低互连线之间的分布电容，从而可使芯片总体性能提升10
3、左右。(1)Low-k的作用集成电路的速度由晶体管的栅延时(Gate Delay)和信号的传播延时(Propagation Delay)两个参数共同决定，延时时间越短，信号的频率越高。 栅延时主要是由MOS管的栅极材料所决定，使用high-k材料可以有效地降低栅延时。传播延时也称为RC延时(RC delay)，R是金属导线的电阻，C是内部电介质形成的电容。RC 延时的表达式为： TRC=(L2/TD) 注:公式中为金属的电阻率，(也记做k)是电介质的介电常数，L 为导线长度，T 是电介质厚度，D为金属导线厚度。 该公式反映了电路参数对TRC 的影响，公式中虽没有出现电阻R和电容C两个符号，但又
4、都与这两个参数有关。电阻率、导线的长度L、导线厚度D 三个参数与电阻R 有关，而介电常数、导线长度L 两个参数与电容C 的大小有关。 金属材料和绝缘材料对传播延时都会产生影响。由于铜(Cu)导线比铝(Al)导线的电阻更低，FSG比SiO2的k值低，所以，铜互连与low-k工艺的同时应用，将使得传播延时变得越来越短了。当一条传输线传送信号时，通过互感(磁场)在另一条传输线上产生感应信号，或者通过电容(电场)产生耦合信号，这两种现象统称为串音干扰，简称“串扰(crosstalk)”。串扰可使相邻传输线中出现异常的信号脉冲，造成逻辑电路的误动作。 耦合串扰是由导线间的寄生电容引起的，根据容抗表达式X
5、C=1/2fC可知：电容的容量C越大，XC越小，信号越容易从一根导线穿越电介质到达另一根导线，线路间的串扰就越严重；信号的频率f越高，脉冲的上升、下降时间越短，串扰也越严重。 由于CPU速度不断攀升，信号频率f目前已超过3GHz。但是，线路串扰已经成为进一步提高频率的限制条件，芯片技术的发展面临巨大挑战。鉴于k值与分布电容之间的因果关系，寻求k值更低的ILD材料，最大程度地降低串扰影响，是保持芯片微型化和高速化发展的一个有效途径。 从上面的分析可以得出两个结论：首先，芯片中使用low-k电介质作为ILD，可以减少寄生电容容量，降低信号串扰，这样就允许互连线之间的距离更近，为提高芯片集成度扫清了
6、障碍；其次，减小电介质k值，可以缩短信号传播延时，这样就为提高芯片速度留下了一定空间。(2)Low-k材料的选择Table 1 History SummaryTable 2 Current Industry Status要谈论Low k制程技术，就免不了要谈论Copper Interconnect（简称：铜互连制程）技术，因为Copper Interconnect与Low k Dielectric是相辅相成的，前者用来强化线路的传导性，后者用来降低线路间的绝缘性。由于半导体制程的不断进步，集成电路的尺寸愈来愈小、电路愈来愈密，同时工作频率愈来愈快，在到达GHz的频率频率、线路宽度小于250nm
7、时，芯片内电路内的寄生电阻效应、寄生电容效应也就愈来愈严重，进而使频率无法再提升，此称为阻容延迟、阻容迟滞（RC Delay），RC Delay不仅阻碍频率成长，同时也会增加电路的无谓功耗。寄生电阻的问题来自于线路本身的电阻性，如果可以用电阻值更低、传导性更佳的线路材质，寄生电阻的问题就可以舒缓。而寄生电容则是因为线路与线路间的绝缘性过高，如果可以降低绝缘性，则寄生电容的问题也可以舒缓。所以，IBM微电子（即是IBM的半导体事业部、半导体部门）提出铜制程，将原本用铝材质制造的芯片线路（俗称：铝制程）改成用铜材质来制造，铜的传导性比铝更好，电阻值更低，如此就可以解决寄生电阻的问题。解决寄生电阻后
8、，寄生电容问题一样以换替材料的方式来解决，原本的绝缘材质其绝缘性太高，所以要换替成低绝缘性的材料，也就是低介电值的材料。关于此，过往使用的绝缘材料为二氧化硅（SiO2），然取代二氧化硅的方案材料有许多种，包括：SiLK、FOx、HSQ、MSQ、Nanoglass、HOSP、Black Diamond、Coral、Aurora等等，各家半导体厂所支持、偏好的材质各有不同，不过所要达到的目标是一致的，就是降低线路间的寄生电容。当然，最好的Low k材质就是“没有材质”，线路与线路间不使用任何材质，采“真空”作法，如此寄生电容就可以降至最小，IBM于2007年5月发表的Airgap（空隙）技术就是此
9、种构想的实现。(3)Low-k技术的不足电介质作为芯片必备的一种材料，除了低k值外，电介质材料至少应具备以下三个方面的特性：绝缘性能好、导热性好、便于制造。进入90nm工艺后，low-k电介质的开发和应用是芯片厂商面临的难题。 由于low-k材料的抗热性、化学性、机械延展性以及材料稳定性等问题都还没有得到完全解决，给芯片的制造和质量控制带来很多困难。采用low-k材料后，多家芯片大厂的产品都出现过不同程度的问题。 与SiO2相比，low-k材料密度较低，这样带来两个问题，一是热传导性能较差，不利于芯片内热量的散发，由此导致芯片热稳定性变坏；二是铜更容易扩散进入绝缘层材料的孔隙中，不仅影响了互连
10、的可靠性，如果不采取适当防扩散工艺措施，情况严重时会因电解质中铜含量过高而带来漏电和功耗升高问题。虽然电流泄露途径主要是“栅泄漏(Gate leakage)”，但“电介质泄漏(Dielectric leakage)”问题也同样不可忽视。在制造工艺上，由于low-k材料的松软结构和易渗透性，使得CMP(化学机械研磨)和清洁工序变得更为艰难，并导致成品率下降和生产成本的提高。以上所谈的都是线路本身与线路间的问题，接下来要谈论晶体管（在此指数位电路所常用的MOSFET）部份的问题，事实上晶体管也因为制程的缩密而面临一个大问题，那就是漏电（Leakage Current），这包括两个部份，一是从源极（
11、Source）通往汲极（Drain）的电流漏往基极（Body，在此也可称Silicon Substrate），另一是闸极（Gate）电流漏往基极。对此IBM也提出因应之道，在源极与汲极底下，以及在基极之上，多埋入1层的绝缘层，该绝缘层的材料为二氧化硅，如此就可以减少电流从源极通往汲极时漏往基极，此技术称为绝缘硅（Silicon On Insulator；SOI）制程。二、HIGH-K由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。 当英特尔导入65纳米制造工艺时，
12、虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1.2纳米，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。 为解决此关键问题，英特尔正规划改用较厚的High-K材料(铪hafnium元素为基础的物质）作为闸极电介质，取代沿用至今已超过40年的二氧化硅，此举也成功使漏电量降低10倍以上。 另与上一代65纳米技术相较，英特尔的45纳米制程令晶体管密度提升近2倍，得以增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积，令产品较对手更具竞争力，此外，晶体管开关动作所需
13、电力更低，耗电量减少近30%，内部连接线 (interconnects) 采用铜线搭配 Low-k电介质，顺利提升效能并降低耗电量，开关动作速度约加快 20%。 由于High-k闸极电介质和现有硅闸极并不兼容，英特尔全新45纳米晶体管设计也必须开发新金属闸极材料，目前新金属的细节仍属商业机密，英特尔现阶段尚未说明其金属材料的组合。 目前采用45纳米工艺制造的Penryn处理器在服务器产品线中被命名为Xeon 5400，属于英特尔第二代四核处理器，主频最高 3.16GHz，二级高速缓存最高12 MB。英特尔的演示显示，相比四核英特尔至强5365处理器，在基于 SPECjbb2005 发布/测量的
14、数据中，四核英特尔至强x5460系列处理器可在相同平台提供25% (1.25x) 的性能提升。结合英特尔向后兼容的 VT FlexMigration技术 使用，还可以将服务器虚拟化集群实时移植到选定的现有及所有未来英特尔至强处理器上。三、HIGH-K与LOW-K的不同low-k是一种“绝缘材料”。所有材料从导电特性上可分为导体和绝缘体两种类型，导电性能良好的材料称为电的良导体或直接称为导体，不导电的材料称为电的不良导体或者称作绝缘体。导体中含有许多可以自由移动的电子，而绝缘体中电子被束缚在自身所属的原子核周围，这些电子可以相互交换位置，但是不能到处移动。绝缘体不能导电，但电场可以在其中存在，并
15、且在电学中起着重要的作用。因此从电场的角度来看，绝缘体也被称为电介质(dielectric)。 正如导体一样，电介质在电子工程领域有着广泛应用，电容器内的储电材料以及芯片内的绝缘材料等都是电介质。为了定量分析电介质的电气特性，用介电常数k(permittivity或dielectric constant)来描述电介质的储电能力。 电容C定义为储存的电量Q与电压E的比值，在相同电压下，储存的电量越多，则说明电容器的容量越大。电容的容量与电容器的结构尺寸及电介质的k值有关，其中作为储电材料的电介质的k 值对电容容量的大小起着关键性作用，制造大容量的电容器时通常是通过选择高k 值的电介质来实现的。
16、不同电介质的介电常数k 相差很大，真空的k 值为1，在所有材料中最低；空气的k值为1.0006；橡胶的k值为2.53.5；纯净水的k值为81。工程上根据k值的不同，把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常数k 3.9 时，判定为high-k；而k3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定为k2.8，目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k 值上限。High k材质既然能提供更佳的绝缘性，那么SOI的绝缘层也可以使用，将二氧化硅换成High k材质，预计可以让芯片功耗用电更为收敛，现在已有多家半导体业者准备进行此一替换，并认为此作法是升级性的SOI技术。四、结语至此，相信各位已能体会High k、Low k的不同，名称上看似冲突，实际上却毫无矛
