第一章 半导体基础学问自测题 一、（1）√ （2） （3）√ （4） （5）√ （6） 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V四、UO1＝6V UO2＝5V五、依据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线；图略；六、1、 UO＝UCE＝2V；2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以 七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区；习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能；由于二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏； 1.3 ui和uo的波形如下列图； 精品. 1.4 ui和uo的波形如下列图； 1.5 uo的波形如下列图； 1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA； 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值； （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值； 1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ； 1.9 （1）当UI＝10V时，如UO＝UZ＝6V，就稳压管的电流为4mA，小于其最小稳固电流，所以稳压管未击穿；故 当UI＝15V时，由于上述同样的缘由，UO＝5V； 当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V； （2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏； 1.10 （1）S闭合； （2）精品. 1.11 波形如下列图； 1.12 60℃时ICBO≈32μA； 1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳固性好； 1.14 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V；当VBB＝1V时，T处于放大状态；由于当VBB＝3V时，T处于饱和状态；由于1.17 取UCES＝UBE，如管子饱和，就 1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V； 当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V；由于 精品. 1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏； （e）可能1.20 依据方程 逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线； 1.21 1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，依据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性； 1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区；1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能 2章其次章 基本放大电路自测题 一、（1） （2）√ （3） （4） （5）√ （6） （7） 二、（a）不能；由于输入信号被VBB短路； （b）可能 （c）不能；由于输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必定失真； （d）不能；晶体管将因发射结电压过大而损坏；（e）不能；由于输入信号被C2短路； （f）不能；由于输出信号被VCC短路，恒为零； （g）可能； （h）不合理；由于G-S间电压将大于零； （i）不能；由于T截止； 三、（1） （2） 四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D精品. 六、习题 2.1 e b c 大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大 2.2（a）将－VCC改为＋VCC ； （b）在＋VCC 与基极之间加Rb； （c）将VBB反接，且加输入耦合电容； （d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc； 2.3 图P2.3所示各电路的沟通通路；将电容开路即为直流通路，图略； 2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V； 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V； 2.5（1） （2） （3） （4）√ （5） （6） （7） （8）√ （9）√ （10） （11） （12）√2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V2.7 精品. 2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc； （b）截止失真，减小Rb ； （c）同时显现饱和失真和截止失真，增大VCC；2.9 （a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时显现饱和失真和截止失真2.10 （1） （2） 2.11 空载时，2.12 ② ① ② ① ③③ ② ① ③ ①③ ③ ① ③ ③2.13（1）静态及动态分析：精品. 〔2〕 Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92； 2.14 2.15 Q点： 动态： 2.16 2.17 图略；精品.2.18 （1）求解Q点： （2）求解电压放大倍数和输入电阻： （3） 求解输出电阻： 2.19 〔1〕 〔2〕 精品. 2.20（a）源极加电阻RS； （b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD； （c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD 2.21 （1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V； 在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V； （2） 2.22 （1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V （2）求电压放大倍数： 2.23 2.24 （a） （b） （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极； （d） （e） （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极； （g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极；第三章 多级放大电路自测题 一、（1） （2）√√ （3）√ （4） （5）√ 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/ Re3＝0.3mA IE1＝IE2＝0.15mA（2）减小RC2；当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE / RC4＝0.6mA；精品. 习题3.1 （a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基（e）共源，共集 （f）共基，共集 3.2 图（a） 图（b） 图（c） 图（d） 精品. 3.3 （1）（d）（e） （2）（c）（e） （3）（e） 3.4 图（a） 图（b） 3.5 图（c） 图（e） 3.6精品. 3.7 3.8 3.9 （1） （2） △uO＝uO－UCQ1≈－1.23V精品. 3.10 3.11 Ad＝－gmRD＝－40 Ri＝∞3.12 Ri＝∞ 3.13 3.14 （1） 精品.（2） 如Ui＝10mV，就Uo＝1V（有效值）；如R3开路，就uo＝0V；如R3短路，就uo＝11.3V（直流）；第五章 放大电路的频率响应自测题 一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C二、（1）静态及动态分析估算： （2）估算： （3） （4），频率特性曲。
