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1、大连理工大学21春模拟电子技术在线作业1试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)1.晶体管能够放大的外部条件是()。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏答案:A2.温度升高,晶体管的管压降Ube()。A.增大B.减小C.不变D.不确定答案:B3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷答案:A4.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。A.越好B.越差C.无变化D.不确定答案:A5.三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了
2、()倍。A.10B.30C.100D.1000答案:D6.BJT处于截止状态的条件是()。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏答案:D7.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。A.处于饱和状态B.处于放大状态C.处于截止状态D.已损坏答案:B8.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。A.共射极B.共集电极C.共基极D.不确定答案:B9.小信号模型分析法不适合用来求解()。A.静态工作点B.电压增益C.输入电阻D.输出电阻答案:A10.当温度升高时,三极管的电流放大系数
3、将()。A.增大B.减小C.不变D.不确定答案:A二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)11.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。答案:正确12.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。答案:错误13.二极管是非线性器件。答案:正确 14.N型半导体带正电。答案:错误15.二极管的反向电流值愈小,管子的单向导电性愈差。答案:错误16.一般来说,放大电路的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。答案:正确17.温度升高,晶体管输入特性曲线右移。答案:错误18.阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。答案:错误19.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。答案:错误20.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。答案:正确
