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1、1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（ B ）过渡，最终使晶体结 构类型发生变化。A：共价键向离子键B：离子键向共价键C:金属键向共价键D:键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ B ）,离 子配位数（）。A：增大，降低B：减小，降低C：减小，增大D:增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，具晶胞分子数是（ C ）。A: 5B: 6C: 4D: 34、NaCl单位晶胞中的 分子数”为4, Na+填充在Cl-所构成的（B ）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C: 1/2四面体D: 1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的 分子数”为1, Cs+填充在Cl-
2、所构成的（C ）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C:全部立方体D: 1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套。的面心立方 格子组成，具一个单位晶胞中有（ B ）个MgO分子。A: 2B: 4C: 67、萤石晶体可以看作是A:八面体空隙的半数C:全部八面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为A: 2C: 69、CsCl晶体中Cs+的配位数为A: 2C: 610、硅酸盐晶体的分类原则是（A:正负离子的个数B:D: 8F-填充了（ D ）B:四面体空隙的半数D:全部四面体空隙8, F-配位数为（B ）。B: 4D: 88, C的配位数为（D ）。B: 4D: 8
3、B ）。结构中的硅氧比Ca2+作面心立方堆积C:化学组成D:离子半径11、培英石2母24是（A ）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（ C ）。A:同质多品B:有序一无序转变C:同晶置换D:马氏体转变13.镁橄榄石 Mg2SiO4是（ A ）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序 为（A ）。A:沸石萤石MgOB:沸石,MgO萤石C:萤石沸石MgOD:萤石,MgO沸石15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配
4、位数为8时，一价 阴离子的配位数为（B ）。A: 2B: 4C: 6D: 816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元SiO4四面体，两个相邻的SiO4四面体之 间只能（A ）连接。A:共顶B:共面C:共棱D: A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下 点缺陷中属于本征缺陷的是（ D ）。A:弗仑克尔缺陷B:肖特基缺陷C:杂质缺陷D: A+B18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A:攀移B:攀移C:增值D:减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时， 该位置带有负 电荷，为了保
5、持电中性，会产生（ D ）oA:负离子空位B:间隙正离子C:间隙负离子D: A或B20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时， 该位置带有正 电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）oA:正离子空位B:间隙负离子C:负离子空位D: A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响，主要表现为（D ）。A:稳定品格B:活化品格C:固溶强化D: A+B+C22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（ B ）。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条
6、件D：结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（ D ）。A：点缺陷B：线缺陷C:面缺陷D: A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ D ）。A：热缺陷B：杂质缺陷C:非化学计量缺陷D: A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，具变化规律是（ B ）。A:线性增加B:呈指数规律增加C：无规律D：线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。 讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D ）。A：杂质质点大小B：晶体（基质）结构C：电价因素D: A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A ）作用下
7、，在滑移面上的运动，结果导致永 久形变。A：外力B：热应力C：化学力D：结构应力28、柏格斯矢量（Burgers Vector与位错线垂直的位错称为（A ）,其符号表 示为（）。A:刃位错；! B:刃位错；VX C:螺位错；D:刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（B ）。A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D:正离子
8、间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加 30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）时，（A ）。A:间隙和空位质点同时成对出现B:正离子空位和负离子空位同时成对出现C:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D:正离子间隙和位错同时成对出现C）。31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（A:位错不一定是直线B:位错是已滑移区和未滑移区的边界C:位错可以中断于晶体内部D:位错不能中断于晶体内部A）。D）因素的影响。32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A:螺位错只作滑移，刃位错
9、既可滑移又可攀移B:刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C:螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D：螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（A:组成B:温度C:时间D:A+B+C34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（ C ）,粘度（A:降低；增加B:不变；降低C：增加；降低D:增加；不变35、当温度不变时，熔体组成的 O/Si比高，低聚物（C ），粘度（B:不变；降低 D:增加；不变 B）,随温度下降而（ B:降低，增大 D:降低，降低 的氧化物容易形成玻璃。B:离子键D:金属键D）。A：降低；增加C：增加；降低36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si
10、升高而（A：增大，降低C：增大，增大37、由结晶化学观点知，具有（AA：极性共价键C：共价键38、N%OAl2O3 4SiO2熔体的桥氧数为（B: 2D: 4 玻璃的桥氧数为（B ）B: 3D:4A: 1C: 339、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2A: 2.5C: 3.5R2O高，这40、如果在熔体中同时引入一种以上的 R2O时，粘度比等量的一种种现象为（B）。B：混合碱效应D:交叉效应A:加和效应C:中和效应41、对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A ）。A:降低C：不变B：升高D: A 或 B42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力
11、将（ A）。A:降低B:升高C:不变D:A或B43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（ C ）的过程。A:可逆与突变B:不可逆与渐变C:可逆与渐变D:不可逆与突变C ）。44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（A:突变性B:不变性C:连续性D: A或B45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A ）。（A）降低 （B）升高 （C）不变 （D） A或B46、不同氧化物的熔点Tm和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（B ）易 形成玻璃。A:二分之一B:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三T （Time-Temperature-Tra
12、nsformatior）曲线来讨论玻璃形成的动力学 条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出106体积分数的晶体的时间是最少的，由 此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。A:愈困难B:愈容易C:质量愈好D:质量愈差48、不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体 中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃（ A ）。A:越不容易B:越容易C:质量愈好D:质量愈差49、当熔体中负离子集团以（ C ）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻 璃有利。A:低聚合B:不聚合C:高聚合D: A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃
13、的很多性质取决于 Y值。在 形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D）,膨胀系数（）0A：增大；不变B：降低；增大C：不变；降低D：增大；降低50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表 面的质点处于（A ）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。A:较高B:较低C:相同D: A或C51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正 常位置的上、下位移，称为（ B）。A:表面收缩B:表面弛豫C：表面滑移D:表面扩张52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，具固体 的表面能（B）液体的表面能。A:小于B:大于A:不同；相同C
14、：相同；不同53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（），垂直方向的层间距与体内（A ）0B：相同；相同D:不同；不同54、粘附剂与被粘附体间相溶性（C ）,粘附界面的强度（）0A：越差；越牢固B：越好；越差C：越好；越牢固D：越好；不变55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的品格位置， 易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（ C,这种重 排的结果使晶体表面能量趋于稳定。B:弛豫D: B+CA：收缩C:双电层56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表）,断裂强度面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（A ）。B：越长；越高D：越长；不变A：越长；越低C：越短；越低57、界面对材料的性质有着重要的影响，界面具有（D ）的特性。58、A：会引起界面吸附C:对位错运动有阻碍作用只要液体对固体的粘附功（B:界面上原子扩散速度较快D: A+B+C）液体的内聚功，液体即可在固体表面自发展开。A:小于C:小于等于59、当液体对固体的润湿角9 体与固体之间的润湿（ C）。A:更难C:更易60、当液体对固体的
