《质量检验-多晶硅片质量检验规范(31页)》

多晶硅片质量检验规范文件编号： IC-IG-102 修订状态： 发放编号: 编 制： 审 核： 批 准： 年 月 日 发布 年 月 日正式实施目 录一. 适用范围二. 引用标准三. 检验项目四. 检验工具五. 实施细则六. 相关记录附表1：硅片检验项目及判定标准附件1：二级硅片分类及标识方法附件2：125125mm划片技术要求及标识方法 附件3：硅片“亮线”的判定标准1.适用范围本细则规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验 2.引用标准《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》《太阳能级多晶硅片内控标准》3.检验项目 电性能、外形尺寸、外观4.检测工具硅片自动分选机、游标卡尺（0.02mm）、测厚仪、万能角度尺5.实施细则5.1表面质量 目测外观符合附表1相关要求。

对整包硅片重点查看B4，B7、TTV、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、TTV片手感表现较重的，利用分选机重新分选；油污一般为斑点形式，擦拭不掉，无论面积大小均需重新清洗5.2 外型尺寸通过硅片自动分选机分选判定，符合附表1相关要求5.3 电性能依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实5.3抽检方法（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于０.5％每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据 注：针对分选机现状，分选机分选A等硅片由清洗工序包装时进行简易分选；B3、B5、B9硅片人工分选，B7、B8硅片分选时加大抽检力度，避免不合格硅片混入1、 相关记录附表1：硅片检验项目及判定标准检验标准检验项目一级品二级品电性能指标电阻率0.7～2 Ωcm2～4 Ωcm少子寿命≥2μs1～2μs外形尺寸及外观几何形状正方形厚度及公差210μm30μm200μm25μm（160-180μm）20μmTTV210μm≤50μm200μm≤40μm（160-180μm）≤35μm210μm≤50μm200μm≤40μm35μm ＜(160-180μm)≤45μm尺寸及公差156mm0.5mm或125mm0.5mm156mm0.8mm或125mm0.8mm角度及公差900.3倒角4510倒角长度1.5mm0.5mm1.5mm1mm崩边（长度*延伸深度）崩边尺寸≤1mm*1mm，个数不限崩边尺寸>1mm*1mm，个数不限缺口≤0.1mm*0.1mm，个数不限锯痕≤20μm≤40μm小晶粒无面积小于30*30mm2翘曲度≤100μm亮线详见《亮线判定标准》弯曲度≤100μm表面质量表面平整，无裂纹、孔洞、缺口等；清洗干燥后，表面洁净、无斑点、沾污、手印等；表面平整，无裂纹、孔洞、缺口等；清洗干燥后，表面允许有轻微的水印、斑点、沾污等，且≤总面积的5%注：抽取8%多晶硅片进行检测，其结果作为批量多晶硅片合格的判定依据。

附件1：二级硅片分类及标识方法按优先级B1至B9无重复排序标示如下：B1几何尺寸偏差，其它检验参数符合一级品标准 注：具体情况在标签上注明（尺寸、倒角）B2晶粒小，其它检验参数符合一级品标准B3少子寿命1～2μｓ，其它检验参数符合一级品标准B4小崩边，其它检验参数符合一级品标准B5电阻率2～4Ωｃｍ，其它检验参数符合一级品标准B6 156mm*156mm硅片划片后的125mm*125mm硅片B7锯痕20～40μｍ或亮线二级（参考《亮线判定标准》其它检验参数符合一级品标准B8 35um

4、划片后,外形尺寸超过1250.5mm,倒角尺寸超过1.50.5mm,角度超过4510判不合格附件3：硅片“亮线”的判定标准一、亮线处，测试深度小于10m的硅片1、单面亮线： 亮线面积大于硅片面积的1/2，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/2，为A 等2、双面亮线： 亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 等 二、亮线处，测试深度10～20m的硅片 1、单面亮线： 亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 等 2、双面亮线： 亮线面积大于硅片面积的1/2，为 不合格 亮线面积小于硅片面积的1/2，为B7注：检测亮线深度使用自动分选设备制绒工序检验规范1.适用范围本规范适用于电池车间制绒工序的过程检验2.引用标准《多晶硅电池内控标准》《太阳能级多晶硅片内控标准》《制绒工艺操作规程》3.检验项目 硅片外观质量、传送带速、腐蚀酸槽温度、腐蚀深度4.检验工具电子秤（千分之一）、卡尺、测厚仪5.检验标准5.1 硅片的外观质量、几何尺寸（参考项目）的检验，参照《太阳能级多晶硅片内控标准》5.2 为保证腐蚀质量，要求传送带速控制在0.8-1.2m/min；酸槽腐蚀温度控制在35度以下。

5.3 156*156mm硅片经过制绒后，平均腐蚀深度目标值为4.6μm－4.8μm，腐蚀量超出目标值必须进行工艺调整，合格品范围单片值为3.5μm－5.4μm，超出此范围应停产调试否则为不合格并通知车间技术员进行相关处理6.检验方法及判定规则6.1 目测硅片外观质量，包括崩边、缺角、裂纹、表面质量等；利用卡尺、测厚仪对硅片的几何尺寸进行检测生产前随机抽取5包原硅片进行外观质量检查，并每包取2片进行几何尺寸的检查，符合《太阳能级多晶硅片内控标准》的判合格，否则判不合格；合格硅片可正常生产，不合格品需通知当班负责人进行复查，复查合格可正常生产，但需进行重点跟踪；复查仍不合格，需通知硅片车间进行退换或协商后处理6.2 腐蚀深度检测：先利用电子秤称量3片（5道设备）/4片（8道设备）腐蚀前硅片的质量，将此质量按顺序填写在工序腐蚀深度记录表中，同时记录好工艺条件（如腐蚀温度、传输速度等参数），并按照第1、3……5、7（第二次2、4、6、8）道的顺序装片投入腐蚀槽运行工艺制绒后按照放置顺序取出此称重硅片，再称量腐蚀后硅片的重量，填入表格，利用电子表格的公式直接求出腐蚀深度等值 硅片的单面腐蚀深度平均值为4.6-4.8微米，每次称量允许有一片的腐蚀深度不在该范围内，如果有大于1片超出此范围应当复测一次，如果仍有大于1片超出范围，应当立即通知当班工艺人员进行调整，记录更改参数并增加对腐蚀深度的检测，每半小时进行一次测量，直至测量结果符合标准要求后恢复正常称重频率。

6.3本规范规定的的各项工艺参数由技术部、车间协商确定，适用车间正常生产如需进行范围外调整或小规模车间工艺试验，需由技术部或车间技术人员认可并附相关技术试验单，同时检验时以相应试验单作为检验依据，无技术试验单的范围外调整一律视为违反工艺操作质量管理部有权对违反工艺的操作进行处罚7.注意事项7.1检查硅片或称重时要及时更换手套，在操作过程中保持硅片表面清洁，避免引起粘污7.2因工艺不断优化，在实验或实验性生产过程中参数调整或要求会超出此标准要求，为有效起到工艺监督作用，范围外工艺试验或调整必须得到相关技术部门认可，并有书面技术要求或范围作为新的依据扩散工序检验规范1.适用范围本规范适用于电池车间扩散工序的过程检验2.引用标准《扩散工艺操作规程》《四探针测试仪使用说明书》《少子寿命测试仪使用说明书》《多晶硅电池内控标准》3.检验项目3.1 检测项目：方块电阻3.2 工艺监督：少子寿命4.检验工具四探针测试仪、少子寿命测试仪5.检验标准5.1 硅片经Tempress扩散炉扩后方块电阻范围为：单点50-66Ω/sq，工艺控制目标为平均值583Ω/sq；Centrotherm扩散炉扩后方块电阻范围为：50-66Ω/sq，工艺控制目标为平均值583Ω/sq。

在全部90个(45个)点中允许有不多于4个（2个）点超出范围（>66Ω/sq或＜50Ω/sq），如果有多于4个（2个）点超出此范围为不合格，应当立即通知当班技术员进行处理允许直接下传方块电阻范围为45-70Ω/sq，超出此范围电池片需再利用，不允许直接下传5.2对扩散后硅片的少子寿命进行监测，并做相应记录，不作判定6.检验方法及判定规则6.1每班每种设备检测两次扩散后少子寿命，每次5片；对方块电阻可抽检，每班每管至少检测一次，方法如下：6.1.1 取片方法待硅片冷却后方可进行抽取测量，从source区到load区顺序均匀取出使用四探针测试仪对硅片的源面进行方块电阻测量，把数据按炉管进行汇总填入Excel表格6.1.2 方块电阻和少子寿命具体测试方法参照《四探针测试仪使用说明书》和《少子寿命测试仪使用说明书》，并详细记录相关数据6.1.3 方块电阻的测量值应符合5.1要求，如出现不符合情况，测试人员应立即通知车间工艺人员进行工艺调整，并将不符合内容进行记录对方块电阻进行跟踪检测，直到符合5.1要求6.2本规范规定的的各项工艺参数由技术部、车间协商确定，适用车间正常生产如需进行范围外调整或小规模车间工艺试验，需由技术部或车间技术人员认可并附相关技术试验单，同时检验时以相应试验单作为检验依据，无技术试验单的范围外调整一律视为违反工艺操作。

质量管理部有权对违反工艺的操作进行处罚7.注意事项7.1测试时必须首先带好洁净的检查手套，测试过程中要保证暗室不透光线，硅片冷却后方可测量7.2因工艺不断优化，在实验或实验性生产过程中参数调整或要求会超出此标准要求，为有效起到工艺监督作用，范围外工艺试验或调整必须得到相关技术部门认可，并有书面技术要求或范围作为新的依据 湿法刻蚀工序检验规范1.适用范围本规范适用于电池车间湿法刻蚀工序的过程检验2.引用标准《多晶硅电池内。