《2021年各地中考化学试题《中国芯片与硅》专题汇编》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2021年各地中考化学试题《中国芯片与硅》专题汇编（5页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、【中考试题汇编】中国芯片与硅试题专题汇编 1（2021北部湾）2020年华为公司推出全球首款采用塑料制作柔性屏幕的5G折叠手机，塑料属于（ ）A天然材料 B金属材料 C合成材料 D复合材料2（2021菏泽）芯片”是电子产品的核心部件氮化镓是制造芯片的材料之一，右图是镓元素（Ga）的原子结构示意图及元素周期表的一部分。下列说法不正确的是（ ）A镓属于金属元素，m3B镓化学性质比较活泼，易形成阳离子Ga3C镓元素的位置应该在Z处D镓的最外层电子数与Al相同3（2021苏州）硅元素在元素周期表中的信息如右图所示，下列说法正确的是（ ）A硅属于金属元素 B硅原子核内有14个质子C D硅元素是地壳中含量
2、最高的元素4（2021深圳）硅和锗都是良好的半导体材料。已知锗原子序数为32，相对原子质量为72.59。以下说法错误的是（ ）A硅为非金属 B硅的相对原子质量为28.09C D锗原子是由原子核和核外电子构成的5（2021邵阳）中科院已研制出石墨烯芯片，石墨烯芯片的主要成分是碳。请根据下图提供的信息，回答相关问题： 碳是第 周期的元素；碳的相对原子质量是 ； 与化学性质相似的是 （填序号）；和形成化合物的化学式是 。6（2021铜仁)化学在生产、生活中应用广泛。现有下列物质：硅；碳酸钙；木炭；黄金；生石灰；不锈钢。请选择合适的物质填空（填序号）：可用作食品干燥剂的是 ；可用于除去新轿车里的异味的
3、是 ；主要用于制备医疗器械、炊具的是 ,地壳中素含量排第二，且大量用于生产计算机芯片的是 。7（2021重庆）2020年11月我国用长征五号遥五运载火箭成功将嫦娘五号探测器送入太空，并成功从月球带回 173lg月壤，彰显了我国在航天领域的科技实力。硅单质制作的太阳能电池为探测器提供能源，已知硅的结构与金刚石相似，则硅单质由 （填“分子”“原子”或“离子”）构成。下列对1731g月壤成分的推测中，最不可能含有的是（ ）A铁矿石 B锌矿石 C塑料长征五号遥五运载火箭使用的燃料为液氢，其主要优点是 。已知MgH2可与水反应得到氢气和一种碱，其化学方程式为 。8（2021包头）我国研制的“天问一号”飞
4、船载着“祝融”号火星车成功着陆火星的乌托邦平原，标志着中国航天探索再创里程碑。火星车采用钛合金、铝合金、复合记忆纤维等材料制造，钛合金和铝合金属于 （选填“合成材料”、“复合材料”或“金属材料”）。工业制钛过程中的一个反应：，X的化学式为 。下图是工业制硅反应的微观示意图：写出该反应的化学方程式 ；硅片太阳能电池是将太阳能转化成电能，请说明太阳能电池的优点 （写出一点即可）。9（2021连云港节选）舱段建造使用的新型铝基碳化硅复合材料是由颗粒状的铝和碳化硅（SiC）复合而成。铝在空气中具有很好的抗腐蚀性能，原因是 。制取SiC的反应为。关于该反应说法正确的是 （填字母）。aSiO2是由Si原子
5、和O2分子构成b反应前后元素的化合价均未发生变化c反应后固体减少的质量等于生成的CO质量10（2021十堰）根据下列粒子结构示意图和部分元素周期表信息回答问题:图1中A是镓元素的原子结构示意图，其中x的值为 。图1中B是某元素的原子结构示意图。按出该元素在图2中的位置: （填序号）。镓元素广泛应用于第三代半导体材料中，它的化学性质与图2中（填序号） 位置的元素相似。11（2021梧州）结合元素周期表的相关知识，回答下列问题。氧原子结构示意图为，其最外层有 个电子。Na在化学反应中很容易失去一个电子变成 （填化学符号）。6号元素与1号元素形成一种原子个数比为1:4的化合物的化学式为 。二硫化钼（
6、MoS2）被认为是最有希望代替硅，成为未来应用在半导体、芯片等高精尖领域中的理想材料之一。确定Mo为42号元素是依据其 （填字母）。A质子数 B中子数 C化合价 D相对原子质量12.（2021青海）根据下图，回答问题：硅在北斗导航卫星中有着不可替代的作用，硅原子的质子数是 。A单质在空气中的体积分数约是 。写出B与C两种元素组成化合物的化学式 。13（2021北京）高纯CO可用于半导体领域某些芯片的刻蚀，利用甲酸（HCOOH）制取高纯CO的主要流程如下：甲酸中碳元素和氧元素的质量比为_。反应塔中甲酸分解的微现示意图如下，在方框中补全另一种产物的微粒图示_。反应塔中发生副反应产生微量CO2。洗涤器中加入NaOH溶液的目的是中和未反应的甲酸蒸气，并除去CO2，NaOH与CO2反应的化学方程式为_。参考答案14C、B、B、C。52；1；NaCl。6；。7原子；C；清洁无污染等；MgH22H2OMg（OH）22H2。8金属材料；H2O；SiO22C高温2COSi；节能减排，无污染等。9表面生成致密的氧化铝薄膜；c。1033；。118；Na；A。1214；78%；Na2S。133:8；
