电化学湿法刻蚀• 电解液：常温，0.3M草酸溶液 • 带有铟电极的GaN样品作为阳极 • Ag/Agcl电极作为参考电极• 加恒定电压 • 刻蚀完，分别用去离子水，乙醇，戊烷清 洗装置图掺杂Si的GaN结构刻蚀速率与偏压和掺杂浓度刻蚀速率与偏压和掺杂浓度• 利用n-typeGaN横向选择性电化学刻蚀技术 成功地从蓝宝石衬底上剥离了大面积 (>1x1mm2)1微米厚的无裂纹的GaN薄膜• N-tyPeGaN的硅掺杂浓度为5X1018/cm,外加 偏压变化从10V到25V孔尺寸和偏压成孔率和尺寸掺杂浓度的影响• 高硅掺杂浓度下,孔尺寸度相对比较大,孔 密度比较低;高硅掺杂浓度下,孔尺寸变小而 孔密度较高,而且没有发现相对比较大的孔 • 孔洞率随硅掺杂浓度增加逐渐增大• 可以制备均匀的大面积多空GaN材料不受电 极接触位置的影响偏压和掺杂浓度• 刻蚀可以得到三种不同的区域:无刻蚀区,多 孔结构区和电化学抛光区在多孔结构区, 孔尺寸和孔洞率可以通过外加偏压和GaN硅 掺杂浓度来调节方法一• N-GaN浓度 1019/c • 第一步(10V)形成的多孔GaN的孔洞率相对比 较低(~30% m 3) • 第二步(15V)形成的多孔GaN的孔洞率比较高 (~50% m 3) • 剥离下来的多孔GaN的厚度大约为1微米方法2• N-GaN样品的硅掺杂浓度分 • 分别为3*108(上层)和1019 (下层) • 恒定外加偏压为15VN-GaN 3×1018/cm3 1μmN+ GaN 1×1019/cm3 2μmUID 2μmN-GaN 5×1018/cm3 2μmUID 2μm。