电子元件基础知识2011-08-22 By Neil Wu一、电阻 1、表示符号为“R”，基本单位是Ω，功率用Ｗ表示在电路（板）中一般有以下表示方式:2、种类：常见的电阻器有下列几种: （1）金属膜电阻器 （2）碳膜电阻器 （3）金属氧化膜电阻器 （4）线绕电阻器 （5）电位器 （6）贴片电阻(排阻） （7）水泥电阻 （8）敏感电阻器（另行介绍 ） 3、电阻的主要参数: （1）标称阻值 （2）允许误差 （3）额定功率 （4）最大工作电压 （5）额定电压 （6）温度系数 4、电阻的常见标识方式： （1）色环法（常见于插件类）：常见的有四环电阻和五环电阻2）工程编码法：用三位数字和四位数字表示 a、三位码：前两位是有效数字，第三位是有效数字后面0 的个数 （a）、三位数字的三位码： 范例 ：①：100:10100=10②：562:56 102 =5.6k③：203:20 103=20k（b)、数字字母组合代码的三位码: 范例：68C 查代码表：68为499，C为102 ，68C=499 102=49.9k数字代码—数值对照表代码数值代码数值代码数值代码数值01100251784931673562 02102261825032474576 03105271875133275590 04107281915234076604 05110291965334877619 06113302005435778634 07115312055536579649 08118322105637480665 09121332155738381681 10124342215839282698 11127352265940283715 12130362326041284732 13133372376142285750 14137382436243286768 15140392496344287787 16143402556445388806 17147412616546489825 18150422676647590845 19154432746748791866 20158442806849992887 21162452876951193909 22165462947052394931 23169473017153695953 24174483097254996976字母—乘数对照表字母代码ABCDEFGHXYZ应乘的数10010110210310410510610710-110-210-3 b、四位码：前三位是有效数字，第四位是有效数字后面0的个数。
范例 ：①：1000：100100=100②：5602：560 102 =56k ③：2003：200103=200k5、ERP系统规格描述： 种类+标称值+允许误差+额定功率+（特殊标示）+封装+环保标示 范例：RES MF 10ohm 5% 1Ws GP 6、标准阻值一览表：标准阻值一览表二、电容器1、表示符号为“C”，单位是F1F=106uF=109nF=1012pF在电路（板）中一般有以下表示方式:2、种类： （1）、从结构上分有：固定电容和可调电容 （2）、从构造上分有：a、有极性电容：电解电容、钽电容等 b、无极性电容：云母电容、纸质电容、瓷片电容等 3、电容的主要参数: （1）标称容量 （2）允许误差 （3）额定电压 （4）工作温度 （5）频率特性 （6）损耗 4、标示方式：一般采用直标法 5、我司常用电容器介绍： （1）、多层陶瓷电容器（MLCC） ¤主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性 好等 ¤应用：广泛应用于电子精密仪器，各种小型电子设备作谐振、耦合、滤 波、旁路等。
¤温度特性：电容随温度变化曲线注意：选用时依电路要求选择不同温度曲线的电容 ，须注意工作电压，工作温度，温度特性，价格等 因素►Lc：漏电流=kCV，k为常数(不同系列该常数不同)，C为电 容量，V为工作电压 ► Vrms ：纹波电压 ► Irms ：纹波电流 ► ESR ：等效串联电阻（ Vrms = Irms × ESR） ► Q：品质因数 ►tanθ：损耗角 ► DF：损耗因子 ► Xc：容抗（2）、铝电解电容 ¤主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 ¤应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 ¤电容几个重要参数：电解液的损耗：v漏电流所引起的电化学效应消耗电解液v铝电解电容器的寿命随漏电流增加而减少v漏电流随温度的升高而增加： 25℃时漏电流仅是85℃时的不到十分之 一v漏电流随施加电压升高而增加：耐压为400V的铝电解电容器在额定电压 下的漏电流大约是90%额定电压下的漏电流的5倍► UR: 额定电压 ► US :浪涌电压 ► UF :化成电压 铝电解电容的电流--电压特性影响电容寿命的因素：v温度过高（温度每升高10℃，寿命小时数减半）v纹波电流过大v工作电压过高（3）、安规电容 安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. X电容：指跨于L-N之间的电容器 Y电容：指跨于L-G/N-G之间的电容器 v X电容，聚苯乙烯（薄膜乙烯）电容，聚苯乙烯 的耐电压较高，适合EMI 电路 的高压脉冲吸收作用。
vY电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流 过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的Y电容除符合相应的电网 电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避 免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全 具有重要意义 v安规电容的参数选择：额定电压，电容量，耐压，使用温度，种类等安规电规电容安全 等级级绝缘类绝缘类 型额额定电压电压范围围Y1双重绝缘 或加强绝缘≥ 250VY2基本绝缘 或附加绝缘≥150V ≤250VY3基本绝缘 或附加绝缘≥150V ≤250VY4基本绝缘 或附加绝缘2.5kV ≤4.0kVIIIX2≤2.5kVIIX3≤1.2kV——（4）、陶瓷电容（高介电常数）: 一般有湿式和干式两种，湿式包封层为酚醛树脂（土黄色）， 一般耐压小于2KV，超出2KV一般采用包封层为环氧树脂的干 式陶瓷电容（蓝色） 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差，由于压电效应 易产生噪音 应用：电源中主要应用于吸收回路常用温度特性有Y5P，Y5U，Y5V，Z5U，Z5V这几种三、半导体 （一）、二极管 1、在电路（板）中一般有以下表示方式:2、二极管的分类v按构造分有：硅二极管（VF≈0.7V）和锗二极管（VF≈0.3V）v按种类分有：整流二极管、快恢得二极管、肖特基二极、开关二极管 、稳压二极管、发光二极管等3、二极管的主要参数: ► IF---正向直流电流 ► Cj---结电容 ► IFSM---正向浪涌电流 ►IR---反向漏电流 ► Tj---结温 ► VF---正向压降 ► trr---反向恢复时间 ► VRM---反向峰值电压 ► VRRM---反向浪涌电压 ► VRWM---反向工作峰值电压 ► VR---反向工作电压 ► V（BR）---击穿电压 ► Vz---稳定电压 ► Iz---稳定电压电流（二）、三极管 1、在电路（板）中一般有以下表示方式:2、二极管的分类v从结构上分有：硅三极管和锗三极管，当中又分PNP型和NPN型v从频率上分有：低频管、高频管、超高频管v从功率上分有：小功率管、中功率管、大功率管3、三极管的主要参数: vIc---集电极直流电流或交流电流的平均值vICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均vVCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间的最高耐压vVEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间的最高耐压vVCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间的最高耐压vhFE---共发射极静态电流放大系数5、晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零， 集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集 电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态 。
放大状态：当加在发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的 值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集 电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数 β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态 饱和导通状态：当加在发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流 增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是 处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极 与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态 三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态 4、三极管结构与电路符号：（三）、场效应管（MOS） 1、在电路（板）中一般有以下表示方式:MOSMOS场效应管分类场效应管分类: :2、场效应管的分类IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)四种四种MOSMOS场场效应管比较效应管比较q 电路符号及电流流向SGD IDNEMOSSGDIDNDMOSSGD IDPDMOSSGD IDPEMOSq 转移特性3、MOSFET的主要参数: v漏、源间击穿电压BVDSS 在场效应管输出特性曲线上, 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的VDS。
v饱和漏极电流IDSS它的定义是当栅源之间的电压VGS等于零, 而漏、源之间的电压VDS大于夹断电压 UP时对应的漏极电流v导通电阻RDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID 电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的 漏-源电阻，除非另有规定v夹断电压UP其定义为当VDS一定时,使ID减小到某一个微小电流(如1μA, 50μA)时所需的VGS值 v门槛电压VGS(th)（开启电压UT）其定义是当VDS一定时, 漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的VGS值v栅源间击穿电压BVGS由于栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层, 当VGS过高时, 可能将绝缘层 击穿, 使栅极与衬底发生短路这种击穿属于破坏性击穿, 即栅、 源间发生击穿, MOS管立即被损坏v极间电容包括CGS、CGD和CDS这些极间电容愈小, 则管子的高频性能愈好 vCiss ：输入电容将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容Ciss 是由 栅漏电容Cgd 和栅源电容Cgs 并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。
因此驱动电路和Ciss 对器件的开启和关断延时有着直接的影响vCoss ：输出电容将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容Coss 是由 漏源电容Cds 和栅漏电容Cgd 并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss 非常重要，因为它可能引起电路的谐振vCrss ：反向传输电容(米勒电容)在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容反向传输 电容等同于栅漏电容（ Cres =Cgd ）对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响着关断延时时 间v漏极最大允许耗散功率PD（PD=IDxVDS）这部分功率将转化。