单晶硅多晶硅，非晶硅简介及区别名称:单晶硅英文名：Monocrystalline silicon分子式:Si单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分硅的单晶 体，具有基本完整的点阵结构的晶体不同的方向具有不同的性质 ，是一种良好的半导材料纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%以上用于制造半导体器 件、太阳能电池等用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长 成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅单晶硅具有准 金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电 性超纯的单晶硅是本征半导体在超纯单晶硅中掺入微量的川 A族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的V A族元素，如磷或砷也可提 高导电程度，形成n型硅半导体单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅 撚后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅单晶硅主要用于制作半导体 元件用途:是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极 管、开关器件等名称:多晶硅英文名:polycrystalline silicon性质:灰色金属光泽。
密度2.32~2.34熔点1410C沸点2355C溶于氢氟 酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切 割时易碎裂加热至800E以上即有延性，1300C时显出明显变形常温下不活泼, 高温下与氧、氮、硫等反应高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任 何材料作用具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大 大影响其导电性多晶硅是单质硅的一种形态熔融的单质硅在过冷条件下凝固时 ，硅原子以金 刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结 合起来，就结晶成多晶硅多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主 要表现在物理性质方面用途:电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化 ,再经冷凝、精馏、还原而得名称:非晶硅英文名：amorphous silicon非晶硅是一种直接能带半导体，它的结构内部有许多所谓的悬键”也就是没有 和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流，并不需要声子 的帮助，因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点•非晶硅的制备：由非晶态合金的制备知道，要获得非晶态，需要有高的冷却速率， 而对冷却速率的具体要求随材料而定。
硅要求有极高的冷却速率，用液态快速淬火 的方法目前还无法得到非晶态近年来，发展了许多种气相淀积非晶态硅膜的技术 其中包括真空蒸发、辉光放电、溅射及化学气相淀积等方法一般所用的主要原料 是单硅烷（SiH4、二硅烷（Si2H6、四氟化硅（SiF4等，纯度要求很高用途:可以制成非晶硅场效应晶体管；用于液晶显示器件、集成式a— Si倒相 器、集成式图象传感器、以及双稳态多谐振荡器等器件中作为非线性器件 ；利用非晶硅膜可以制成各种光敏、位敏、力敏、热敏等传感器 ；利用非晶硅膜制做静电复印感光膜，不仅复印速率会大大提高，而且图象清晰，使用寿命长；等等单晶硅、非 晶硅、多晶硅的区别1. 区别晶体非晶体？日常所见到的固体分为非晶体和晶体两大类，非晶体物质的内部原子排列没有 一定的规律，当断裂时断口也是随机的，如塑料和玻璃等，而称之为晶体的物质，外形呈 现天然的有规则的多面体，具有明显的棱角与平面，其内部的原子是按照一定的规律 整齐的排列起来，所以破裂时也按照一定的平面断开，如食盐、水晶等2. 区别单晶体和多晶体？有的晶体是由许许多多的小晶粒组成，若晶粒之间的排列没有规则，这种晶体称 之为多晶体，如金属铜和铁。
但也有晶体本身就是一个完整的大晶粒，这种晶体称之 为单晶体，如水晶和晶刚石3. 单晶硅与多晶硅光伏电池的比较？单晶硅电池具有电池转换效率高，稳定性好,但是成本较高多晶硅电池成本低， 转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池，材料中的各种缺陷，如晶界、位错、微缺陷， 和材料中的杂质碳和氧，以及工艺过程中玷污的过渡族金属.。