单击此处编辑母版标题样式,,单击此处编辑母版文本样式,,第二级,,第三级,,第四级,,第五级,,*,,*,PSS,的生产工艺及原理,,PSS,介绍,,PSS,工艺,——,清洗、光刻、刻蚀,,质量标准,主要内容,蓝宝石应用,蓝宝石应用,军用光电设备,背光光源,GaN,的外延衬底基片,激光,LED,灯装饰,Why Patterned Sapphire Substrate,PSS,作用：,,增加出光效率,,减少外延位错密度,Why Patterned Sapphire Substrate,PSS examples,stripe,,(B),凸,grid array,,(C),凹,grid array,,(D) dome,(E) cone,,(F) columnar form,,(G) sub-micron pattern,,(H) sub-micron pattern using metal-assembly,图形转移技术,-,干法刻蚀,,图形转移技术,-,湿法腐蚀,1min,1.5min,2.5min,3min,溶液,H2SO4:H2PO3,,=3:1,在,290,℃对有图,,形,sio2,的蓝宝石衬底,,进行湿法腐蚀。
不同的腐蚀时间,PSS,图形变化纳米压印的工艺,阳极氧化铝（,AAO,）技术,优势：,,图形尺寸小，可以克服曝光缺陷，,,过程简单，没有显影，烘烤等步骤缺点：,,掩模板昂贵气泡等匀胶缺陷还存,,在纳米,PSS,需要,LED,工艺进一步验证优势：,,工艺设备简单，成本低不需要模板，图形可以做到纳米尺寸缺点：,,图形一致性较差，大面积转移有难度纳米压印技术,阳极氧化铝技术,,,图形转移技术,中镓,PSS,模型,干法刻蚀,,Cone,湿法腐蚀,,Mitsubishi Cone,表：,PSS,模型标准,PSS,模型,二、,PSS,制程,清洗,,光刻,,蚀刻,,二、,PSS,制程,,工艺流程图,清洗,去胶,检查,前部工艺,刻蚀,清洗,检测,&,包装,,,表面处理,涂胶,软烘,坚膜,显影,后烘,对准,,&,,曝光,核心工艺,1,、清洗,PSS,生产中，如果蓝宝石表面有沾污或有金属离子时，则,:,,1,、光刻工序中，杂质会使涂胶不均匀，沾润不良，从而导致图像 不清晰，高度和尺寸改变，大大降低成品率2,、同时使在其上生长的,LED,性能变坏，反向饱和电流增大1.1,、清洗的作用和意义,1,、清洗,类别,常用清洗剂,主要作用,有机溶剂,丙酮,,,异丙醇,,，三氯乙烷,相似相溶原理，去除有机沾污,无机酸,硫酸，磷酸，硝酸,腐蚀作用,氧化剂,双氧水，浓硫酸，硝酸,氧化还原作用,双氧水,,洗液,1,号液,(APM):NH,4,OH:H,2,O,2,:H,2,O,,2,号液,(HPM): HCl:H,2,O,2,: H,2,O,,3,号液,(SPM): H,2,SO,4,: H,2,O,2,: H,2,O,强氧化性，可去除无机及有机沾污,,（不同配比有不同效果）,络合剂,盐酸、氢氟酸、氟化铵,络合作用，去除金属杂质,1.2,、湿法清洗,1,、,清洗,1.3,、干法,plasma,清洗,等离子体清洗设备作为一种精密干法清洗设备，应用于半导体、厚膜电路、元器件封装前、,COG,前、真空电子、连接器和继电器等行业的精密清洗，塑料、橡胶、金属和陶瓷等表面的活化以及生命科学实验等 。
主要优点：,,可以有效去除残胶等有机物黏附，大大降低颗粒缺陷，同时也可以改变表面状况，灵活控制表面的亲水特性清洗质量直接影响下面的各道工艺，如圆晶表面有残胶等污染在匀胶会产生颗粒，在,ICP,容易产生盲区死区，蚀刻后再清洗不容易再洗干净；圆晶表面黏附性不好在显影会产生脱胶故必须严格控制圆晶的清洗，从源头把好关1,、清洗,涂胶后,显影后,刻蚀后,2,、光刻,光刻胶,,表面处理,,涂胶,,前烘,,曝光,,后烘,,显影,,坚膜,,显影后检查,2,、光刻基本工艺流程,旋转涂胶,对准和曝光,显影,步进式曝光,2.1,光刻胶,光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化涂胶方式有两种，静态滴胶和动态滴胶晶片制造中所用的光刻胶通常是以动态,,涂在晶片表面，而后被干燥成胶膜负性光刻胶在曝光后,硬化变得不能溶解,正性光刻胶在曝光后,软化变得可以溶解,抗蚀剂有两个基本功能：精确图形形成和刻蚀时保护衬底,抗蚀剂本身拥有一系列材料特性包括：,,a),、光学性质：分辨率、感光灵敏度和折射率；,,b),、机械及化学性质：固体成分含量、粘度、附着力、抗蚀能力、热稳定性、流动特性及对环境气氛如氧气的灵敏度；,,c),、有关加工和安全性能：清洁（颗粒含量）、金属杂质含量、工艺宽容度、贮藏寿命、闪点和安全极限浓度,(TLV,，毒性的测量,),2.1,光刻胶特性,分辨率：显影溶胀、邻近效应、光刻胶厚度,2.2,表面处理,光刻胶粘附要求要在严格的干燥、非极性表面，而晶圆容易吸附潮气到其表面，,,故在涂胶之前要进行,脱水烘烤,和,黏附剂的涂覆,。
脱水烘焙的温度通常在,140℃,到,,200℃,之间有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使用,HMDS,（六甲基二硅胺脘）是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬底和光刻胶种类决定,表面处理主要作用是提高光刻胶与衬底之间的粘附力，使之在显影过程中光刻胶,,不会被液态显影液渗透2.3,涂胶,为了维持有效的涂胶过程，应该控制的涂胶程序还有：,,缺陷的产生、涂覆环境、圆晶的处理和存储,涂胶过程有许多方式引入缺陷，减少其产生的步骤包括：,,a),、前烘前抗蚀剂膜是粘性的，易于俘获空气的颗粒应在,100,级或更好的环境涂胶,,b),、抗蚀剂本身必须是干净的，直径在,0.2micro,左右的颗粒全无使用前的过滤,,c),、抗蚀剂溶液中必须没有空气使用前静置一天，使溶液的空气和气体逸出,,d),、径向抗蚀剂条纹，是由不均匀的溶剂蒸发引起的旋转盘排出的气流不均匀,,e),、旋转盘应该设计防溅挡板以免抗蚀剂液滴旋转到圆晶外,,f),、把抗蚀剂喷到圆晶上的喷嘴应安置在靠近圆晶表面处，以防止溅射效应,,g),、喷嘴的回吸装置，把多余的抗蚀剂通过喷头回到供应线，但会在喷头产生气泡,,h),、吸盘应该设计正确，吸盘直径应足够大，以始终如一地吸住圆晶和防止破损,,,,缺陷：黑点，麻点，漩涡，圆晕，散射，针孔。
2.3,涂胶主要缺陷,2.3,涂胶质量标准,PSS,涂胶要求：,, :,厚度,2.95um,—,3.05um,；,,,:,均匀性≤,1%,；,,,:,边宽≤,0.3um,,:,颜色一致（无彩纹，无颗粒，无麻点）,技术指标：厚度控制；均匀性控制；边宽控制,厚度控制：与主转速成反比关系均匀性：与设备性能（加速度）有关边宽：背洗控制2.4,前烘,目的是包括：,,1,、蒸发掉抗蚀剂中的溶剂，这使得膜中的溶剂浓度由,20-30%,降到,4-7%,2,、提高抗蚀剂的粘附力，有利用显影时更好的粘附3,、由旋转过程中的切力引起的应力退火前烘可在热板或烘箱中进行每一种光刻胶都有其特定的前烘温度和时间,,光刻胶越厚，所需要烘烤的时间越长,热板：直接加热,烤箱：热对流,2.4,前烘,烘烤过度：减少光刻胶中的感光成分的活性；,,前烘不足：光刻胶中的溶剂不能完全被蒸发掉，这将阻碍光对胶的作用并且显影,,到其在显影液中的溶解度；残余的溶剂越多，显影剂中溶解的速率越,,,高，,,肌肤效应：,应建立前烘和曝光之间的关系，,,曝光抗蚀剂的溶解速率和前烘温度之间的关系,2.5,对准,&,曝光,曝光工具：,,A,、接触式光刻机,,B,、接近式光刻机,,C,、步进重复式曝光系统,,D,、扫描式曝光系统,NSR,Utratech,2.5,曝光工艺控制,1,、环境影响,,2,、光刻胶影响,,3,、曝光灯,,4,、掩膜板工艺,,5,、晶片质量,,6,、曝光时间、强度分布,,7,、聚集、步进设置等,2.5,曝光工艺,——,能量,2.5,曝光工艺,——DOF,2.5,曝光工艺,——ALIGNMENT,对准机制：在,wafer,曝光台上有一基准标记，可以把它看作是坐标系的原点，所有其它的位置都相对该点来确定，分别将掩模版和硅片与该基准标记对准就可确定它们的位置，在确定了二者的位置后，掩模版上的图形转移到硅片上就完成了对准过程；在多次光刻中，除了第一光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。
三角,拼接异常,2.5,曝光缺陷,2.6,后烘,使曝光后光刻胶中有机溶剂得到挥发,减少驻波影响,主要用于负胶工艺,2.7,显影,用化学显影液将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解就是光刻胶的显影，,,其主要目的就是把掩膜版的图形准确复制到光刻胶中,常见的显影液有：,NaOH(Shipley 351,），,KOH(Shipley 606,），,TMAH,等,2.8,坚膜,坚膜就是通过加温烘烤使光刻胶更牢固地黏附在晶圆表面，并可以增加,,胶层的抗刻蚀能力，坚膜并不是一道必需的工艺,好处：,,能够改善光刻胶的抗刻蚀、注入能力,,改善光刻胶与晶圆表面的黏附性，有利于后续的刻蚀工艺,,改善光刻胶中存在的针孔,弊端：,,可能导致光刻胶的流动，使其图形精度减低,,通常会增加去胶的难度,,2.9,光刻质量检查,2.9,光刻质量检查,3,、刻蚀,刻蚀设备,,刻蚀原理,,刻蚀工艺控制,3,、,ICP,ICP,设备腔体示意图,系统主要有四部分组成：,,1,、能量产生系统,,2,、真空系统,,3,、温度控制系统,,4,、气路部分,3.1 ICP,设备腔体示意图,：,3.2,刻蚀原理,,3.2,刻蚀原理,3.3,刻蚀工艺控制,,3.3,刻蚀工艺控制,产品测试位置,图形高,H,：,1.55±0.15um,,图形底,B,：,2.45±0.15um,,,图形间,S,：,0.55±0.15um,,片内图形高度、底径均匀性,≤,5%,,,间距均匀性≤,10%,,,三、质量标准,图形高度,H,：,1.35±0.15um,,图形底径,B,：,2.45±0.25um,,,图形间,S,：,0.55±0.25um,,片内图形高度、底径均匀性,≤,5%,,间距均匀性≤,10%,,图形高,H,：,1.55±0.15um,,图形底径,B,：,2.2,－,2.3um,或,2.6,－,2.8um,,,图形间距,S,：,0.3,－,0.4um,或,0.6,－,0.8um,,片内图形高度、底径均匀性,≤,5%,,间距均匀性≤,10%,,A2,品尺寸标准,,（判断时以,A,品规则优先）,A3,品尺寸标准,,（判断时以,A,品规则优先）,,,,,死区,盲区,污染,彩纹,图形不规则,刮伤,污染,马赛克,彩纹数据,不同马赛克情况,PSS,衬底,LED,波长均匀性比较,马赛克效应使波长均匀性变的相对较差。
无马赛克 轻度马赛克 重度马赛克,无马赛克 轻度马赛克 重度马赛克,马赛克效应对样品发光亮度均匀性没有明显影响,不同马赛克情况,PSS,衬底,LED,亮度比较,尺寸缺陷,,平均高度,H <1.2um,，,>1.8um,；底径,B<2.2um,或,>2.7um,；间距,S>0.8um,或,<0.3um,,；,,,外观缺陷,,,关于边宽：边宽,> 2mm,，彩纹,>2mm,，边宽,+,彩纹,>,,2 mm,；,,,,,以面积为单位：刮伤、死区、污染、匀胶缺陷，累计面积,>10,m,㎡,；,,,以曝光场为单位：,3.5mm x 3.5mm,曝光场的严重马赛克（马赛克场,>5,个或存在严重突出马赛克的）；,,,以晶片完整：晶片缺损（如：边沿缺损），碎片（设备故障、人为操作、晶片不良等原因导致）；,,不合格品标准,AA,品,：,0,分；,,A,品,：尺寸符合,A,标准，外观缺陷为,1,—,2,分者,,A2,品,：尺寸符合,A2,标准、外观缺陷为,0,—,2,分且不构成不合格者,,A3,品,：尺寸符合,A3,标准、外观缺陷为,0,—,2,分且不构成不合格者,,B1,品,：单个缺陷分值在,3,分及以上，含,1,类外观缺陷且不构成不合格者,,B2,品,：累计缺陷分值在,3,分及以上，含,2,类外观缺陷且不构成不合格者,,B3,品,：累计缺陷分值在,3,分及以上，含,3,类及以上外观缺陷且不构成不合格者,注：,,单个缺陷面积符合上述规则，但累积缺陷面积在,0.2m㎡-0.4m㎡,—,0,分；,0.4m㎡ <,累积缺陷面积,<0.8m㎡,—,1,分； 累积缺陷面积≥,0.8m㎡,—,3,分,；,,均匀性计算方法：（最大值,-,最小值）,/,（最大值,+,最小值）*,100%,；,合格品标准,台湾兆巍科技股份有限公司,—PSS,检测标准,。