工作原理部分 压力传感器可以广义地分为三类：压阻式压力传感器、电容式压力传感器和压电式压力传感器2.1压阻式压力传感器压阻式压力传感器的压力敏感元件是压阻元件，它是基于压阻效应工作的所谓压阻元件实际上就是指 在半导体材料的基片上用集成电路工艺制成的扩散电阻，当它受外力作用时，其阻值由于电阻率的变化 而改变扩散电阻正常工作时需依附于弹性元件，常用的是单晶硅膜片图1是压阻式压力传感器的结构示意图压阻芯片采用周边固定的硅杯结构，封装在外壳内在一块圆 形的单晶硅膜片上，布置四个扩散电阻，两片位于受压应力区，另外两片位于受拉应力区，它们组成一 个全桥测量电路硅膜片用一个圆形硅杯固定，两边有两个压力腔，一个和被测压力相连接的高压腔， 另一个是低压腔，接参考压力，通常和压大气相通当存在压差时，膜片产生变形，使两对电阻的阻值 发生变化，电桥失去平衡，其输出电压反映膜片两边承受的压差大小2.2 MEMS技术的智能化硅压阻传感器工作原理为了将压力信号转化为电信号，采用应变原理将惠斯顿检测电桥通过MEMS技术制作在单晶硅片上，使得 单晶硅片成为一个集应力敏感与力电转换为一体的敏感元件如图2所示当硅芯片受到外界的应力作用时,硅应变电桥的桥臂电阻将产生变化，一般都为惠斯顿电桥检测模式。
如 图3所示其输出电压表示为：Vo=VBAR/R(R1=R2,R3=R4, AR1=AR2, A R3=R4)因为电阻的变化直接与应力P有关,则:Vo=SPVB土Vos式中：Vo为输出电压，mV； S为灵敏度，mV/V/Pa； P为外力或应力，Pa； VB为桥压，V； Vo为零位输出, mV单一的硅片芯片只能作为一个检测单元的一部分无法独立完成信号的转换,所以必须有特定的封装使其 具备压力检测的能力将图2中的硅片芯片与PYREX玻璃环静电封接在一起PYREX玻璃环作为硅芯片的 力学固定支撑弹性敏感元件并且使硅芯片与封装绝缘,PYREX玻璃环的孔恰好成为了传感器的参考压力腔 体和电极引线腔体其结构如图4所示图4的敏感芯体封接在金属螺纹底座上形成进压的腔道后，成 为一个可安装的压力测量前端，见图5此封装技术可以承载至少15MPa的压力，若经特殊处理可承载 lOOMPa的压力3 技术性能分析 通过静态特性测试，MEMS技术的智能化硅压阻传感器的技术指标如下：重复性小于±0.2%满量程 迟滞小于 0.1%满量程 非线性小于±0.1%满量程 灵敏度为 0.02V/kpa 该传感器的分辨率为 100pa 该传感器的过载能力达 200% 而普通压阻式压力传感器(如 HZ-PRC-802 型)技术指标： 测量精度为 0.5%(包含线性、重复性、迟滞指标)灵敏度为土 0.02%FS/°C 瞬时过载为两倍满量程 可见，MEMS技术的智能化硅压阻传感器是高稳定性、高灵敏度、宽温度范围、小封装尺寸和高质量的独 特组合。
其具有更大的应用优势4 应用于汽车的MEMS技术智能化硅压阻式压力传感器的信号智能调理设计如图3传感器输出电压信号，Vo=VBAR/R(Rl=R2, R3=R4,AR1=AR2,AR3=R4)在理想状态下其信号输 出是一个线性变化值但是单晶硅材料的传感器属于半导体传感器其受温度的影响比较大这使得传感 器在环境温度变化时输出呈现变化，影响读出精度对图3的电桥加入温度对电桥的影响，得出下 式：V0=VB △ R/(R+ △ Rt)理想状态下若△ Rt=0，则V o=VBAR/R，但是在汽车应用环境中温度的影响很大，所以必需采用补偿技术 图6为一组实测得的未补偿过的传感器的宽温度范围温度压力曲线图显而易见，在汽车常用的工作温区, 温度引入的读出误差达到了 10%左右，这显然是不允许的传统的补偿方法是在桥臂上串并联电阻法补偿, 为提升工作效率采用激光修调预先制作在陶瓷基板上的厚膜电阻网络的办法来实现但是此法有很多的 缺点和局限性，并且宽温度区的补偿后精度也仅为2%~3%,达不到汽车测压的要求通过采用数字化的信号 处理将传感器的微弱信号转化为标准电压信号,并且植入模型算法将输出的标准信号补偿到一定的精度 范围内，是当代最新的传感器信号调理技术。
IOC力 11号■岀1〜华位压力僧号输出* 2-满度压力信号榆出■，S/ "*煤•fi-. f-.KH fti"'信号处理链路框图，图7所示在温度传感器的辅助作用下通过信号转换开关分时读取压力与温度的数值,通过可编程增益放大器将微 弱信号放大，再经过ADC量化传感器的信号进入数字处理器计算当前温度和压力下的补偿后压力输出给 数模转换DAC输出模拟信号而温度补偿则可以通过通讯接口将参数写入EEPROM供数字处理器计算时 调用如此多的功能部件均可集成制作在一块单一芯片上，使得ASIC电路很容易和MEMS技术制作的压力 敏感芯片封装在一个小巧的壳体中在宽温度范围内实测校准后的传感器有效抑制了温度变化对其产生的影响如图8所示的多只标准信号 输出的传感器宽温度校准数据曲线：不难看出，在宽温度工作环境下采用此法校准的传感器的读出温度已 达到宽温度的高精度测量要求,且通过多通道的通讯接口进行校准的方法与批量制造技术兼容，实现制造 车用传感器的高性价比的要求T-sensor-0®6⑥◎(&②⑦S0;亠/UT201 一L ■： k：
通过性能分析，得出了 MEMS技术硅压阻传感器于汽车应用上的优势地位在汽车的常用温区，对读出精 度有很高的要求，而现代MEMS技术硅压阻传感器通过信号智能调理设计，很好地满足了这个要求随着汽车工业在我国的发展，MEMS技术硅压阻传感器将呈现大的增长趋势电阻式传感器工作原理及结构图解分析电阻式传感器种类繁多，应用广泛，其基本原理就是将被测物理量的变化 转换成电阻值的变化，再经相应的测量电路显示或记录被测量值的变化9.2.1电阻应变式传感器应变式传感器是基于测量物体受力变形所产生应变的一种传感器，最 常用的传感元件为电阻应变片应用范围：可测量位移、加速度、力、力矩、压力等各种参数丄应变式传感器特点变式传感器特点① 精度高，测量范围广；② 使用寿命长，性能稳定可靠；③ 结构简单，体积小，重量轻；④ 频率响应较好，既可用于静态测量又可用于动态测量；⑤ 价格低廉，品种多样，便于选择和大量使用1、应变式传感器的工作原理(1)金属的电阻应变效应金属导体在外力作用下发生机械变形时，其电阻值随着它所受机 械变形(伸长或缩短)的变化而发生变化的现象，称为金属的电阻应变效应场=警=(1 + 2妙+警 公式推导：若金属丝的长度为L，截面积为S，电阻率为P，其未受力时的电阻为R，贝V：如果金属丝沿轴向方向受拉力而变形，其长度L变化dL,截面积S变 化dS,电阻率P变化初，因而引起电阻R变化dR。
将式(9. 1)微分，整理可 得：dR dL dhi dp 二 — 十 R L p(9.2) 对于圆形截面有：Em'dS S =Z——(9.3) 辺！=石为金属丝轴向相对伸长，即轴向应变；而釧F则为电阻丝径向 相对伸长，即径向应变，两者之比即为金属丝材料的泊松系数口，负号表示符 号相反，有：cir 辺——=―甘 =—遁(9.9) 将式(9.9)代入(9.3)得：(9.5)将式（9.5）代入（9.2）,并整理得： 爷=〔1 +如占+乡◎泄=（1 +如+泌或K0称为金属丝的灵敏系数，其物理意义是单位应变所引起的电阻相对变化K0称为金属丝的灵敏系数，其物理意义是单位应变所引起的电阻相对变化公式简化过程:由式 可以明显看出，金属材料的灵敏系数受两个因素影响：一个是受力后材料的几何尺寸变化所引起的，即（1 +却）项；另一个是受力 后材料的电阻率变化所引起的，即備湖左项对于金属材料〔则和吕项比 （1 +剳）项小得多大量实验表明，在电阻丝拉伸比例极限范围内，电阻的相对 变化与其所受的轴向应变是成正比的，即K0为常数，于是可以写成：(9.8)通常金属电阻丝的K0=1.7〜4.6通常金属电阻丝的K0=1.7〜4.6。
2）应变片的基本结构及测量原理应变片的基本结构结构简介>>l称为栅长（标 距），b称为栅宽（基 宽），bXl称为应 变片的使用面积应 变片的规格一般以 使用面积和电阻值 表示，^口 3X 20mm2， 120Q电阻丝应变片是用直径 为0.025mm具有高电阻率 的电阻丝制成的为了获得 高的阻值，将电阻丝排列成 栅状，称为敏感栅，并粘贴 在绝缘的基底上电阻丝的 两端焊接引线敏感栅上面应变式传感器是将应变片粘贴于弹性体表面或者直接将应变片粘贴于 被测试件上弹性体或试件的变形通过基底和粘结剂传递给敏感栅，其电阻值 发生相应的变化，通过转换电路转换为电压或电流的变化，即可测量应变若 通过弹性体或试件把位移、力、力矩、加速度、压力等物理量转换成应变，则 可测量上述各量，而做成各种应变式传感器。