泓域咨询/自贡光刻胶项目投资计划书报告说明半导体工业沿摩尔定律向前发展，光刻技术是基石摩尔定律的延续离不开光刻技术的进步，目前全球最为顶尖且实现量产的光刻工艺为台积电的5nm制程工艺（2020年），3nm制程工艺预计将于2022年正式投产而大陆方面，最为领先的晶圆代工企业中芯国际已于2021年实现7nm制程工艺的突破，但仍与世界顶尖水平存在着约2代技术的差距，对应的技术研发周期约为3-4年半导体光刻胶为晶圆制造核心材料，大陆产品仍存较大技术差距在所有的晶圆制造材料中，半导体光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成要求而具有最高的价值含量半导体光刻胶产品由低端到高端可分为g线、i线、KrF、ArF和EUV光刻胶，最高端的EUV光刻胶基本被日本和美国企业所垄断大陆方面目前仅实现了KrF光刻胶的量产，ArF光刻胶产品仍处于下游客户验证阶段并未形成实际性的量产产能，而最高端的EUV光刻胶的技术储备近乎空白根据谨慎财务估算，项目总投资8190.32万元，其中：建设投资6554.02万元，占项目总投资的80.02%；建设期利息70.72万元，占项目总投资的0.86%；流动资金1565.58万元，占项目总投资的19.12%。
项目正常运营每年营业收入14700.00万元，综合总成本费用12630.96万元，净利润1506.79万元，财务内部收益率11.28%，财务净现值-854.55万元，全部投资回收期7.01年本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途目录第一章 项目背景及必要性 9一、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST） 9二、 政策端——“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金”助力突破“卡脖子”领域 10三、 DUV光刻胶——化学放大型KrF&ArF光刻胶 12四、 打造产业集聚发展新高地 13五、 主动服务国家战略融入新发展格局 16第二章 行业、市场分析 18一、 芯片短缺，上游原材料供应偏紧，国产材料导入进度加快 18二、 半导体工业发展的基石——光刻技术 18三、 光致产酸剂（Photo-AcidGenerator，PAG） 21第三章 项目绪论 22一、 项目概述 22二、 项目提出的理由 23三、 项目总投资及资金构成 25四、 资金筹措方案 26五、 项目预期经济效益规划目标 26六、 项目建设进度规划 27七、 环境影响 27八、 报告编制依据和原则 27九、 研究范围 28十、 研究结论 29十一、 主要经济指标一览表 29主要经济指标一览表 29第四章 公司基本情况 31一、 公司基本信息 31二、 公司简介 31三、 公司竞争优势 32四、 公司主要财务数据 34公司合并资产负债表主要数据 34公司合并利润表主要数据 34五、 核心人员介绍 35六、 经营宗旨 36七、 公司发展规划 37第五章 建设内容与产品方案 43一、 建设规模及主要建设内容 43二、 产品规划方案及生产纲领 43产品规划方案一览表 43第六章 选址可行性分析 45一、 项目选址原则 45二、 建设区基本情况 45三、 大力培育创新驱动新优势 48四、 项目选址综合评价 50第七章 法人治理结构 51一、 股东权利及义务 51二、 董事 54三、 高级管理人员 58四、 监事 60第八章 运营管理 63一、 公司经营宗旨 63二、 公司的目标、主要职责 63三、 各部门职责及权限 64四、 财务会计制度 67第九章 安全生产分析 74一、 编制依据 74二、 防范措施 75三、 预期效果评价 81第十章 环保分析 82一、 编制依据 82二、 环境影响合理性分析 83三、 建设期大气环境影响分析 84四、 建设期水环境影响分析 85五、 建设期固体废弃物环境影响分析 85六、 建设期声环境影响分析 85七、 环境管理分析 87八、 结论及建议 88第十一章 人力资源分析 90一、 人力资源配置 90劳动定员一览表 90二、 员工技能培训 90第十二章 项目实施进度计划 93一、 项目进度安排 93项目实施进度计划一览表 93二、 项目实施保障措施 94第十三章 原辅材料分析 95一、 项目建设期原辅材料供应情况 95二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理 95第十四章 投资计划方案 97一、 投资估算的依据和说明 97二、 建设投资估算 98建设投资估算表 100三、 建设期利息 100建设期利息估算表 100四、 流动资金 102流动资金估算表 102五、 总投资 103总投资及构成一览表 103六、 资金筹措与投资计划 104项目投资计划与资金筹措一览表 105第十五章 经济效益及财务分析 106一、 经济评价财务测算 106营业收入、税金及附加和增值税估算表 106综合总成本费用估算表 107固定资产折旧费估算表 108无形资产和其他资产摊销估算表 109利润及利润分配表 111二、 项目盈利能力分析 111项目投资现金流量表 113三、 偿债能力分析 114借款还本付息计划表 115第十六章 风险防范 117一、 项目风险分析 117二、 项目风险对策 119第十七章 招标及投资方案 121一、 项目招标依据 121二、 项目招标范围 121三、 招标要求 121四、 招标组织方式 124五、 招标信息发布 127第十八章 总结分析 128第十九章 补充表格 131营业收入、税金及附加和增值税估算表 131综合总成本费用估算表 131固定资产折旧费估算表 132无形资产和其他资产摊销估算表 133利润及利润分配表 134项目投资现金流量表 135借款还本付息计划表 136建设投资估算表 137建设投资估算表 137建设期利息估算表 138固定资产投资估算表 139流动资金估算表 140总投资及构成一览表 141项目投资计划与资金筹措一览表 142第一章 项目背景及必要性一、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）聚4-羟基苯乙烯（PHOST）因其在248nm波长下的透明性、高灵敏度和抗刻蚀性等优势，成为了用于KrF光刻技术的光刻胶的主要成分。
通过引入不同的酸致脱保护基团，在光致产酸剂的配合下就可以使得KrF光刻胶拥有一定的光响应性，从而在光照条件下发生聚合物的溶解度变化常见的酸致脱保护基团包括4-叔丁基氧基羰基（t-BOC）类、酯类和乙缩醛类三种目前主流的KrF化学放大型正性光刻胶往往是具有多种取代基团的共聚物，通过调节聚合物整体的分子量和带有不同取代基团单体的配比来调节光刻胶的性能根据KrF光刻胶的活化能，可以将KrF光刻胶分为高活化能胶（俗称高温胶，如ESCAP）和低活化能胶（低温胶，如乙缩醛类）高温胶和低温胶因脱保护的温度差异，导致了比较明显的性能差异此外，由于空气中存在有一定量的碱性分子，在KrF光刻胶曝光后，光刻胶会接触空气导致曝光后所产生的光酸会被空气中的碱性成分中和掉，最终会造成光刻胶灵敏度的大幅度变化，这一现象被称为曝光到显影的时间延迟问题（PED）为了解决这一问题，工业界除了采取在洁净室、光刻机等关键地方安装化学成分过滤器以外，还可以通过在光刻胶表面涂布一层保护层来隔绝空气中的碱性物质二、 政策端——“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金”助力突破“卡脖子”领域半导体行业是关乎中国科技独立自主的重要领域，中国政府持续出台相关政策推进行业发展及规划蓝图。
自21世纪初的《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》项目（即“02专项”）到“十二五”规划、“十三五”规划及各类政策文件，政府部门对半导体行业的重视度、支持度，对相关企业的支持力度逐年增强，通过政策、科研专项基金、产业基金等多种形式为相关企业提供支持在2020年11月发布的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中更是提出了“强化国家战略科技力量”的方针，重点强调要从“卡脖子”问题清单和国家重大需求中找出科学问题集成电路的产业发展一直是我国的“卡脖子”问题之一，我国集成电路产业链中的众多材料、装备、工艺制造技术与全球最为领先的水平存在相当的差距，部分领域存在着明显的“受制于人”的问题，而突破这些“卡脖子”的材料、装备、工艺制造技术等的壁垒必将成为践行“强化国家战略科技力量”这一方针的重点之一国家大基金是为促进集成电路产业发展设立的，其全称是“国家集成电路产业投资基金”，目前已有两期，均主要投资于集成电路产业大基金是国家对集成电路产业的政策支持的重要体现国家大基金一期于2014年9月成立，一期注册资本987.2亿元，投资总规模达1387亿元，主要股东是财政部、国开金融、中国烟草、中国移动、紫光通信等，投资期、回收期、延展期各5年，投资计划为期15年。
国家大基金二期于2019年10月22日注册成立，注册资本为2041.5亿元大基金二期是一期的延续，相比于一期的规模扩大了107%，可见国家扶持集成电路产业的决心在股东方面，大基金二期同样由财政部、国开金融作为最大股东，两者认缴出资额分别为225亿元和200亿元不过从大基金二期整体来看，其资金来源更加多样和市场化，共有27位股东，囊括央企、地方国企和民企从大基金一期的投资细分方向来看，一期主要侧重于晶圆代工、设计和封测等主要的产业大环节的投资布局，而对半导体材料和设备则投资较少同时大基金关注产业链各环节龙头企业，优先帮助产业链龙头企业成长，加速国内半导体领先技术的孕育催化大基金二期的投资方向主要集中于设备和材料，大基金总裁丁文武在2020年半导体集成电路零部件峰会表示，大基金二期将从3个方面重点支持国产设备与材料发展：（1）将对在刻蚀机、薄膜设备、测试设备和清洗设备等领域已布局的企业保持高强度的支持；（2）加快开展光刻机、化学机械研磨设备等核心设备以及关键零部件的投资布局；（3）督促制造企业提高国产装备验证及采购比例，为更多国产设备、材料提供工艺验证条件三、 DUV光刻胶——化学放大型KrF&ArF光刻胶在20世纪90年代初期，半导体光刻工艺的技术节点已发展至线宽≤0.25μm，i线光刻技术及重氮萘醌-酚醛树脂体系光刻胶已不能满足如此高的分辨率要求，因此人们开始寻求适用于具有更短波长的深紫外（DeepUltra-Violet，DUV）的光刻胶体系，即DUV光刻胶。
当时的KrF和ArF等深紫外光刻机的曝光剂量都比较低，对于量子产率只有0.2~0.3的重氮萘醌-酚醛树脂体系光刻胶而言，只有极大程度地提高其灵敏度，最终曝光所产生的图像的对比度才能满足要求此外，当光线从光刻胶顶部向光刻胶底部传播时会被逐渐吸收，如果底部光强不足，外加光刻胶灵敏度较低，则最终容易形成梯形形貌梯形形貌会明显影响后续工艺的正常进行，从而限制光刻工艺分辨率的进一步提升因此，提高光刻胶灵敏度的“化学放大”势在必行1982年，美国IBM公司Ito和Wilson等人正式提出了化学放大。