LDO作为最基础的集成电路，其测试实例历来都是IC测试入门的经典实例，熟悉 它的主要参数测试对以后复杂的IC测试有很大帮助，建议初学者结合框图及具体 资料，熟悉其工作原理，了解其每项参数的具体意义，结合所用的测试机，能够自 己制定测试方案本文所举实例为5V稳压芯片一一78L05的测试方案，具体如下：1、芯片简介是三端稳压电路（5V），输出电流可达100MA，具有输出电压线性度好、温度 变化小的特点，同时内置过流保护电路功能框图如下：具体资料参考如下：78L05芯片资料下载LDO技术名词 LDO原理介绍2、测试图此测试图基于SCUD测试机（目前的V50，其实对于LDO系列产品ASL1000测试机也 是一个很好的选择，不过cost相对贵一点）进行设计，非常简单，见下图：3、测试参数及规范序号测试参数符号测试条件测量与计 算判断范围单位MinMax1VOVo1Vin=10V,Io=1mAVI84.85.2V2Vo2Vin=10V,Io=40mAVI84.855.153Vo3Vin=10V,Io=70mAVI84.755.254DVO_LINEDVO_7VVin=7V~20V ,Io=40mAVI8-65mV5DVO_8VVin=8V~20V ,Io=40mAVI8446DVO_LOADDVO_40mAVin=10V, Io=1mA~40mAVI8-257DVO_100mAVin=10V, Io=1mA~100mAVI8558IqIqVin=10V,Io=0mAVI6-5mA9DIqDI18V
2、 DVO_LINE测试LDO的电压线性度，即在变化Vin电压看输出电压的变化，本方案为输入电压从 7V和8v变化到20v，输出负载为40ma的条件进行测试其 输出电压变化量，变化越小性能越好，具体规范 分别为小于65mv和44mv3、 DVO_LOAD测试LDO的负载线性度，即看输出负载变化时输出电压的变化，和DVO_LINE测试方法相同 ，只是负载不同而已4、 Iq测试，即芯片静态电流测试，测试芯片不工作时自己本身所耗费的电流，具 体为从VIN加10V电压，输 出不拉电流时测试从VIN流进芯片的电流大小，此 参数越小说明芯片性能越好5、 DIq测试，测试在负载电流变化时，芯片静态电流的变化，测试方法和Iq基本相同，只是负载测试1ma和 40ma时的静态电流变化6、 Ipk测试，是测试芯片输出的最大电流，即测试输出对地短路时的输出电流， 考验芯片的输出电流能力本方案测试参数相对简单，还可以加上几项参数如最小输入电压测试等，不过 对于量产测试，测试参数越多，测试时间就会越长，从而导致测试成本的增加，所 以要综合考虑Q Q Q 5、测试程序由于篇幅较大，在此不一一显示，请下载后参考：78L05—program 6、关于LDO测试中的一些其他问题，笔者在此做一些说明，不一定完全正确、全面， 谨请参考，详述如下：1、对于精度较高的LDO如何实现精确的测量？这个问题一般有两种解决办法，一种比较简单的解决办法是在VIN和VOUT都采 用Kelvin接触方式，尽可能的减小因为接触电阻而引起的电压损失，负载可用电阻 来代替。
另一种办法是用运算放大器对输出进行放大一定倍数后进行测试，然后再 用测量值除以放大的倍数得到实际的输出电压注意要选择精度高的运放，其实运 放在测试经常会用到，尤其是测试小信号的电压时，作为测试工程师必须很熟悉运 放的一些应用，这样可以使你采用低端的测试机来测试高端的产品2、 在trim的过程中经常会遇到烧不断或烧坏芯片的问题这个问题相信只要做trim的芯片都可能会遇到这样的问题，只不过有些圆片这 种问题出现的少，没有引起测试者的注意，其中烧不断的主要原因在于电流太小，一般烧铝 要在100-500MA左右，甚至更大些，其中MOS工艺的芯片，适当小一些，双极的工艺， 可以大一些，另外还要看铝线的宽度，越宽电流要越大，还有烧时候的等待时间一般 5-15MS，最后，一般做trim的PAD间距很近，探针容易碰到一起，造成短路，那就肯定烧不 断了，这种情况一般出现在针卡用了一段时间之后，造成针偏而短路烧坏芯片的原因就更复杂一些，一般烧熔丝控制的嵌位电压为5V左右，但实际 上在烧的瞬间，trim PAD上的电压可能会达到10V左右（不相信的兄弟可以用示波 器抓一下看看），为什么呢，这就是你的引线中存在寄生电感，以及寄生电容，从 而构成一个升压电路，抬高了你的电压，这个电压虽然是瞬间的，但对于5V以下工 艺的芯片来讲，可能会存在致命的打击！最好、最方便的解决办法是，在靠近trim PAD的位置加上一个较大的电容（可以从0.01〜0.1uf之间）来滤掉这个尖峰电压， 如果效果还是不佳，可以尝试在trim的源上串一个5欧姆左右的功率电阻（功率要 足够大，不然会冒烟的哦）来限制一下电流，另外请注意铝的熔丝电阻在2欧姆左 右，多晶的熔丝电阻在100欧姆左右，所以在选择电阻和电容的大小时候要注意一 下，两者是有区别的。
3、 trim后封装引起的电压偏差问题此问题也是很头疼的一个综合问题，它涉及到测试、封装工艺、封装材料等因 素，总的说来是封装后电压偏差主要是封装造成的，但又不可避免，尤其是当芯片 尺寸很小的时候，在封装划片、塑封时产生的应力将会导致电压的变化，可以通过 晶圆减薄的厚度不同，和封装材料来控制，作为测试工程师要注意数据统计，根据 成测的结果来调整中测的规范7、测试程序附源程序@@PROGRAM@@HISTORYREVISION =01;DATE =2003/05/18;ENG_NAME =SPC;DESCRIPTIONFrist => SCA123END_DESCRIPTION@@END_HISTORY@@BOOKINGVO;IQ;DIQ;DVO_LINE;DVO_LOAD;IPK;@@END_BOOKING@@UNBOOKINGVIN;VMIN;@@END_UNBOOKING@@END_PROGRAM@@PLAN VOSITE_SEQUENCE=OFF;DISABLE_BY_MARK_NO = NULL;S_SETUP_FILE=NA;REMARK=VO;//VO1DSPII_FORCE_PMU(6,7Y10MA,-10MA,E2,I6);DSPII_FORCE_PMU(8,1V,0MA,-1MA,E1,I6);WAIT(2MS);DSPII_READ(DSPII_PMU8,E1,I6,5.2V,4.8V,MEAS_LOOP=2);//VO2DSPII_FORCE_PMU(6,10V10MA,-10MA,E2,I6);DSPII_FORCE_PMU(8,1V,0MA,-40MA,E1,I6);WAIT(2MS);DSPII_READ(DSPII_PMU8,E1,I6,5.15V4.85V,MEAS_LOOP=2);//VO3DSPII_FORCE_PMU(6,20V100MA,-100MA,E3,I7);DSPII_FORCE_PMU(8,1V,0MA,-70MA,E1,I7);WAIT(2MS);DSPII_READ(DSPII_PMU8,E1,I7,5.25V4.75V,MEAS_LOOP=2);DSPII_FORCE_PMU(8,0V,0.1UA,-0.1UA,E1,I7,RLY_OFF);WAIT(2MS);CONDITIONIF_FAILLOOP_UNTIL_PASS_COUNT=5;REJECT_BIN=2;END_LOOP@@END_PLAN@@PLAN IQSITE_SEQUENCE = OFF;DISABLE_BY_MARK_NO = NULL;S_SETUP_FILE=NA;REMARK = IQ;DSPII_FORCE_PMU(6,10V,10MA,-10MA,E2,I6);WAIT(10MS);DSPII_READ(DSPII_PMU6,E2,I6,5.0MA,1.0MA,MEAS_LOOP=2);CONDITIONIF_FAILLOOP_UNTIL_PASS_COUNT=5;REJECT_BIN=3;END_LOOP@@END_PLAN@@PLAN DIQSITE_SEQUENCE=OFF;DISABLE_BY_MARK_NO = NULL;S_SETUP_FILE=NA;REMARK=DIQ;//IQ1DSPII_FORCE_PMU(6,8Y10MA,-10MA,E1,I6,WAIT=2MS);DSPII_READ(DSPII_PMU6,E1,I6,5.0MA,0.0MA,MEAS_LOOP=5,LOG_OFF);C_ASSIGN(GB1,DSPII_PMU6);//IQ2DSPII_FORCE_PMU(6,20V10MA,-10MA,E3,I6,WAIT=2MS);DSPII_READ(DSPII_PMU6,E3,I6,5.0MA,0.0MA,MEAS_LOOP=5,LOG_OFF);C_ASSIGN(GB2,DSPII_PMU6);C_SUB(GB2,GB1);C_MUL(GB2,1000);C_COMPARE(GB2,1.0,-1.0,"MA");//IQ3DSPII_FORCE_PMU(6,10V10MA,-10MA,E2,I7);DSPII_FORCE_PMU(8,1Y1MA,-1MA,E1,I7);WAIT(5MS);DSPII_READ(DSPII_PMU8,E1,I7,5.0MA,-5.0MA,MEAS_LOOP=5,LOG_OFF);DSPII_READ(DSPII_PMU6,E2,I7,5.0MA,0.0MA,MEAS_LOOP=5,LOG_OFF);C_ASSIGN(GB5,DSPII_PMU8);C_ASSIGN(GB3,DSPII_PMU6);//IQ4DSPII_FORCE_PMU(6,10V,70MA,-70MA,E2,I7);DSPII_FORCE_PMU(8,1V,10MA,-45MA,E1,I7);WAIT(5MS);DSPII_READ(DSPII_PMU8,E1,I7,70.0MA,-70.0MA,MEAS_LOOP=5,LOG_OFF);C_ASSIGN(GB6,DSPII_PMU8);DSPII_READ(DSPII_PMU6,E2,I7,100.0MA,0.0MA,MEAS_LOOP=5,LOG_OFF);C_ASSIGN(GB4,DSPII_PMU6);C_ADD(GB4,GB6);C_ADD(GB3,GB5);C_S。