SRAM、DRAM；SDRAM、DDRSDRAM(DDR)、RDRAM；SARAM、DARAM 的区别一、SRAM(Static Random Access Memory)与 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 这是根据内存的工作原理划分出的两种内存 DRAM 表示动态随机存取存储器这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器DRAM 中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成数据存储在电容器中电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而 DRAM 器件是不稳定的为了将数据保存在存储器中，DRAM 器件必须有规律地进行刷新 而 SRAM 是静态的，因此只要供电它就会保持一个值一般而言，SRAM 比 DRAM要快，这是因为 SRAM 没有刷新周期每个 SRAM 存储单元由 6 个晶体管组成，而 DRAM 存储单元由一个晶体管和一个电容器组成相比而言，DRAM 比 SRAM 每个存储单元的成本要高照此推理，可以断定在给定的固定区域内 DRAM 的密度比 SRAM 的密度要大 SRAM 常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而 DRAM 常常用于 PC 中的主存储器，因为其拥有更高的密度。
二、SDRAM(Synchronous DRAM)、DDRSDRAM(Dual Data Rate SDRAM)和 RDRAM(Rambus DRAM) 这是计算机内存市场上对内存的分类方式，这些内存都属于上面提到的 DRAM SDRAM SDRAM 中文名字是“同步动态随机存储器”，意思是指理论上其速度可达到与 CPU 同步自从 Pentium 时代以来，SDRAM 就开始了其不可动摇的霸主地位这种主体结构一直延续至今成为市场上无可争议的内存名称的代名词 台式机使用的 SDRAM 一般为 168 线的管脚接口，具有 64bit 的带宽，工作电压为 3.3 伏，目前最快的内存模块为 5.5 纳秒由于其最初的标准是采用将内存与 CPU 进行同步频率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待时间，提高了系统整体性能 大家都知道 CPU 的核心频率＝系统外部频率×倍频的方式而内存就是工作在系统的外部频率下，最初的 66MHz 的外部工作频率严重地影响了系统整体的工作性能，芯片组厂商又陆续制订出 100MHz、133MHz 系统外频的工作标准这样SDRAM 内存也就有了 66MHz（PC66）、100MHz（PC100）和 133MHz（PC133）三种标准规格。
某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了 PC150 和PC166 内存，例如 Kingmax 和 Micro 等 DDR SDRAM 从名称上可以看出，这种内存在技术上，与 SDRAM 有着密不可分的关系，事实上，DDR 内存就是 SDRAM 内存的加强版它主要是利用时钟脉冲的上升沿与下降沿传输数据，相当于原来两倍的频率的工作效率 但这只是理论上，真正在实际应用中，DDR 内存所带来的性能提升并不是很大，经测试在 10%至 15%之间造成如此大的反差，主要原因在于目前的处理器及主板结构还是依照着 SDRAM 进行设计的，还没有充分挖掘出 DDR 的潜能 在 133MHz 下，DDR 内存带宽可以达到 133×64bit/8×2＝2.1GB/s，200MHz 外频标准出台后，其带宽更是达到了 200×64bit/8×2＝3.2GB/s 的海量（如图 2所示）目前 DDR400 内存已经问世，其强大的攻势不容忽视，发展前景非常广阔 目前市场上已经有了针对 DDR 应用的处理器及配套主板，但是由于还是初级发展阶段，对于 DDR 内存的海量传输能力利用率不高，没能在实际应用中体现出来。
所以，这种内存技术的成熟应用期还没有到，目前只处于初级应用阶段 DDR 只是对 SDRAM 技术做了一些加强，所以生产 SDRAM 的生产线极容易改建于 DDR 的生产不过 DDR 内存为保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此采用了 2.5 伏的 SSTL2 标准，其管脚数为 184 线，与 SDRAM 在主板上无法实现兼容 DDR SDRAM 有着先天性的优势，因此，取代 SDRAM 只是时间上的问题，相信随着 DDR 内存体系的愈加成熟，与 SDRAM 体系结构间的性能会越拉越大，那时也正是 DDR 全面铺进千家万户的时刻 DDR 的外形和 SDRAM 极为相似，不过仔细观察还是有所不同DDR 使用的是 184线的金手指，而普通 SDRAM 是 168 线，而且 SDRAM 底部金手指有两个缺口，而DDR 仅有一个缺口，另外 DDR 内存边缘用于固定的卡口有两个，而 SDRAM 为一个，最后就是 DDR 的内存存颗粒比 SDRAM 的要略薄 RDRAM RDRAM 原本是 Intel 强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了 RISC（精简指令集），依*高时钟频率（目前有 300MHz、350MHz 和 400MHz 三种规格）来简化每个时钟周期的数据量。
因此其数据通道接口只有 16bit（由两条 8bit 的数据通道组成），远低于 SDRAM 的 64bit，由于 RDRAM 也是采用类似于 DDR 的双速率传输结构，同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输，因此在 300MHz 下的数据传输量可以达到 300×16bit/8×2=1.2GB/s，400MHz 时可达到 1.6GB/s，目前主流的双通道 PC800MHz RDRAM 的数据传输量更是达到了 3.2GB/s相对于 133MHz 下的 SDRAM 的 1.05GB/s，确实很有吸引力 由于这种内存是全新的结构体系，需要兴建专用的内存生产线才能进行大批量生产，基本上无法对原有的生产线进行改建，这样初期产品的成本肯定是难以与 DDR 进行竞争，而且生产这种内存还必须按产量向 Rambus 公司交纳一定的专利金，让各厂商缠足不前，在一定程度阻碍了 RDRAM 的发展，不过更高带宽的双通道 RDRAM 不久将会出现Rambus 公司已经推出世界上第一条运行在 1200MHz 频率上的 RDRAM，内存的峰值带宽将达到 4.8GHz/s除此之外，Rambus 还将推出一款运行在 1066MHz 下的 RDRAM（如图 3 所示），它们的设计和制造工艺和从前的 Rambus 内存区别不是很大。
三、SARAM(Single-access RAM)与 DARAM(Dual-access RAM) 这是按 CPU 每个机器周期能对内存进行访问的次数来划分的两种内存 SARAM 在一个机器周期内只能被访问一次，而 DARAM 则在一个机器周期内能被访问两次如 TMS320C54x 系列 DSP 中就配置有这两种内存。