8550、8050引脚参数 pnp型硅晶体三极管很多放大电路中都要用到他1 ＜"■!! 2＜三极管8550管脚图＞1.发射极2.基极3.集电极8550参数：集电极-基极电压 Vcbo : -40V 工作温度：-55 °C to +150 °C 和8050 （NPN ）相对贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能8050三极管参数：类型:开关型；极性:NPN;材料:硅;最大集存器电流（A）:0.5 A;直流电增益：10 to 60;功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO ） :25;频率:150 KHz8050引脚图to-waESC芯片尺寸：4英寸（100mm ）芯片代码：C060AJ-00芯片厚度：240±20gm管芯尺寸：600X600 gm 2焊位尺寸：B 极 130X150gm 2 ; E 极 140X130gm 2电极金属：铝背面金属：金典型封装：S8050，H8050 极限值（Ta=25 °C）（封装形式：TO-92 ）Tstg ——贮存温度 -55〜150 CTj——结温150 Cpc ――集电极耗散功率 1WVCBO —— 集电极一基极电压 40VVCEO ――集电极一发射极电压 25VVEBO ――发射极一基极电压 6VIC——集电极电流 1.2A电参数（Ta=25 C）（封装形式：TO-92 ）參1WI号符号说明A bfAft.T/J单也Icao《堪Ft—柚眼世1上电湾0.1mAV^-35^ £=0Iebo发h枫一迪极毗土电讥0.1nAIcM)唇且ift电測堆益£5500V ^1V. I^KXJmA40V-^IV, g沁AV锐垒唏一绘粥谢转吃电,丨L0VV.-^]V, I.-JOmA比电tt—丸射機徳和电抹0.5VI =S0CtlA- L=£QellA.£的*)昜楼一笈射檯憶和垃L2V1~5DC^.豪电击穿电崔4CV；-=10CuA„ TBV®愛电楼一風时機曲穿电匡25V1 =2ruA. Ih=0BVra，-.发射极Tfe按蔚穿电压6V1^=100^, Wfi]Q0b2izV.-T-JOV. L：=，Z|。