互感器介损测试方法总结一、规程规定9.0.2 测量绕组的绝缘电阻，应符合下列规定：3 测量电容式电流互感器的末屏与电压互感器接地端（N）对外壳（地） 的绝缘电阻，绝缘电阻值不宜小于1000 MΩ若末屏对地绝缘电阻小于1000 M Ω时，应测量其tanδ ； 9.0.3 电压等级 35kV 与以上互感器的介质损耗角正切值tanδ测量应符合如下规定：1 互感器的绕组tanδ测量电压应在10kV测量，tanδ不应大于表9.0.3中数据当对绝缘有怀疑时，可采用高压法进行试验，在(0.5～1) Um 围进行，tanδ变化量不应大于0.2% ，电容变化量不应大于0.5%； 2 末屏tanδ测量电压为2kV注：本条主要适用于油浸式互感器SF6气体绝缘和环氧树脂绝缘结构互感器不适用，注硅脂等干式互感器可以参照执行表9.0.3 tanδ （%）限值 额定电压种类20~35kV66~110kV220kV330~500kV油浸式电流互感器2.50.80.60.5充硅脂与其它干式电流互感器0.50.50.5─油浸式电压互感器绕组32.5─串级式电压互感器支架─6─油浸式电流互感器末屏─2注：电压互感器整体与支架介损受环境条件（特别是相对湿度）影响较大，测量时要加以考虑。
二、介损原理1、 并联等值电路（图a、b）在交流电U的作用下介质中的电流为IU与I之间的夹角为φ，即功率因数角；其余角为δ，即介质损耗角根据图a可得：tanδ==则介质损耗为：P=UIR=UIctanδ=*w*Cp*tanδ2、 串联等值电路（图c、d）tanδ===w*Cs*rP=*r=由于tanδ<<1，所以Cs≈Cp=C,R>>r，因此以上两种电路可以以一个共同的表达式表示：P=wCtanδ由此可见，介损与tanδ成正比，即可用tanδ表示介损的大小同类试品绝缘的优劣，可直接由tanδ的大小来判断3、综合电路 多个并联等值电路并联：tanδ=多个串联等值电路串联：tanδ=两个并联等值电路串联：tanδ=由以上分析还可得出，tanδ对集中性缺陷是不能灵敏反应的，因此对能分解测量的尽量扥接测量，比如变压器的套管等三、电容、介损的测量3.1 电容式电压互感器仪器：AI 6000精密测试仪3.1.1正接法：测量整节电容Cx-------试品一端对地有可靠绝缘时用此方法步骤：a、 准备工作包括收集厂家数据，抄写名牌包括电容量；b、 打开PT本体端子箱盖，短接所有二次绕组并接地；c、 打开XL与N之间的连片，使XL悬空，见示意图；d、 打开XL与E之间的连片；e、 将仪器的“高压测量”端通过专用线（屏蔽线）与PT高压端相连，Cx与N相连，见示意图f、 用10KV电压测量，结果即是总的电容和介损。
3.1.2反接法：同样测量Cx-----------试品有一端固定接地时用此方法步骤：a、 连片都连好，注意保护间隙不要接触；b、 N与E仪器接外壳地线；c、 高压测量端接（芯线）PT一次，装置可靠接地；d、 用10KV电压测量，结果同正接法一样是整节电容和介损3.1.3 自激法测量测量C1和C2与tanδ1和tanδ2方法1：步骤：a、 N和E之间的连片断开，其他连片连好；b、 E接地，N和Cx连接，“高压测量”接PT高压端；c、 用2KV电压测量方法2：如果用方法1测量时总出现电容值有一个不准确的情况，可以把接于本体端子箱N的线和接于高压端的线交换下，再进行测量注：此法也是用于正接法）注意：二次回路检查时严禁出现以下情况： E—电磁单元的一次接地端，N—电容分压器低压端a、 E开路或者接地不良；b、 当不使用载波设备时，N和E开路；c、 阻尼接入端（2a-2az,3a-3az,da-daz）开路或者接触不良3.2 CT介损的测量 首先:断开地刀、隔刀、开关项目包括：按下列顺序可减少拆线次数 序号项目方法测试电压备注1一次→末屏正接法10KV末屏与地断开2末屏 → 地反接法2KV末屏与地断开3一次 → 地反接法10KV末屏接地3.2.1 步骤：正接法测量一次对末屏介损a、 拆下本体端子箱末屏引出线（CT和地线的连接线）；b、 测试仪的：高压测量---一次，Cx-----CT（末屏）。
见下图：3.2.2 步骤：反接法测量末屏对地介损a、 末屏引线CT保持与地断开；b、 高压测量接末屏CT引线，见下图：3.2.3 步骤：反接法测量一次对地介损 a、恢复末屏引出线CT（接地）； b、高压测量接一次（芯线）8 / 8。