单击此处编辑母版标题样式,,单击此处编辑母版文本样式,,第二级,,第三级,,第四级,,第五级,,*,,*,,第6章半导体存储器及接口,,§61存储器的分类和主要性能指标,,存储器是计算机系统的记忆设备它用来存放,,计算机的程序指令、要处理的数据、运算结果以,,及各种需要计算机保存的信息,是计算机中不可,,缺少的一个重要组成部分,,存储器的分类,,(1)按存储器与中央处理器的关系分,,内部存储器,,●外部存储器,,西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,作用:保存正在执行的程序和数据;,,掩膜型ROM,,主存储器,,可一次编程PROM,,(内存),,ROM{紫外线擦除的 EPROM,,电可擦除的 EEPROM,,微型计算机,,元件,,快擦型 Flash meM,,的存储器由,,静态RAM,,RAM,,动态RAM,,作用:保存主存的副本或暂时不执行的,,辅助存储器,,程序和数据,,(外存),,软/硬磁盘,,介质:{光盘,,磁带等,,西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,(2)按存储介质划分,,●磁芯存储器,,半导体存储器,,磁泡存储器,,●磁表面存储器,,激光存储器等,,本章主要讲授半导体存储器,,在微型计算机中,半导体存储器主要作为,,内存储器使用,,西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,半导体存储器的分类,,按工作方式分,,按制造工艺分,,按存储机理分,,双极型RM,,随机存取存储器,,静态读写存储器(SRAM),,(RAM),,金属氧化物型,,(MOS) RAM,,动态读写存储器(DRAM),,RO,,PROM,,只读存储器,,EPROM,,(rOM),,E2PROM,,闪速 E2PROM( FLASH),,西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,2、内存储器的主要性能指标,,(1)内存储容量,,表示一个计算机系统内存储器存储数据多少的指标。
存储容量=字数×字长,,注意:,,①以字节为单位②内存容量与内存空间的区别,,内存容量:若某微机配置2条128MB的 SDRAM内存条,,,则其内存容量为256MB内存空间:又称为存储空间、寻址范围,是指微机的寻址,,能力,与CPU被使用的地址总线宽度有关,,西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,③芯片容量,,是指一片存储器芯片所具有的存储容量例如:,,SRAM芯片6264的容量为8K×8bit,即它有8K个,,单元,每个单元存储8位(一个字节)二进制数据,,DRAM芯片NMC41256的容量为256K×1bit,即它,,有256K个单元,每个单元存储1位二进制数据,,(2)最大存取时间,,内存储器从接收寻找存储单元的地址码开始,,,到它取出或存入数码为止所需要的最长时间,,西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,(3)功耗,,包括“维持功耗”和“操作功耗”两种,,(4)可靠性,,一般指存储器对电磁场及温度等变化的抗干,,扰能力通常用“平均无故障时间”来表示目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间,,隔时间(MTBF)约为5×106~×103小时左右。
西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,(5)集成度,,每片存储器芯片上集成的基本存储单元的个数常用存储器芯片有,,IK位片,如:Inte2l5A(1K×1);,,16K位片,如:MCM2167H35(16K×1);,,64K位片,如:MCM62L6735L(64K×1,,256K位片,如:MCM6205NJ17(32KX8);,,西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,§6.2半导体存储器件,,1.只读存储器(ROM,,ROM具有掉电后信息不会丢失的特点,一般用于存放,,固定的程序和数据等如监控程序、BIOS程序、字库等1)ROM的结构和特点,,Ao,,地址译,,D,,NXN,,A,,存贮器控制逻辑,,CE,,西南大学电子信息工程学院,,,,第6章半导体存储器及接口,,(2)ROM的分类,,按生产工艺和工作特性分为,,①掩膜编程的ROM( Mask Programmed ROM,,例如:采用“并联兽元阵列B,的掩膜ROM,,薄栅氧化层的,,管子为正常开启,,2,,厚栅氧化层的,,w,,管子为高开启,,DD,,西南大学电子信息工程学院,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,。