单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,内存品牌及识别内存,常见内存及芯片生产厂家,品 牌,标 识,品 牌,标 识,现代,Hynix,金邦,GEIL,金士顿,Kingston,美光,Micron,胜创,KingMax,南亚,NANYA,三星,SAMSUNG,茂矽,MOSEI,目前市场上内存品牌较多，不过真正生产内存芯片的厂商只有几家，其他很多内存制造商都是采用别人的内存颗粒，如,Kingmax,生产的内存就是采用好几家内存芯片厂商生产的内存颗粒全球的内存芯片厂商有,Samsung,、,Hyundai,、,KingSton,等几家Samsung,Samsung,是世界上最大的内存芯片制造商，目前市场上销售的优质内存大都采用,Samsung,的内存芯片三星,SDRAM,内存芯片,三星,DDRAM,内存芯片,三星,SDRAM,内存芯片,三星,SDRAM,内存芯片内存颗粒的型号采用,16,位数字编码命名三星,SDRAM,内存芯片编号具有一定的含义，例如，,KM416S16230A-G10,的含义为：,KM,表示三星内存，,4,代表,RAM,种类（,4=DRAM,），,16,代表内存芯片组成,x16,（,4=x4,、,8=x8,、,16=x16,），,S,代表,SDRAM,，,16,代表内存芯片密度,16Mbit,（,1=1M,、,2=2M,、,4=4M,、,8=8M,、,16=16M,），,2,代表刷新（,0=4K,、,1=2K,、,2=8K,），,3,表示内存排数（,2=2,排、,3=4,排），,0,代表内存接口（,0=LVTTL,、,1=SSTL,），,A,代表内存版本（空白,=,第,1,代、,A=,第,2,代、,B=,第,3,代），,G,代表电源供应（,G=,自动刷新、,F=,低电压自动刷新），,10,代表最高频率（,7=7ns143MHz,、,8=8ns125MHz,、,10=10ns100MHz,、,H=100MHz,，,CAS,值为,2,、,L=100MHz,，,CAS,值为,3,）。
三星内存的容量可通过编号计算出来，即用“,S”,后的数字乘,S,前的数字，得到的结果即为容量，即该内存为,256MB SDRAM,内存，刷新为,8K,，内存,Banks,为,3,，内存接口,LVTTL,，第,2,代内存，自动刷新，速度是,10ns,（,100MHz,）三星,DDRAM,内存芯片,三星,DDRAM,内存芯片编号（如,KM416H4030T,）表示：,KM,表示三星内存，,4,代表,RAM,种类（,4=DRAM,），,16,表示内存芯片组成,x16,（,4=x4,、,8=x8,、,16=x16,、,32=x32,），,H,代表内存电压（,H=DDR SDRAM3.3V,、,L=DDR SDRAM2.5V,），,4,代表内存密度,4Mbit,（,4=4M,、,8=8M,、,16=16M,、,32=32M,、,64=64M,、,12=128M,、,25=256M,、,51=512M,、,1G=1G,、,2G=2G,、,4G=4G,），,0,代表刷新（,0=64M/4K15.6s,、,1=32M/2K15.6s,、,2=128M/8K15.6s,、,3=64M/8K7.8s,、,4=128M/16K7.8s,）；,3,表示内存排数（,3=4,排、,4=8,排），,0,代表接口电压（,0=,混合接口,LVTTL+SSTL_3,（,3.V,）、,1=SSTL_2,（,2.5V,），,T,表示封装类型（,T=66,针,TSOP II,、,B=BGA,、,C=,微型,BGA,（,CSP,），,Z,代表速度,133MHz,（,5=5ns,，,200MHz,（,400Mbit/s,）、,6=6ns,，,166MHz,（,333Mbit/s,）、,Y=6.7ns,，,150MHz,（,300Mbit/s,）、,Z=7.5ns,，,133MHz,（,266Mbit/s,）、,8=8ns,，,125MHz,（,250Mbit/s,）、,0=10ns,，,100MHz,（,200Mbit/s,）。
即三星,4MB16=64MB,内存芯片，,3.3V DDR SDRAM,，刷新时间,0=64m/4K,（,15.6s,），内存芯片排数为,4,排（两面各两排），接口电压,LVTTL+SSTL_3,（,3.3V,），封装类型为,66,针,TSOP II,，速度,133MHz,如图,4-9,所示为三星,DDRAM,内存,图,4-9,Micron,美光,SDRAM,Rambus,DDR SDRAM,Micron,（美光）是美国最大的内存颗粒制造商其,SDRAM,芯片编号格式为,MT48abcdMefAgTG-hij,，其中,MT,代表,Micron,的产品，,48,代表产品家族（,48=SDRAM,、,4=DRAM,、,46=DDR SDRAM,、,6=Rambus,），,ab,代表处理工艺（,C=5V Vcc CMOS,，,LC=3.3V Vdd CMOS,，,V=2.5V Vdd CMOS,），,cdMef,设备号码（深度,宽度），无字母,=bit,，,K=Kilobit,（,KB,），,M=Megabit,（,MB,），,G=Gigabit,（,GB,）,Mricron,的容量,=cdef,；,ef,表示数据位宽,(4,、,8,、,16,、,32,分别代表,4,位、,8,位、,16,位和,32,位,),；,Ag,代表,Write RecoveryTwr,（,A2=Twr=2clk,）；,TG,代表封装（,TG=TSOPII,封装，,DJ=SOJ,，,DW=,宽型,SOJ,，,F=54,针,4,行,FBGA,，,FB=60,针,816 FBGA,，,FC=60,针,1113 FBGA,，,FP=,反转芯片封装，,FQ=,反转芯片密封，,F1=62,针,2,行,FBGA,，,F2=84,针,2,行,FBGA,，,LF=90,针,FBGA,，,LG=TQFP,，,R1=62,针,2,行微型,FBGA,，,R2=84,针,2,行微型,FBGA,，,U=BGA,）；,j,代表功耗（,L=,低耗，空白,=,普通）；,hj,代表速度，分成以下几类。
SDRAM,在,Micron SDRAM,内存上，内存芯片上的参数含义如下：,DRAM-4=40ns,，,-5=50ns,，,-6=60ns,，,-7=70ns SDRAM,，,x32 DDR SDRAM,（时钟率为,CL3,）,-15=66MHz,，,-12=83MHz,，,-10+=100MHz,，,-8x+=125MHz,，,-75+=133MHz,，,-7x+=143MHz,，,-65=150MHz,，,-6=167MHz,，,-55=183MHz,，,-5=200MHzDDR SDRAM,（,x4,，,x8,，,x16,）时钟率为,CL=2.5,，,-8+=125MHz,，,-75+=133MHz,，,-7+=143MHz,Rambus,在,Micron Rambus,内存上，内存芯片上的参数含义如下：,-4D=400MHz 40ns,，,-4C=400MHz 45ns,，,-4B=400MHz 50ns,，,-3C=356MHz 45ns,，,-3B=356MHz 50ns,，,-3M=300MHz 53ns+,的含义,-8E,支持,PC66,和,PC100,（,CL2,和,CL3,）,-75,支持,PC66,、,PC100,（,CL2,和,CL3,）、,PC133,（,CL=3,）、,-7,支持,PC66,、,PC100,（,CL2,和,CL3,）、,PC133,（,CL2,和,CL3,）,-7E,支持,PC66,、,PC100,（,CL2,和,CL3,）、,PC133,（,CL2+,和,CL3,）。
DDR SDRAM,在,Micron DDR SDRAM,内存上，内存芯片上的参数含义如下：,-8,支持,PC200,（,CL2,）,-75,支持,PC200,（,CL2,）和,PC266B,（,CL=2.5,）,-7,支持,PC200,（,CL2,），,PC266B,（,CL2,），,PC266A,（,CL=2.5,）例如,MT48LC16M8A2TG-75L_ES,表示美光的,SDRAM,，,16M8=168MB=128MB,，,133MHz,如图,4-10,所示为,Micron DDRAM,内存图,4-10,Hyundai,Hyundai,是韩国较大的内存颗粒制造商，其生产的内存颗粒除了供应自己的品牌内存外，还供给其他内存厂家现代的,SDRAM,内存兼容性非常好，支持,DIMM,的主板一般都可以顺利地使用它，其,SDRAM,芯片编号格式为：,HY 5abcdefghijklm-no,其中,HY,代表现代的产品，,5a,表示芯片类型（,57=SDRAM,，,5D=DDR SDRAM,），,b,代表工作电压（空白,=5V,，,V=3,3V,，,U=2.5V,），,cde,代表容量和刷新速度（,16=16Mbit,、,4K Ref,，,64=64Mbit,、,8K Ref,，,65=64Mbit,、,4K Ref,，,128=128Mbit,、,8K Ref,，,129=128Mbit,、,4K Ref,，,256=256Mbit,、,16K Ref,，,257=256Mbit,、,8K Ref,），,fg,代表芯片输出的数据位宽（,40,、,80,、,16,、,32,分别代表,4,位、,8,位、,16,位和,32,位）；,h,代表内存芯片内部由几个,Bank,组成（,1,、,2,、,3,分别代表,2,个、,4,个和,8,个,Bank,，是,2,的幂次关系），,I,代表接口（,0=LVTTLLow Voltage TTL,接口），,j,代表内核版本（可以为空白或,A,、,B,、,C,、,D,等字母，越往后代表内核越新），,k,代表功耗（,L=,低功耗芯片，空白,=,普通芯片），,lm,代表封装形式（,JC=400mil SOJ,，,TC=400mil TSOP-II,，,TD=13mm TSOP-II,，,TG=16mm TSOP-II,），,no,代表速度（,7=7ns143MHz,，,8=8ns125MHz,，,10p=10nsPC-100 CL2,或,3,，,10s=10nsPC-100 CL3,，,10=10ns100MHz,，,12=12ns83MHz,，,15=5ns66MHz,）。
例如,HY57V658010CTC-10s,，,HY,表示现代的芯片，,57,代表,SDRAM,，,65,是,64Mbit,和,4K refresh cycles/64ms,，,8,是,8,位输出，,10,是,2,个,Bank,，,C,是第,4,个版本的内核，,TC,是,400mil TSOP-,封装，,10S,代表,CL=3,的,PC-100,如图,4-11,所示为,HYUNDAI,内存图,4-11,Geil,Geil,（金邦，原樵风金条）金条分为“金、红、绿、银、蓝”,5,种内存条，各种金邦金条的,SPD,均是确定的，对应不同的主板其中红色金条是,PC133,内存；金色金条针对,PC133,服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是,PC100,内存；蓝,A,色金条针对,AMD750/760 K7,系主板，面向超频玩家；蓝,V,色金条针对,KX133,主板；蓝,T,色金条针对,KT-133,主板；银色金条是面向笔记本电脑的,PC133,内存金邦内存芯片编号（例如,GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG-7 AMIR 00 32,）的含义如下：,其中,GL2000,代表芯片类型；,GP,代表金邦科。