第十章答案第十章答案10-110-1 名词解名词解 释：烧结释：烧结 烧结温度泰曼温度液相烧结固相烧结初次再结晶晶粒长大二次再结烧结温度泰曼温度液相烧结固相烧结初次再结晶晶粒长大二次再结 晶晶（1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶 金结合以提高其强度 （2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零， 达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为“烧结“，达到烧结时相应的温度，称为“烧结 温度“ （3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的 2/3 处的 温度在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内 部空间扩散（容积扩散）和再结晶而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大 （4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结 （5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结 （6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核 和长大过程 （7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象. （8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。
10-210-2 烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移，各适用于何种烧结机理烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移，各适用于何种烧结机理? ?解：推动力有：（1）粉状物料的表面能与多晶烧结体的晶界能的差值， 烧结推动力与相变和化学反应的能量相比很小，因而不能自发进行，必须加热!! （2）颗粒堆积后，有很多细小气孔弯曲表面由于表面张力而产生压力差， （3）表面能与颗粒之间形成的毛细管力 传质方式：（1）扩散（表面扩散、界面扩散、体积扩散）；（2）蒸发与凝聚；（3）溶解 与沉淀；（4）黏滞流动和塑性流动等，一般烧结过程中各不同阶段有不同的传质机理，即 烧结过程中往往有几种传质机理在起作用10-310-3 下列过程中，哪一个能使烧结体强度增大，而不产生坯体宏观上的收缩下列过程中，哪一个能使烧结体强度增大，而不产生坯体宏观上的收缩? ?试说明理由试说明理由 （（1 1）蒸发－冷凝；（）蒸发－冷凝；（2 2）体积扩散；（）体积扩散；（3 3）粘性流动；（）粘性流动；（4 4）晶界扩散；（）晶界扩散；（5 5）表面扩散；）表面扩散； （（6 6）溶解－沉淀）溶解－沉淀解：蒸发－凝聚机理（凝聚速率＝颈部体积增加） 烧结时颈部扩大，气孔形状改变，但双球之间中心距不变，因此坯体不发生收缩，密度不 变。
10-410-4 什么是烧结过程？烧结过程分为哪三个阶段？各有何特点？什么是烧结过程？烧结过程分为哪三个阶段？各有何特点？解：烧结过程：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间 的粘结结合以提高其强度烧结过程大致可以分为三个界线不十分明显的阶段1）液相流动与颗粒重排阶段：温度升高，出现足够量液相，固相颗粒在 DP 作用下重新排列，颗粒堆积更紧密；（2）固相溶解与再析出：接触点处高的局部应力®塑性变形和蠕变®颗粒进一步重排；（3）固相的的烧结：小颗粒接触点处被溶解较大颗粒或自由表面沉积晶粒长大形状变化不断重排而致密化10-510-5 烧结的模型有哪几种？各适用于哪些典型传质过程？烧结的模型有哪几种？各适用于哪些典型传质过程？解：粉体压块：蒸发－凝聚 双球模型：有液相参与的粘性蠕变扩散 Kingery 和 LSW：溶解-沉淀10-610-6 某氧化物粉末的表面能是某氧化物粉末的表面能是 1000erg/cm1000erg/cm2 2，烧结后晶界能是，烧结后晶界能是 550erg/cm550erg/cm2 2，若用粒径为，若用粒径为 1μm1μm 的粉料（假定为方体）压成的粉料（假定为方体）压成 1cm1cm3 3的压块进行烧结，试计算烧结时的推动力。
的压块进行烧结，试计算烧结时的推动力解：2x（1000/1x10-4-550/1x10-2）=1.99x107erg/cm310-710-7 有粉粒粒度为有粉粒粒度为 5μm5μm，若经，若经 2h2h 烧结后，烧结后，x x/ /r r＝＝0.10.1如果不考虑晶粒生长，若烧结至如果不考虑晶粒生长，若烧结至 x x/ /r r＝＝0.20.2并分别通过蒸发－凝聚、体积扩散、粘性流动、溶解－沉淀传质，各需多少时并分别通过蒸发－凝聚、体积扩散、粘性流动、溶解－沉淀传质，各需多少时 间？若烧结间？若烧结 8h8h，各个传质过程的颈部增长，各个传质过程的颈部增长x x/ /r r又是多少？又是多少？解：根据查得各传质方式公式可得：时间分别为 16h，64h，8h，128h，若只烧结 8h，则 X/R 分别为 0.1×41/3，0.1×41/5，0.2，0.1×41/610-810-8 如上题粉料粒度改为如上题粉料粒度改为 16μm16μm，烧结至，烧结至x x/ /r r＝＝0.20.2，各个传质需多少时间？若烧结时间为，各个传质需多少时间？若烧结时间为 8h8h，各个过程的，各个过程的x x/ /r r又是多少？从两题计算结果，讨论粒度与烧结时间对四种传质过程的又是多少？从两题计算结果，讨论粒度与烧结时间对四种传质过程的 影响程度？影响程度？解：蒸发－凝聚：颗粒粒度愈小烧结速率愈大。
初期 x/r 增大很快，但时间延长，很快停 止； 体积扩散：烧结时间延长，推动力减小在扩散传质烧结过程中，控制起始粒度很重要； 粘性流动：粒度小为达到致密烧结所需时间短，烧结时间延长，流变性增强；溶解－沉淀：粒度小，传质推动力大烧结时间延长，晶粒致密程度增加10-910-9 试就（试就（1 1）推动力来源；（）推动力来源；（2 2）推动力大小；（）推动力大小；（3 3）在陶瓷系统的重要性来区别初次再）在陶瓷系统的重要性来区别初次再 结晶、晶粒长大和二次再结晶结晶、晶粒长大和二次再结晶解：晶粒生长——材料热处理时，平均晶粒连续增大的过程 推动力：基质塑性变形所增加的能量提供了使晶界移动和晶粒长大的足够能量晶粒生长 取决于晶界移动的速率二次再结晶——（晶粒异常生长或晶粒不连续生长）少数巨大晶体在细晶消耗时成核-长大 过程 推动力：大、小晶粒表面能的不同 二次再结晶晶粒长大 不均匀生长均匀生长 不符合Dl=d/f符合Dl=d/f 气孔被晶粒包裹气孔排除 界面上有应力界面无应力10-1010-10 有人试图用延长烧结时间来提高产品致密度，你以为此法是否可行，为什么？有人试图用延长烧结时间来提高产品致密度，你以为此法是否可行，为什么？解：不可行。
蒸发－凝聚机理（凝聚速率＝颈部体积增加）此类传质不能靠延长时间达到烧结 高温短时间烧结是制造致密陶瓷材料的好方法10-1110-11 假如直径为假如直径为 5μm5μm 的气孔封闭在表而张力为的气孔封闭在表而张力为 280dayn/cm280dayn/cm2 2的玻璃内，气孔内氮气压力的玻璃内，气孔内氮气压力 是是 0.8atm0.8atm，当气体压力与表面张力产生的负压平衡时，气孔尺寸是多少，当气体压力与表面张力产生的负压平衡时，气孔尺寸是多少? ?解：2x280x0.001/r=0.8x101325r=6.9μm10-1210-12 在在 1500℃1500℃，，MgOMgO 正常的晶粒长大期间，观察到晶体在正常的晶粒长大期间，观察到晶体在 1h1h 内从直径从内从直径从 1μm1μm 长大到长大到 10μm10μm，在此条件下，要得到直径，在此条件下，要得到直径 20μm20μm 的晶粒，需烧结多长时间？如已知晶界扩散活化能的晶粒，需烧结多长时间？如已知晶界扩散活化能 为为 60kcal/mol60kcal/mol，试计算在，试计算在 1600℃1600℃下下 4h4h 后晶粒的大小，为抑制晶粒长大，加入少量杂质，后晶粒的大小，为抑制晶粒长大，加入少量杂质， 在在 1600℃1600℃下保温下保温 4h4h，晶粒大小又是多少，晶粒大小又是多少? ?解：烧结数率常数和温度关系服从阿累尼乌斯方程：即……………………………………………………（1）其中：为常数，Q 为晶界扩散活化能，在正常的晶粒长大期间，晶粒直径与时间关系为：……………………（2）其中为时晶粒的平均尺寸。
在加入少量杂质时，晶粒直径与时间关系为：…………………………（3）在 1500℃时，MgO 正常生长时，由（2）有99再由（1）有＝5789.5则在 1500℃正常生长条件下，达到所需时间为：在 1600℃时＝122.83由（2）＝22.2加入杂质后由（3）有＝7.910-1310-13 假定假定 NiCrNiCr2 2O O4 4的表面能为的表面能为 600erg/cm600erg/cm2 2，由半径，由半径 0.5μm0.5μm 的的 NiONiO 和和 CrCr2 2O O3 3粉末合成尖晶石粉末合成尖晶石 在在 1200℃1200℃和和 1400℃1400℃时时 NiNi2 2＋＋和和 CrCr3 3＋＋离子的扩散系数分别为：离子的扩散系数分别为：NiNi2 2＋＋在在 NiONiO 中中 D D14731473＝＝1×101×10－－1111；；D D16731673＝＝3×103×10－－1010cmcm2 2/s/s；；CrCr3 3＋＋在在 CrCr2 2O O3 3中中 D D14731473＝＝7×107×10－－1111cmcm2 2/s/s，，D D16731673＝＝1010－－9 9cmcm2 2/s/s；求在；求在 1200℃1200℃和和 1400℃1400℃烧结时，开始烧结时，开始 1h1h 的线收缩的线收缩 率是多少？（假定扩散粒子的半径为率是多少？（假定扩散粒子的半径为 0.059nm0.059nm））解：线收缩率：1200℃,对 NiO 和 Cr2O3粉末,其则可求出 K1473,同理,可求出 K1673,代入上式,即可求出式中 g=600erg/cm2,ó=0.59Å T=1473K,1673K,r=0.5µm10-1410-14 在制造透明在制造透明 AlAl2 2O O3 3材料时，原始粉料粒度为材料时，原始粉料粒度为 2μm2μm，烧结至最高温度保温，烧结至最高温度保温 0.5h0.5h，测得，测得 晶粒尺寸晶粒尺寸 10μm10μm，试问若保温时间为，试问若保温时间为 2h2h，晶粒尺寸多大？为抑制晶粒生长加入，晶粒尺寸多大？为抑制晶粒生长加入 0.10.1％％MgOMgO，， 此时若保温时间为此时若保温时间为 2h2h，晶粒又有尺寸多大？，晶粒又有尺寸多大？解：由在此条件下保温,设直径为则有：即求加入少量的 MgO 时：由10-1510-15 在在 1500℃Al1500℃Al2 2O O3 3正常晶粒生长期间，观察到晶体在正常晶粒生长期间，观察到晶体在 1h1h 内从内从 0.5μm0.5μm 直径长大到直径长大到 10μm10μm。
如已知晶界扩散活化能为如已知晶界扩散活化能为 335kJ/mol335kJ/mol，试预测在，试预测在 1700℃1700℃下保温时间为下保温时间为 4h4h 后，晶粒后，晶粒 尺寸是多少？你估计加入尺寸是多少？你估计加入 0.50.5％％MgOMgO 杂质对杂质对 AlAl2 2O O3 3晶粒生长速度会有什么影响？在与上面相晶粒生长速度会有什么影响？在与上面相 同条件下烧结，会有什么结果，为什么？同条件下烧结，会有什么结果，为什么？解：由由在 1700℃时，由，有加入 0.5％MgO 时，会抑制 Al2O3晶粒生长，抑制现象会更加明显，原因是由于晶界移动时 遇到的杂质（MgO）更多，限制了晶粒的生长10-1610-16 材料的许多性能如强度、光学性能等要求其晶粒尺寸微小且分布均匀，工艺上应如材料的许多性能如强度、光学性能等要求其晶粒尺寸微小且分布均匀，工艺上应。