晶体管的置换晶体管的置换( (代换代换) )原则原则我们在维修、设计和实验或试制中，常常会碰到晶体管的置换（代换）问题如果掌握了晶体管的置换（代换）原则，就能使工作初有成效其置换（代换）原则可划分为三种：即类型相同、特性相近、外形相似一、类型相同1.材料相同即锗管换锗管，硅管换硅管2.极性相同即 NPN 型管换 NPN 型管，PNP 型管换 PNP 型管3.实际型号一样，标注方法不同，如：D1555 同 2SD1555;R1201同 GR1201;3DG9014 同 9014；贴片管用代号来代表原型号等但不排除同一型号因为生产厂家的不同，参数差别极大的情况二、特性相近用于置换（代换）的晶体管应与原晶体管的特性要相近，它们的主要参数值及特性曲线应相差不多或优于原管，对于不同的电路，应有所偏重一般来说，只要下述主要参数相近，即可满足置换（代换）要求1.集电极最大直流耗散功率(Pcm)一般要求用 Pcm 与原管相等或较大的晶体管进行置换（代换）如果原晶体管在整机电路中实际直流耗散功率远小于其 Pcm，也可以用 Pcm 较小的晶体管置换（代换） 2.集电极最大允许直流电流（Icm）一般要求用 Icm 与原管相等或较大的晶体管进行置换（代换）。
实际不同厂家关于 Icm 的规定有所不同，有时差别很大，我们要注意到厂家给出的测试条件常见的有以下几种：⑴根据集电极引线允许通过的最大电流值确定 Icm这个数值可能很大，例如，一只 Pcn=200mW 的晶体管，其 Icm 可能会超过1A⑵根据 Pcm 确定 Icm，即 Pcm=Icm×Uce 确定 Icm这个规定下的 Pcm 值比普通晶体管较小，比开关管较大，例如 Pcm 都是 10W的普通晶体管 2SC2209 和开关管 2SC2214，其 Icm 值却分别为 1.5A和 4A⑶根据晶体管参数（饱和压降、电流放大系数等）允许变化的极限值确定 Icm例如 3DD103A 晶体管的 Icm 是按其 β 值下降到实测值的 1/3 时确定的（Icm=3A） 3.击穿电压用于置换（代换）的晶体管，必须能够在整机中安全地承受最高工作电压晶体管的击穿电压参数主要有以下 5 个：⑴BVcbo：集电极-基极击穿电压它是指发射极开路，集电极电流 Ic 为规定值时，集电极-基极间的电压降（该电压降称为对应的击穿电压，以下的相同） ⑵BVceo：集电极-发射极击穿电压它是指基极开路，集电极电流 Ic 为规定值时，集电极-发射极的电压降。
⑶BVces：基极-发射极短路，集电极-发射极的击穿电压⑷BVcer：基极-发射极串联电阻，集电极-发射极的电压降⑸BVebo：集电极开路，发射极-基极的击穿电压在晶体管置换（代换）中，主要考虑 BVcbo 和 BVceo，对于开关晶体管还应考虑 BVebo一般来说，同一晶体管的BVcbo＞BVceo通常要求用于置换（代换）的晶体管，其上述三个击穿电压应不小于原晶体管对应的三个击穿电压4.频率特性晶体管频率特性参数，常用的有以下 4 个：⑴特征频率 fT：它是指在测试频率足够高时，使晶体管共发射极电流放大系数 β=1 时的频率⑵β 截止频率 fβ：在共发射极电路中，输出端交流短路时，电流放大系数 β 值，下降到低频（1kHz）β 值 70.7%（3dB）时的频率⑶α 截止频率 fα：在共基极电路中，输出端交流短路时，电流放大系数 α 值下降到低频（1kHz）β 值 70.7%（3dB）时的频率⑷最高振荡频率 fmax：当晶体管的功率增益为 1 时的工作频率在置换（代换）晶体管时，主要考虑 fT 与 fβ通常要求用于置换的晶体管，其 fT 与 fβ 应不小于原晶体管对应的 fT 与fβ半导体管有高频管和低频管之分，晶体管 ft 低于 3M 为低频管，场效应管低于 303MH,反之，为高频管。
5.其他参数除以上主要参数外，对于一些特殊的晶体管，在置换（代换）时还应考虑以下参数：⑴对于低噪声晶体管，在置换（代换）时应当用噪声系数较小或相等的晶体管⑵对于具有自动增益控制性能的晶体管，在置换（代换）时应当用自动增益控制特性相同的晶体管⑶对于开关管，在置换（代换）时还要考虑其开关参数，是否是带有内置电阻三、外形相似小功率晶体管一般外形均相似，只要各个电极引出脚标志明确，且引出线排列顺序与待换管一致，即可进行更换大功率晶体管的外形差异较大，置换（代换）时应选择外形相似、安装尺寸相同的晶体管，以便安装和保持正常的散热条件如实在没有，也可以用塑封管代替铁封管掌握以上原则，在工作中就像如鱼得水，运用自如。