第七章第七章 半导体存储器半导体存储器 7.1 概述概述 顺序存取存储器（顺序存取存储器（SAM）） 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM）） 只读存储器（只读存储器（ROM）） 存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛 存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛软磁盘软磁盘磁带磁带硬盘硬盘内存条内存条光盘光盘优盘优盘数码相机用数码相机用SM卡卡7.1 存储器概述存储器概述 7.1 存储器概述存储器概述•存储器：专用于存放大量二进制数码的器件存储器：专用于存放大量二进制数码的器件•按材料分类按材料分类 1) 1) 磁介质类磁介质类————软磁盘、硬盘、磁带、软磁盘、硬盘、磁带、…… 2) 2) 光介质类光介质类——CD——CD、、DVDDVD、、MOMO、、…… 3) 3) 半导体介质类半导体介质类——SDRAM——SDRAM、、EEPROMEEPROM、、FLASH ROMFLASH ROM、、……•按功能分类按功能分类 主要分主要分RAMRAM和和ROMROM两类，不过界限逐渐模糊两类，不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM, RAM: SDRAM, 磁盘，磁盘， ROM: CD, DVD, FLASH ROM, EEPROMROM: CD, DVD, FLASH ROM, EEPROM存储器一般概念存储器一般概念讨论学习半导体介质类存储器件的结构功能和使用特点讨论学习半导体介质类存储器件的结构功能和使用特点 半半导导体体存存储储器器是是用用半半导导体体器器件件来来存存储储二二值值信信息息的的大大规规模集成电路。
模集成电路 集集成成度度高高、、体体积积小小、、可可靠靠性性高高、、价价格格低低、、外外围围电电路路简简单单且易于接口、便于自动化批量生产且易于接口、便于自动化批量生产 半半导导体体存存储储器器主主要要用用于于电电子子计计算算机机和和某某些些数数字字系系统统，，存存放程序、数据、资料等放程序、数据、资料等7.1.1 7.1.1 半导体存储器的特点与应用半导体存储器的特点与应用 半导体存储器种类很多，其简单分类如下：半导体存储器种类很多，其简单分类如下：★ 双极型存储器双极型存储器：： 是以双极性触发器为基本存储单元，具有工作速度快，功是以双极性触发器为基本存储单元，具有工作速度快，功耗大的特点，主要用于对工作速度要求较高的场合耗大的特点，主要用于对工作速度要求较高的场合★ MOSMOS型存储器型存储器 是以是以MOS触发器为基本存储单元，它具有集成度高、功耗触发器为基本存储单元，它具有集成度高、功耗小、工艺简单等特点，主要用于大容量存储系统中小、工艺简单等特点，主要用于大容量存储系统中。
☆ ☆ 从制造工艺上分：从制造工艺上分：半导体存储器分类半导体存储器分类 RAM (Random Access Memory) 随机存取存储器随机存取存储器ROM (Read Only Memory) 只读存储器只读存储器随机存取存储器：在运行状态可以随时进行读或写操作随机存取存储器：在运行状态可以随时进行读或写操作RAM信息易失：信息易失： 芯片必须供电才能保持存储的数据芯片必须供电才能保持存储的数据SRAMDRAM只读存储器：通过特定方法写入数据，正常工作时只能读出只读存储器：通过特定方法写入数据，正常工作时只能读出ROM信息非易失：信息一旦写入，即使断电也不会丢失信息非易失：信息一旦写入，即使断电也不会丢失ROM (工厂掩膜工厂掩膜)PROM(一次编程一次编程)半导体存储器分类半导体存储器分类EPROM(多次编程多次编程)☆ ☆ 从存取信息方式上分：从存取信息方式上分：顺序存取存储器顺序存取存储器(SAM)(SAM)：如先入先出型和先入后出型：如先入先出型和先入后出型 SAM (Sequential Access Memory) 顺序存取存储器顺序存取存储器 容量：存储单元总数（容量：存储单元总数（bit），），一个基本存储单元能存储一个基本存储单元能存储１位１位(Bit)(Bit)的信息，即一个的信息，即一个0 0或一个或一个1 1。
存取时间：表明存储器工作速度，存取时间：表明存储器工作速度，通常用读通常用读( (或写或写) )周期描述周期描述其它：材料、功耗、封装形式等等其它：材料、功耗、封装形式等等7.1.3 存储器存储器主要性能指标主要性能指标1Kbit=1024bit=21Kbit=1024bit=21010bit 128Mbit=134217728bit=2bit 128Mbit=134217728bit=22727bitbit字长：一个芯片可以同时存取的比特数字长：一个芯片可以同时存取的比特数，，存储器的读写存储器的读写操作是以操作是以字字为单位的，每一个字可包含多个位为单位的，每一个字可包含多个位1 1位、位、4 4位、位、8 8位、位、1616位、位、3232位等等位等等标称：字数标称：字数××位数位数读操作和写操作时序图：存储器的工作时序关系读操作和写操作时序图：存储器的工作时序关系例如：例如：字数字数：：字长字长：每次可以读：每次可以读( (写写) )二值码的个数二值码的个数总容量总容量 …………字数字数字数字数（通常以字节个数（通常以字节个数（通常以字节个数（通常以字节个数为单位）为单位）为单位）为单位）字长字长字长字长（通常以字节为单位）（通常以字节为单位）（通常以字节为单位）（通常以字节为单位）存存储储器器 不不同同的的存存储储器器芯芯片片，，其其存存储储容容量量是是不不同同的的。
例例如如某某一一半半导导体体存存储储器器芯芯片片，，共共有有4K个个存存储储单单元元，，每每个个单单元元存存储储8位位二二进进制制信信息息，，则则该该芯芯片片的的存存储储容容量量是是4K×8bits或或4K字节，简称字节，简称4KB 字节数字节数（（4K个字节数）个字节数）字节长字节长字节长字节长B B（一个字节（一个字节（一个字节（一个字节8bits8bits））））存存存存储储储储器器器器………… 顺序存取存储器（顺序存取存储器（SAM）） 动态 动态CMOS反相器反相器 动态 动态CMOS移存单元移存单元 动态移存器和顺序存取存储器动态移存器和顺序存取存储器Sequential Access Memory 动态动态CMOS反相器反相器 由由传传输输门门和和CMOS反反相相器器组组成成电电路路中中T1、、T2栅栅极极的的寄寄生生电电容容C是是存存储储信信息的主要息的主要““元件元件”” ２．２．MOS管栅电容管栅电容C的暂存作用的暂存作用 栅电容 栅电容C充电迅速，放电缓慢，因此可以暂存输入信息若充电迅速，放电缓慢，因此可以暂存输入信息若每隔一定时间对每隔一定时间对C补充一次电荷，使信号得到补充一次电荷，使信号得到““再生再生””，可长期，可长期保持保持C上的上的1信号，这一操作过程通常称为信号，这一操作过程通常称为““刷新刷新””。
CP的周期不能太长，一般应小于１的周期不能太长，一般应小于１msms １．电路结构１．电路结构图7-2-1 动态CMOS反相器vI+ +–TG1CPCRVDDT2T1vOCP•+ +– 动态动态CMOS移存单元移存单元动态动态CMOS移存单元由两个动态移存单元由两个动态CMOS反相器串接而成反相器串接而成 当 当CP=1=1时，主动态反相器接收信息，从动态反相器保持原存时，主动态反相器接收信息，从动态反相器保持原存信息；信息；CP=0=0时，主动态反相器保持原存信息，从动态反相器随主时，主动态反相器保持原存信息，从动态反相器随主动态反相器变化每经过一个动态反相器变化每经过一个CP，数据向右移动一位数据向右移动一位主主从从1 1位位ITG1CPC1VDDT2T1OCPTG2CPC2VDDT4T3CP图7-2-2 动态CMOS移存单元 动态动态CMOS移存单元移存单元 动态移存器和顺序存取存储器动态移存器和顺序存取存储器 １．动态移存器１．动态移存器 动态移存器可用动态 动态移存器可用动态CMOS移存单元串接而成，主要用来组移存单元串接而成，主要用来组成顺序存取存储器成顺序存取存储器( (SAM) )。
动态移存器和顺序存取存储器动态移存器和顺序存取存储器 １．动态移存器１．动态移存器 动态移存器可用动态 动态移存器可用动态CMOS移存单元串接而成，主要用来组移存单元串接而成，主要用来组成顺序存取存储器成顺序存取存储器( (SAM) ) 由于需要读出的数据必须在 由于需要读出的数据必须在CP的推动下，逐位移动到输出端的推动下，逐位移动到输出端才可读出，所以存取时间较长，位数越多，最大存取时间越长才可读出，所以存取时间较长，位数越多，最大存取时间越长0121023······串入串入串出串出CPCP1位动态移存单元位动态移存单元图7-2-3 1024位动态移存器示意图 (1) (1) 循环刷新循环刷新片选端为片选端为0只要不断电，只要不断电，信息可在动态中长期保存信息可在动态中长期保存2) (2) 边写边读边写边读片选端为片选端为1，写，写/ /循环为循环为1，，且读控制端也为且读控制端也为13) (3) 只读不写，数据刷新只读不写，数据刷新片选端为片选端为1，写，写/ /循环为循环为0，，读控制端为读控制端为1２．先入先出２．先入先出( (FIFO) )型型SAM特点：特点： 每次对外读每次对外读( (或写或写) )一个并行的８位数据，即一个一个并行的８位数据，即一个字字。
SAM中的数据字只能按中的数据字只能按““先入先出先入先出””的原则顺序读出的原则顺序读出≥1&G20G301024位动态移存器位动态移存器CPCP&O0G40I0&≥1&G21G311024位动态移存器位动态移存器CPCP&O1G41I1&≥1&G27G371024位动态移存器位动态移存器CPCP&O7G47I7&写写/循环循环片选片选读读························图7-2-4 1024×8位FIFO型SAMG1 图7-2-5 m×4位FILO型SAMI/O控制电路控制电路1ENQ0Qm-1• • •m位位双向双向移存器移存器SL/SRCPG2G1I/O0R/WCPENENI/O3EN111Q0Qm-1• • •m位位双向双向移存器移存器SL/SRCP●············ ３．先入后出３．先入后出( (FILO) )型型SAM写操作：写操作： 移移存存器器执执行行右右移移操操作作，，由由I/O端端最最先先送送入入的的数数据据存存于于各各移移存存器器的的最右端读操作：读操作： 移移存存器器执执行行左左移移操操作作，，存存于于各各移移存存器器最最左左端端的的数数据据最最先先由由I/O端端读出。
读出 随机存取存储器（RAM）7.3.1 RAM的基本结构的基本结构7.3.2 RAM芯片介绍芯片介绍 RAM容量扩展容量扩展二、二、 RAM的存储单元（的存储单元（SRAM、、DRAM））一、一、 RAM的结构框图的结构框图一、一、 字长（位数）的扩展字长（位数）的扩展二、二、字数的扩展字数的扩展Random Access Memory 存储矩阵存储矩阵输入输入/输出控制电路输出控制电路 地地址址译译码码器器数据输入数据输入/输输出出地地址址输输入入控制信号输入控制信号输入( CS 、、R/W)地址译码器：地址译码器：对外部输对外部输入的地址码进行译码，入的地址码进行译码，唯一地选择存储矩阵中唯一地选择存储矩阵中的一个存储单元的一个存储单元输入输入/ /输出控制电路：输出控制电路：对选中的存储单元进行对选中的存储单元进行读出或写入数据的操作读出或写入数据的操作存储矩阵：存储矩阵：存储器中各存储器中各个存储单元的有序排列个存储单元的有序排列7.3.1 RAM的结构的结构一、一、RAM的结构框图的结构框图 7.3.1 RAM的结构的结构A0Ai行行地地址址译译码码器器…..列地址译码器列地址译码器Ai+1An-1……存储矩阵存储矩阵读读写写控控制制电电路路CSR/WI/O地址输入地址输入控制输入控制输入数据输入数据输入/输出输出三组输入信号：地址输入、控制输入和数据输入三组输入信号：地址输入、控制输入和数据输入一组输出信号：数据输出一组输出信号：数据输出大容量大容量RAM数据输入／输出合为双向端口数据输入／输出合为双向端口 1. 存储矩阵存储矩阵图图中中，，1024个个字字排排列列成成32×32的的矩矩阵。
阵为为了了存存取取方方便便，，给给它们编上号它们编上号32行行编编号号为为X0、、X1、、…、、X31，，32列列编编号号为为Y0、、Y1、、…、、Y31这这样样每每一一个个存存储储单单元元都都有有了了一一个个固固定定的的编编号号，，称称为为地址 A0A1A2A3CSX0CSX1CSX15行行地地址址译译码码器器……列地址译码器列地址译码器A4A5A6A7CSY0CSY1CSY15011516173232241255存储单元数量多，将存储单元排列成矩阵形式（存储器阵列）存储单元数量多，将存储单元排列成矩阵形式（存储器阵列）阵列中各单元的选择称地址译码阵列中各单元的选择称地址译码A0A1A2A3A4A5A6A7……CS0CS1CS255地地址址译译码码器器存存储储器器阵阵列列01255单译码单译码:n位地址构成位地址构成 条地址线条地址线若若n=10，则有，则有1024条地址线条地址线行列（双）译码行列（双）译码:将地址分成两部分，分别由将地址分成两部分，分别由行译码器和列译码器共同译码行译码器和列译码器共同译码 ,其输出为存储其输出为存储矩阵的行列选择线，由它们共同确定欲选择矩阵的行列选择线，由它们共同确定欲选择 的的地址单元。
地址单元2．地址译码．地址译码 例如，输入地址码例如，输入地址码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，则行选线，则行选线 X1＝＝1、列选线、列选线Y0＝＝1，选中第，选中第X1行第行第Y0列的那个存储单元列的那个存储单元采用双译码结构采用双译码结构 行行地地址址译译码码器器：：5输输入入32输输出出，，输输入入为为A0、、A1 、、…、、A4，， 输输出出为为X0、、X1、、…、、X31；； 列列地地址址译译码码器器：：5输输入入32输输出出，，输输入入为为A5、、A6 、、…、、A9，，输输出出为为Y0、、Y1、、…、、Y31，， 这样共有这样共有10条地址线条地址线2．地址译码．地址译码 8根列地根列地址选择线址选择线32根行地根行地址选择线址选择线1024个存储单元，排个存储单元，排成成32×8×4的矩阵的矩阵图中的每个地址译码选通时有四个存储单元同时输入／输出；图中的每个地址译码选通时有四个存储单元同时输入／输出；存储器容量为存储器容量为256字字×4位＝位＝1024bit存储器存储矩阵结构存储器存储矩阵结构 3. 片选及输入片选及输入/输出控制电路输出控制电路 当当选选片片信信号号CS＝＝1时时，，G5、、G4输输出出为为0，，三三态态门门G1、、G2、、G3均均处处于于高高阻阻状态，状态，I/O端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作。
写操作，即不工作当当CS＝＝0时时，，芯芯片片被被选选通通：：当当R/W＝＝1时时，，G5输输出出高高电电平平，，G3被被打打开开，，被被选中的单元所存储的数据出现在选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作；端，存储器执行读操作；当当R/W ＝＝0时时，，G4输输出出高高电电平平，，G1、、G2被被打打开开，，此此时时加加在在I/O端端的的数数据据以以互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作 图7-3-1 256×1位RAM示意图 X地地址址译译码码器器Y 地址地址译码器译码器1,1A0A1A2A3X0(行行)X15T0T0'T15'Y0 (列列) • • • Y15A4A5A6A7位线位线行行存储矩阵存储矩阵I/O电路电路G1DG4G5G2I/OR/W&D1ENCS16,1列列1,16T15位线位线16,161EN1EN&G3• • • • 从从RAM的结构再看的结构再看RAM指标的意义：指标的意义：容量：指存储矩阵的大小，即阵列中所有存储单元的总数容量：指存储矩阵的大小，即阵列中所有存储单元的总数字数字数2n ：指地址单元的总数为：指地址单元的总数为2n ，，n为为RAM外部地址线的外部地址线的 根数根数字长：指每个地址单元中的数据位数；也即是每次寻址后字长：指每个地址单元中的数据位数；也即是每次寻址后 从存储器中读出（或写入）的数据位数从存储器中读出（或写入）的数据位数7.3.1 RAM的结构的结构存储容量＝字数（存储容量＝字数（2n ））×字长（数据位数）字长（数据位数） 1 1、、静态静态MOS RAM（（SRAM））7.3.2 RAM存储单元存储单元图7-3-2 六管CMOS静态存储单元VDD••DDTjTj 'YjT1T3T5T2T4T6Xi位位 线线位位 线线 •Xi =1，T5、T6导通，触发器与位线接通•Xi =0，，T5、、T6截止，截止，触发器与位线隔离触发器与位线隔离•Yj =1，，Tj 、、Tj’均导均导通，触发器的输出才通，触发器的输出才与数据线接通，该单与数据线接通，该单元才能通过数据线传元才能通过数据线传送数据送数据来自行地址译来自行地址译码器的输出码器的输出来自列地址译来自列地址译码器的输出码器的输出7.3.2 RAM存储单元存储单元1 1、、静态静态MOS RAM（（SRAM））图7-3-2 六管CMOS静态存储单元VDD••DDTjTj 'YjT1T3T5T2T4T6Xi位位 线线位位 线线由于数据由触发器记忆，只要不断电，信息就可由于数据由触发器记忆，只要不断电，信息就可以永久保存。
以永久保存采用采用CMOS管，所以静态功耗极小管，所以静态功耗极小 2 2、、动态动态MOS RAM（（DRAM））DRAMDRAM存储数据原理：存储数据原理： 基于基于MOS管栅极电容的电荷存储效应管栅极电容的电荷存储效应DRAMDRAM三个工作过程三个工作过程：：• 写入数据写入数据• 读出数据读出数据• 刷新数据刷新数据存储数据的电容存储数据的电容存储单元存储单元写入数据的写入数据的控制门控制门读出数据的读出数据的控制门控制门写入刷新控写入刷新控制电路制电路来自行地址译码来自行地址译码器的输出器的输出来自列地址译来自列地址译码器的输出码器的输出7.3.2 RAM存储单元存储单元 • 写入数据写入数据若若DI＝＝0，电容充电；，电容充电；若若DI＝＝1，电容放电电容放电 当当Xi ＝＝ Yj ＝＝0时，写入时，写入的数据由的数据由C保存R/W=0,G1开通，开通，G2被封锁，输入数据被封锁，输入数据DI经经G3反相，被存入电容反相，被存入电容C中DRAM工作描述工作描述7.3.2 RAM存储单元存储单元 读位线信号分两路，一读位线信号分两路，一路经路经T5 由由DO 输出输出 ；；另一路经另一路经G2、、G3、、T1对对存储单元刷新。
存储单元刷新 R/W=1,G2开通，开通，G1被封锁，被封锁，• 读出数据读出数据若若C上充有上充有电荷且使电荷且使T2导通，则读导通，则读位线获得低电平，输出位线获得低电平，输出数据数据0；反之，；反之， T2截止，截止，输出数据输出数据1DRAM工作描述工作描述7.3.2 RAM存储单元存储单元 若读位线为低电平，经若读位线为低电平，经过过G3反相后为高电平，反相后为高电平，对电容对电容C充电；充电；• 刷新数据刷新数据&&若读位线为高电平，经若读位线为高电平，经过过G3反相后为低电平，反相后为低电平，电容电容C放电；放电；当当R/W=1,且且Xi=1时，时，C上的数据经上的数据经T2 、、T3到到达达““读读””位线，然后经位线，然后经写入刷新控制电路对存写入刷新控制电路对存储单元刷新储单元刷新此时此时, ,Xi有效的整个一行存储单元被刷新由于列有效的整个一行存储单元被刷新由于列选择线选择线Yj无效，因此数据不被读出无效，因此数据不被读出DRAM工作描述工作描述7.3.2 RAM存储单元存储单元 T1G2&&T2T3T4T4'T5T6TjYjC0C0'CG1XiWRVDDVDD预充预充脉冲脉冲读行线读行线写写位位线线写行线写行线读读位位线线D 三管动态NMOS存储单元 (2)(2)三管三管NMOS动态存储动态存储单元单元 NMOS管管T2的的栅栅电电容容C用来暂存数据。
用来暂存数据预充电：预充电：读出操作：读出操作：写入操作：写入操作：刷刷新新操操作作：：通通过过内内部部的的读读、、写写操操作作，，使使C中中的的信信息息得得以以长期保持长期保持 3 3、单管、单管NMOS动态存储单元动态存储单元图7-3-4 单管NMOS动态存储单元•xiTCSC0D位位线线 由由一一个个门门控控管管T和和一一个个存存储储信息的电容信息的电容CS组成组成 由由于于分分布布电电容容 C0 ＞＞＞＞ CS，，所所以以位位线线上上的的读读出出电电压压信信号号很很小小，，需需用用高高灵灵敏敏度度读读出出放放大大器器进进行行放放大大；；且且每每次次读读出出后后必必须须立立即即对对该该单元进行单元进行刷新刷新，以保留原存信息以保留原存信息7.3.2 RAM存储单元存储单元 •利用触发器保存数据利用触发器保存数据•写入时在写入时在D D和和/D/D上加上反相信号，引起触发器的翻转即可上加上反相信号，引起触发器的翻转即可•数据读出非破坏性，一次写入，可以反复读出数据读出非破坏性，一次写入，可以反复读出•存储单元占用管元多，每比特面积大、功耗高存储单元占用管元多，每比特面积大、功耗高动态存储单元动态存储单元•利用栅级电容上的存储电荷保存数据利用栅级电容上的存储电荷保存数据•写入过程是给电容充电或放电的过程写入过程是给电容充电或放电的过程•破坏性读出破坏性读出•存储单元管元少、面积小、功耗低、利于海量存储存储单元管元少、面积小、功耗低、利于海量存储•需要刷新时序控制需要刷新时序控制存储单元特点比较：存储单元特点比较：静态存储单元静态存储单元 RAM的工作时序（以写入过程为例）的工作时序（以写入过程为例）写入操作过程如下：写入操作过程如下：（（1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；（（2）加入有效的选片信号）加入有效的选片信号CS；；（（3）将待写入的数据加到数据输入端。
将待写入的数据加到数据输入端3）在）在R/W 线上加低电平，进入写工作状态；线上加低电平，进入写工作状态；（（4）让选片信号）让选片信号CS无效，无效，I/O端呈高阻态端呈高阻态 1.SRAM芯片芯片M6264：：容量为：容量为：8192字字×8位位（常称为（常称为8K ×8））8 8条条数数据据线线，，每每字字 长长 度度 为为 8 8位位 1 13 3条条地地址址线线，，存存储储字字数数为为：： 2 21 1 3 3＝＝8 8ＫＫ 图7-3-5 HM6264外引线排列图⌒R/WNCGND15141613171218111910209218227236245254263272281A12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2VDDCS2A8A9A11OEA10CS1I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3HM62647.3.3 RAM产品介绍产品介绍CS1 、CS2是选片端，OE是输出使能端， R/W是读写控制端 表7-3-2 HM6264工作状态工作状态工作状态CS1CS2OER/WI/O 读（选中）读（选中）0101输出数据输出数据写（选中）写（选中）01×0输入数据输入数据维持（未选中）维持（未选中）1×××高阻浮置高阻浮置维持（未选中）维持（未选中）×0××高阻浮置高阻浮置输出禁止输出禁止0111高阻浮置高阻浮置7.3.3 RAM产品介绍产品介绍M6264内部结构内部结构 2、、RAM芯片芯片 (6116) (6116)61166116为为2K×82K×8位的静态位的静态CMOSRAMCMOSRAM100CS片选片选×0×OE输出使能输出使能×10WE读读/写控制写控制×稳定稳定稳定稳定A0 ～～ A10地址码输入地址码输入高高 阻阻 态态输输 出出输输 入入D0 ～～ D7输输 出出工作模式工作模式低功耗维持低功耗维持读读写写61166116的功能表的功能表A0～～A10是地址码输入端，是地址码输入端，D0～～D7是数据输出端，是数据输出端， CS是选片端，是选片端，OE是输出使能端，是输出使能端， WE是读写控制端。
是读写控制端7.3.3 RAM产品介绍产品介绍 123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R / WRAM 21143、、SRAM芯片：芯片：2114地址线地址线10根，数据线根，数据线4根根容量为：容量为：1024字字×4位（位（1K ×4））7.3.3 RAM产品介绍产品介绍 RAM的容量扩展的容量扩展1．位扩展．位扩展: 位数扩展利用芯片的并联方式实现位数扩展利用芯片的并联方式实现 RAM的容量扩展的容量扩展1．位扩展．位扩展: 位数扩展利用芯片的并联方式实现位数扩展利用芯片的并联方式实现用用8片片1024（（1K））×1位位RAM构成的构成的1024×8位位RAM系统 2．字扩展．字扩展 RAM的容量扩展的容量扩展 2．字扩展．字扩展例：例：用用8片片1K×8位位RAM构成的构成的8K×8位位RAM RAM的容量扩展的容量扩展 RAM的容量扩展的容量扩展 。