Click to edit Master title style,*,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,影响电接触过程中的导电性能的因素,报告人,:,薛博宇,SDEM,一,、,目录,1.,金属导电的机理,2.,影响金属基体导电率的因素,3.,金属的接触电阻,SDEM,1,、金属导电的机理,经典电子论认为金属的电阻是由于电子和晶格碰撞的结果,得出金属的电导率 ，,(=1/,），式中,代表电子的平均自由程，,n,为金属中自由电子的平均密度，,e,为电子电量，,m,为电子平均质量，,V,为电子的运动速度,+,+,+,+,+,+,+,+,+,从金属的电子理论导出欧姆定律的微分形式,设导体内的恒定场强为 ，则电子的加速度为,电子两次碰撞的时间间隔为,t,，上次碰撞后的初速度为 ，则,统计平均后，初速度的平均值为零，则,平均时间间隔等于平均自由程除以平均速率,1,、金属导电的机理,则由和得平均漂移速度 ,电流密度为,其中，电导率为,1,、金属导电的机理,SDEM,3.,金属的接触电阻,从电导率表达式知：电导率与自由电子的密度成正比，与电子的平均自由程成正比；还定性地说明了温度升高，电导率下降的原因。
1,、金属电阻产生的机理,SDEM,2.,影响金属基体导电率的因素,1,、不同的金属具有不同的电子密度2,、温度和金属的结构缺陷会降低电子平均自由程SDEM,2.1,自由电子密度不同的金属导电状况,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,电场,方向,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,Ag,Al,SDEM,2.1,自由电子密度不同的金属导电状况,电子密度 ，其中,m,是元素质量密度,，,A,是元素相对原子量，,Z,是单个原子提供的自由电子数，与最外层电子数相关几种元素的自由电子密度,元素,自由电子密度,/cm3,电阻率,/,（,m,）,Fe,1.69x1023,10,Cu,0.84x1023,1.75,Al,0.6x1023,2.9,Ag,0.58x1023,1.65,SDEM,2.2,常见金属的电子平均自由程,金属,电子平均自由程/nm,电阻率/（m）,Ag,52.7,1.65,Cu,39.3,1.75,Au,35.5,2.3,Al,14.9,2.9,W,14.2,5.5,SDEM,缺陷量不同的金属导电状况的对比,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,电场,方向,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,退火态钢,淬火态钢,SDEM,缺陷量不同的金属导电状况的对比,时效处理对,CuCr25,合金导电率的影响,SDEM,不同温度下金属导电状况的对比,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,电场,方向,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,Ag,Al,SDEM,不同温度下金属导电状况的对比,SDEM,2.,影响金属基体导电率的因素,（,1,）温度,温度对金属电阻的影响是由于温度引起离子晶格热振动造成对电子波的散射，温度升高会使离子振动加剧、热振动振幅加大，原子的无序度增加，而使,电阻率随温度的升高而增加,。
2,）金属中的缺陷,金属中的各种缺陷，如杂质原子、空位、内部（晶界）的位错和外部的表面造成,晶格畸变,引起电子波散射，从而影响导电性SDEM,2.4,实际应用,冷,加工使晶体点阵发生畸变和产生更多缺陷，从而增加了电子散射的几率,，因而电阻率升高金,属冷加工变形后，若再进行退火，则可,使电阻降低，尤其当温度接近再结晶温,度（,T,再,=0.4T,熔,）时,，电阻可恢复到接近冷加工前的水平但当退火温度高过再结晶温度时电阻反而又增大了这是再结晶后新晶粒的晶界阻碍了电子运动造成的17,3.1,接触电阻的理论和计算,一,、,电接触的定义和分类：,1,、,定义：,电接触是导体与导体的接触处；也称电接触是,2,个或,n,个导体通过机械方式连接，使电流得以通过的状态电接触内表面物理图景,任何用肉眼看来磨得非常光滑的金属,表面，实际上都是粗糙不平的如图,6-1,所示，为几种机械加工后钢,表面轮廓图并与玻璃表面比较由图可知：,不同材料、不同加工法、,不同工艺过程所得到的表面微观状态不相,同6-2,接触电阻的理论和计算,电流通过两导体电接触处的主要现象是接触处出现局部高温产生此现象的原因是电接触处存在一附加电阻，称之为,接触电阻,。
R,j,即为导体与导体接触处产生的一附加电阻，这个电阻定义为接触电阻导体电阻比接触电阻小得多，工程中可近似认为：,R,j,=R,ab,3.1,接触电阻的理论和计算,电接触学科的奠基人霍尔姆,(R.Holm),指出：任何用肉眼看来磨得非常光滑的金属表面，实际上都是粗糙不平的，当两金属表面互相接触时，只有少数凸出的点,(,小面,),发生了真正的接触，其中仅仅是一小部分金属接触或准金属接触的斑点才能导电,.,当电流通过这些很小的导电斑点时，电流线必然会发生收缩现象，见下图,6-4,的示意图其次，由于金属表面上有膜的存在，如果实际接触面之间的薄膜能导电，则当电流通过薄膜时将会受到一定阻碍而有另一附加电阻，称,膜电阻,，它是构成接触电阻的另一个分量式中,R,b,：表面间膜电阻；,R,s,：收缩电阻3.1,接触电阻的理论和计算,3,）金属表面膜的形成：,金属表面膜的生长与材料种类、环境介质的情况，以及其它许多复杂的情况有关以铜和银为例说明金属表面膜的形成：,a,、以银为例分析 空气：银不易氧化；臭氧：,Ag,2,O,，易清除，,200,即分解；含,H,2,S,的空气：在银表面水膜中易生成,Ag,2,S,绝缘暗膜，干燥时不易侵蚀银。
Ag,2,S,是半导体，近似于绝缘件b,、以铜为例：空气中，金属材料表面由吸附膜发展成肉眼可见的氧化暗膜，生长规律理论上由氧化速率的抛物线定律决定，但实际的生长规律复杂图,6-6,示出几种常见触头材料在某些条件下膜的生长厚度与时间的关系6-2,接触电阻的理论和计算,3.2,膜电阻的生成与击穿,4,、绝缘暗膜的击穿：,1,）半导体特征：如果施加一电压于具有完整的绝缘暗膜的接触面之间，当电压,U,由,0,升高，膜电阻由,M,级下降（但一直保持绝缘状态），但膜电阻随电压升高而下降；,U,下降，膜电阻上升2,）,U,上升至某临界值（如,5,伏），膜被击穿，膜电阻突然消失，接触面之间的电压立即下降到零点几伏的数量级图,6-8,表示绝缘膜的这种电击穿过程,绝缘暗膜的电击穿过程：,实线：加压或减压时，膜处于完好,绝缘状态；,U,0,：临界电压当,UU,0,，膜被击穿，,用虚线表示，并最终稳定在终止,点（,Rz,，,Uz,）霍尔姆把膜的击穿称之为膜的熔解6-2,接触电阻的理论和计算,3.2,膜电阻的生成与击穿,5,、绝缘暗膜击穿的机理：,（,1,）,电击穿：,电场内部电子发射，形成电子云，使金属表面局部加热直至熔化，由于强大静电力作用，液态金属被吸入放电通道而桥接，最后形成金属的电流通路。
2,）,热击穿：,由于膜的不均匀性，使电流集中通过局部电导率较高的点，引起半导体膜的温度升高，电导率增大，又使电流更加集中和加大，以致发生最终的热击穿，被熔化的金属最后引入击穿通道而桥接3,）,机械击穿：,在接触元件上施加一定的外力，从而使实际接触面微观凸丘接触处获得极高的应力当凸丘受压变形时，膜亦随之破裂或者在两接触面受压的同时，使两表面作相对滚滑，将膜磨碎并剥离膜的机械破坏要求实际接触面上作用有很高的局部压力，并且边面膜比本体金属应具有大得多的硬度和脆性为此需要接触表面有一定的粗糙度，使接触斑点有小的接触面积，以获得高的局部接触压力，同时选用适当的接触材料和结构6-2,接触电阻的理论和计算,3.2,膜电阻的生成与击穿,3.3,、收缩电阻的影响因素,当理想球形与平面接触时,若呈弹塑性变形,则为：,P,：压力,r,：球半径,H,：接触材料的硬度,(,N/m,2,),；,10/16/2024,23,第2章接触电阻理论,现,象：,当接触压力,P,由小增大时，收缩电阻,Rc,减小；,当接触压力进一步增大时，,Rc,的减小变得非常缓慢；,当接触压力由大减小时，,Rc,的增加极其缓慢3.3.1,接触压力对收缩电阻的影响,Au,接触表面的收缩电阻与接触压力,P,的关系,10/16/2024,24,第2章接触电阻理论,材料的硬度越高，收缩电阻越大，但硬度提高有利于表面氧化膜的去除。
接触的压力越大，收缩电阻越小，但会缩短断路器弹簧机构的疲劳寿命Ag,表面不易生成氧化膜，膜电阻小；本身导电率高；硬度低，收缩电阻小，是比较理想的电接触材料但其本身强度硬度不够，导致在接触时容易发生形变影响寿命，所以经常与,W,、,Ni,、,Fe,等高强度材料相配合以提高触头的机械寿命并且其可焊性极好，易发生熔焊，所以经常配合以,C,、,CdO,、,SnO2,等易产生气体的材料配合以避免熔焊Cu,相对,Ag,在导电方面的性能并不差很多，但是,Cu,很容易在空气中氧化，导致接触电阻大大增加，所以,Cu,基材料主要应用于真空接触器中3.4,实际应用,10/16/2024,25,第2章接触电阻理论,影响电接触过程中的导电性能的因素,报告人,:,薛博宇,谢谢,THANK YOU,。