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1、由由UV-vis 光谱求样品的光谱求样品的Eg 一半导体禁带求导公式一半导体禁带求导公式 2 1/2 () () g g hC hvE hC hvE 通常(ahv) 是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2 或(eV)1/2.cm-1/2。 由上述公式可知，（ahv）1/2和(ahv) 2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。 由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系 数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓 度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公 式可写成如下形式： 1/2 2 g g Ah hvE K Ah hvE K K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标， 以或为纵坐标，作
2、图，再做切 线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前 者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半 导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外 可见漫反射中的吸光度。 1/2 ()Ah 2 ()Ah Kubelka-Munk公式公式 A = - lg (R)（1） F(r) = (1-R)2/2R = a / s （2） R为反射率, a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光 度对应的R，用E1240/波长，做横坐标， 利用第二个公式求F（R），再用做 纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 1/2 ( )*F R E 二 求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数
3、据导入到excell， 然后进行数据处理，下面用第一个公式进 行数据处理： 下面用下面用Kubelka-Munk公式处理：公式处理： 三 关于K值大小对结果的影响 1.52.02.53.03.54.04.55.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 2.90 (Ahv)1/2 Y Axis Title X Axis Title E 1.52.02.53.03.54.04.55.0 0 100 200 300 400 500 600 700 2.90 (Ahv/0.00002)1/2 Y Axis Title X Axis Title G 1.52.02.53.03.54.0
4、4.55.0 0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0.016 0.018 0.020 2.91 (Ahv)/20000)1/2 Y Axis Title X Axis Title G 同一组数据在不同的处理 方法下得到的Eg.以下也 是这一组数据的处理 同一组数据在不同的处理 方法下得到的Eg.以下也 是这一组数据的处理 1.52.02.53.03.54.04.55.0 0.000 0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030 2.90 (Ahv) 1/2/100 Y Axis Title X Axis Ti
5、tle F 1.52.02.53.03.54.04.55.0 0.00000 0.00005 0.00010 0.00015 0.00020 0.00025 0.00030 2.90 (Ahv) 1/2/10000 Y Axis Title X Axis Title F 1.52.02.53.03.54.04.55.0 0 50 100 150 200 250 300 2.90 (Ahv) 1/2*100 Y Axis Title X Axis Title F 1.52.02.53.03.54.04.55.0 0 5000 10000 15000 20000 25000 30000 2.91 (Ahv) 1/2*10000 Y Axis Title X Axis Title F 1.52.02.53.03.54.04.55.0 0.00E+000 5.00E+008 1.00E+009 1.50E+009 2.00E+009 2.50E+009 3.00E+009 (Ahv) 1/2*1000000000 2.91 Y Axis Title X Axis Title F 由上图可见，密度，厚度等因素影响K的大 小，但并不影响所求的Eg. 由上图可见，密度，厚度等因素影响K的大 小，但并不影响所求的Eg.
