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1、9.1 气敏传感器 9.2 湿敏传感器 9.3 色敏传感器 9.4 半导体式传感器的应用,主要内容,半导体传感器是典型的物理型传感器，它是利用某些材料的电特征的变化实现被测量的直接转换，如改变半导体内载流子的数目。 凡是用半导体材料制作的传感器都属于半导体传感器。 其中包括：光敏电阻、光敏二极管、光敏晶体管、霍尔元件、磁敏元件、压阻元件、气敏、湿敏等等。,概述,概述,概述,气敏传感器是用来检测气体浓度和成份的器件，由于气体种类很多，性质各不相同，不可能 用同一种气体传感器测量所有气体。 气敏传感器按构成传感器材料可分为半导体和非半导体两大类，目前实际使用最多的是半导体气敏传感器。半导体气敏传感
2、器从不同的角度出发，可分为表面控制型和体控制型、电阻型和非电阻型。,9.1 气敏传感器,9.1 气敏传感器 9.1.1 半导体气敏传感器工作原理(电阻型),气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应，导致敏感元件阻值变化，如： 氧气等具有负离子吸附倾向的气体，被称为氧化型气体电子接收性气体； 氢、碳氧化合物、醇类等具有正离子吸附倾向的气体，被称为还原型气体电子供给性气体。,当氧化型气体吸附到N型半导体上， 半导体的载流子减少，电阻率上升； 当氧化型气体吸附到P型半导体上， 半导体的载流子增多，电阻率下降； 当还原型气体吸附到N型半导体上， 半导体的载流子增多，电阻率下降； 当还原型气体吸
3、附到P型半导体上， 半导体的载流子减少，电阻率上升；,N型半导体与气体接触时的氧化还原反映,9.1 气敏传感器 9.1.1 半导体气敏传感器工作原理,9.1 气敏传感器 9.1.2 半导体气敏传感器类型及结构,9.1 气敏传感器 9.1.2 半导体气敏传感器类型及结构 1. 电阻型半导体气敏传感器,在常温下，电导率变化不大，达不到检测目的，因此以上结构的气敏元件都有电阻丝加热器; 加热时间23分钟，加热电源一般为5V; 加热方式分为内热式和旁热式。,气敏传感器测量电路,9.1 气敏传感器 9.1.2 半导体气敏传感器类型及结构 2.非电阻型半导体气敏传感器,非电阻型气半导体敏传感器主要类型：
4、利用MOS二极管的电容电压特性变化； 利用MOS场效应管的阈值电压的变化； 利用肖特基金属半导体二极管的势垒变化进行气体检测。,9.1 气敏传感器 9.1.2 半导体气敏传感器类型及结构 2. 非电阻型半导体气敏传感器,1）MOS二极管气敏元件 在P型硅氧化层上蒸发一层钯（Pd）金属膜作电极。氧化层（SiO2）电容Ca固定不变。Si和SiO2界面电容Cs是外加电压的函数，总电容C也是偏压的函数。MOS二极管的等效电容C随电压U变化。 金属钯（Pd）对氢气（H2）特别敏感。当Pd吸附以后，使Pd的功函数下降，使MOS管CU特性向左平移，利用这一特性用于测定氢气的浓度。,9.1 气敏传感器 9.1
5、.2 半导体气敏传感器类型及结构 2. 非电阻型半导体气敏传感器,MOS二极管气敏元件结构和等效电路,2）MOSFET气敏元件 Pd对H2吸附性很强，H2吸附在Pd栅上引起的Pd 功函数降低。当栅极（G）源极（S）间加正向偏 压UGSUT阀值时，栅极氧化层下的硅从P变为N型， N型区将S（源）和 D（漏）连接起来， 形成导电通道（N型 沟道）此时MOSFET 进入工作状态。,钯Pd结构 MOSFET管,9.1 气敏传感器 9.1.2 半导体气敏传感器类型及结构 2. 非电阻型半导体气敏传感器,在S D间加电压UDS，S D间有电流IDS流过，IDS随UDS、UGS变化。当UGSUT时，沟道没形
6、成，无漏源电流IDS = 0。 UT（阀值）电压大小与金属与半导体间的功函数有关。 Pd MOSFET器件就是利用H2在钯栅极吸附后改变功函数使UT下降，检测H2浓度。,9.1 气敏传感器 9.1.2 半导体气敏传感器类型及结构 2.非电阻型半导体气敏传感器,3）肖特基二极管 金属和半导体接触的界面形成肖特基势垒，构成金属半导体二极管。管子加正偏压，半导体金属的电子流增加，加负偏压，几乎无电流。当金属与半导体界面有气体时，势垒降低，电流变化。 非电阻型半导体气敏传感器主要用于氢气浓度测量。,9.1 气敏传感器 9.1.2 半导体气敏传感器类型及结构 2.非电阻型半导体气敏传感器,9.1 气敏传
7、感器 9.1.3 半导体气敏传感器应用,气体浓度检测,TGS-812,9.2 湿敏传感器,湿度是指空气中的水蒸气含量，通常用绝对湿度和相对湿度表示： 绝对湿度，单位空间所含水蒸汽的绝对含量或浓度，用符号AH表示，单位（g/m3）。 相对湿度，被测气体中蒸汽压和该气体在相同温度下饱和水蒸气压的百分比，一般用%RH表 示，无量纲。一般使用湿度，量程0100%RH。 不同环境所需湿度不同，测量方法很多，但精度不高。目前世界上最高水平湿度测量精度在0.01%左右，理想测湿量程应是0100%RH，量程越大实用价值越大。,9.2 湿敏传感器 2.1 氯化锂湿敏电阻,氯化锂湿敏电阻即电解质湿敏电阻，利用物质
8、吸收水分子而导电率发生变化检测湿度。 在氯化锂（LiCl）溶液中，Li和Cl以正负离子的形式存在，锂离子（Li+）对水分子的吸收力强，离子水合成度高，溶液中的离子导能力与溶液浓度成正比，溶液浓度增加，导电率上升。,当溶液置于一定湿度场中，若环境RH上升，溶液吸收水分子使浓度下降电阻率上升，反之RH下降，溶液吸收水分子使浓度上升，电阻率下降。 通过测量溶液电阻R值实现对湿度测量。,氯化锂湿敏电阻,9.2 湿敏传感器 2.1 氯化锂湿敏电阻,9.2 湿敏传感器 9.2.2 半导体陶瓷湿敏电阻,半导体陶瓷湿敏电阻通常用两种以上的金属氧化物半导体烧结成多孔陶瓷，材料有正温度系数和负温度系数两种。即负特
9、性湿敏半导体陶瓷，和正特性湿敏半导体陶瓷。,负湿敏特性半导体瓷湿敏电阻，电阻随湿度增加而下降。由于水分子中氢原子具有很强的正电场，当水分子在半导体瓷表面吸附时可能从半导体瓷表面俘获电子，使半导体表面带负电，相当表面电势变负，电阻率随湿度增加而下降。,正特性湿敏半导体陶瓷？,9.2 湿敏传感器 9.2.2 半导体陶瓷湿敏电阻,9.2 湿敏传感器 9.2.3 湿敏传感器的应用电路,土 壤 湿 度 测 量,9.2 湿敏传感器 9.2.3 湿敏传感器的应用,电路由检测、放大、温压源组成 RH为硅湿敏电阻，温度25时响应时间小于5秒； 检测土壤含水量范围RH=0100%，RH为VT提供偏流； RH插入土
10、壤，湿度不同时传感器电阻值不同； RH变化引起VT基极电流变化使Ie在R2上转换为电压， 经同相放大器放大，输出VD3控制在5V电压。 电路调试： 满量程，放RH在水中调整RP2使输出为5V/100RH%； 最小调整，将RH擦干，调节RP1使输出为0V/0RH%。,9.3 色敏传感器,半导体色敏传感器是一种半导体光敏器件，工作原理基于光电效应，可将光信号转换为电信号的光辐射探测器。,半导体色敏传感器相当于两只结构不同的光电二极管，实际不是晶体管而是两个深浅不同的PN结，又称光电双结二极管。,9.3 色敏传感器,浅结的光电二极管对紫外光灵敏度高，深结的光电二极管对红外光灵敏度高； 这一特征为色敏
11、器件提供了识别颜色的可能。,9.3 色敏传感器 光电二极管的工作原理,9.3 色敏传感器 半导体色敏传感器工作原理,在半导体中不同的区域对不同的波长分别具有不同的灵敏度。这一特性给我们提供了将这种器件用于颜色识别的可能性, 也就是可以用来测量入射光的波长。将两只结深不同的光电二极管组合。 硅色敏管中VD和VD的光谱响应曲线就构成了可以测定波长的半导体色敏传感器。 在具体应用时, 应先对该色敏器件进行标定。 也就是说，测定不同波长的光照射下, 该器件中两只光电二极管短路电流的比值SD2SD1, SD1是浅结二极管的短路电流, 它在短波区较大，SD2是深结二极管的短路电流, 它在长波区较大, 因而二者的比值与入射单色光波长的关系就可以确定。根据标定的曲线, 实测出某一单色光时的短路电流比值, 即可确定该单色光的波长。,9.3 色敏传感器,色敏传感器检测电路框图,辩色传感器电路（典型应用）,9.3 色敏传感器,本章要点,气敏传感器，半导体气敏传感器类型及结构，电阻型半导体气敏传感器、非电阻型半导体气敏传感器工作原理及应用方法； 湿敏传感器，氯化锂湿敏电阻、半导体陶瓷湿敏电阻测湿原理； 色敏传感器工作机理。,
