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1、深圳市高科实业有限公司 6、0.35m SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目 可可行行性性研研究究报报告告 （代项目建议书）（代项目建议书） 信息产业电子第十一设计研究院有限公司 二三年四月 深圳市高科实业有限公司 6、0.35m SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目 可可行行性性研研究究报报告告 （代项目建议书）（代项目建议书） 院 长： 总工程师： 项目负责人： 信息产业电子第十一设计研究院有限公司 编制人员编制人员 项目负责人： 技术负责人： 经济负责人： 参编人员 ： 目目 录录 第一章第一章 总论总论1 1.1 项目名称与通讯地址1 1.2 内容提要1 1.3 项目建设的必要性和
2、有利条件2 1.4 可行性研究报告编制依据5 1.4 研究结果6 第二章第二章 投资方简介投资方简介9 2.1 深圳市高科实业有限公司9 2.2 ELIA TECH 公司10 第三章第三章 该产业国内外发展情况该产业国内外发展情况11 3.1 产品主要应用领域和意义11 3.2 国际-国内技术水平发展情况13 3.3 产品国际-国内市场发展情况16 3.4 产业的国内外发展形势18 第四章第四章 产品大纲及可占领市场分析产品大纲及可占领市场分析20 4.1 产品大纲20 4.2 产品简介20 4.3 投产计划22 4.4 可占领市场分析23 第五章第五章 生产技术与生产协作生产技术与生产协作2
3、4 5.1 生产工艺流程24 5.2 主要技术及来源24 5.3 技术转移的实施和主要技术团队26 5.4 主要外协关系与关键原材料供应31 第六章第六章 生产线建设生产线建设32 6.1 建设目标32 6.2 经营模式32 6.3 设备配置33 6.4 主要仪器设备清单34 6.5 生产环境要求36 第七章第七章 工程建设方案工程建设方案37 7.1 建设目标与建设内容37 7.2 总图39 7.3 建筑结构设计39 7.4 建筑服务系统39 7.5 工艺服务系统42 7.6 电气45 第八章第八章 消防、环保、安全、节能消防、环保、安全、节能48 8.1 消防48 8.2 环境保护51 8
4、.3 安全卫生55 8.4 节能60 第九章第九章 组织机构及人员编制组织机构及人员编制63 9.1 董事会组成63 9.2 组织机构63 9.3 人员编制63 9.4 人员培训63 第十章实施进度第十章实施进度65 第十一章第十一章 投资估算与资金筹措投资估算与资金筹措66 11.1 建设投资估算66 11.2 流动资金估算68 11.3 项目总投资68 11.4 资金筹措68 第十二章第十二章 经济分析经济分析69 12.1 基本数据69 12.2 财务评价71 12.3 经济评价结果72 12.4 综合评价73 附表：附表： 1、总投资估算表 2、流动资金估算表 3、投资计划与资金筹措表
5、 4、总成本费用估算表 5、损益表 6、现金流量表（全部投资） 7、贷款还本付息计算表 8、资金来源与运用表 9、销售收入及税金计算表 附图：附图： 1 1、区域位置图（、区域位置图（1 1） 2 2、区域位置图（、区域位置图（2 2） 3 3、总平面图、总平面图 4 4、一层工艺区划图、一层工艺区划图 5 5、二层工艺区划图、二层工艺区划图 附件：附件： 深圳市高科实业有限公司 SiGe 集成电路芯片生产线项目 1 第一章第一章 总论总论 1.1 项目名称与通信地址 项目名称：6、0.35m SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项 目 承办单位：深圳市高科实业有限公司 法人代表：冉茂平 项目负
6、责人：方中华 通信地址：深圳市深南中路中航苑航都大厦17楼G.H.I座 邮政编码：518041 传 真：0755-83793632 电 话：0755-83790680 1.21.2 内容提要内容提要 由深圳市高科实业有限公司（以下简称高科公司）作为中方投 资公司与ELIA TECH（亚洲）集团有限公司（以下简称ELIA TECH 公司）在深圳合资组建一家合资企业，共同投资兴建6、0.35m SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目，主要产品包括SiGe芯片和 普通Si功率MOS器件芯片，形成月投片量5000片的生产能力。 项目总体规划分两期建设，一期工程初期实现6SiGe HBT和 SiGeVC
7、O芯片共计5000片/月的生产能力（本项目） ，根据产品市场 的发展和需求情况最终可形成20000片/月的生产能力，二期工程兴 建8生产线，实现月产8SiGe芯片20000片。 一期工程规划用地116000 m2（包括研发中心用地20000 m2） ，二 期工程规划用地84000 m2，总用地200000 m2。 本项目总投资（建设投资）2998.9万美元，注册资金1500万美 深圳市高科实业有限公司 SiGe 集成电路芯片生产线项目 2 元，高科公司占合资公司总股本的60%，ELIA TECH公司占合资公 司总股本的40%。项目总投资中注册资金以外的部分(1498.9万美元)， 将以合资公司
8、名义向境内或境外金融机构贷款解决。 本项目用地由深圳市政府免费提供，一期工程用地位于深圳市 宝龙工业园区，用地面积96200 m2，研发中心用地19800 m2，位于深 圳市高新技术产业园区，规划建筑包括生产厂房（FAB1和FAB2） 、 动力厂房、综合楼、多功能中心、专家楼、倒班宿舍、化学品库、 气站等，本项目（5000片）新建其中的生产厂房（FAB1） 、动力厂 房和倒班宿舍，合计新建面积26600 m2，其它建筑和子项根据生产 规模的扩大实行分步实施。生产厂房（FAB1）按月投片20000的规 模建设，洁净室和相配套的生产动力设施按5000片规模配置。 预计本项目达产年销售收入9633.
9、82万美元，利润2848.96万美元， 项目内部收益率57.26%，投资回收期3.23年。 1.31.3 项目建设的必要性和有利条件项目建设的必要性和有利条件 1.3.1项目意义 本项目旨在建立一条 6” 0.35m SiGe 集成电路芯片生产线，该 生产线同 Si 集成电路具有兼容性，因此该生产线除了可以生产 SiGe 器件以外，也可以根据市场需求生产其它 Si 器件。本项目在投产初 期，由于考虑到 SiGe 器件市场有一个发展过程，因而安排一定的生 产量生产有用户需求的功率 MOS 器件，这样项目既考虑到一步就迈 上了生产当前国际上先进的高频 SiGe 器件，为进一步发展这一类器 件抢占更
10、大的市场奠定基础，同时又能保证生产线的产量能达到饱 和值，并为企业带来更大的效益。本项目的建立具有如下意义： （1）填补国内 SiGe 高频器件生产的空白，推动我国 SiGe 集成 电路生产赶上国际先进水平。 SiGe 高频器件是一种利用硅基片及能带工程的新型异质结双极 深圳市高科实业有限公司 SiGe 集成电路芯片生产线项目 3 器件，由于具有优良的高频特性同时又具有价格低廉以及同硅集成 电路兼容集成的优点，因而深受各国重视。尽管 1987 年第一只 SiGe HBT 诞生，并经历了十几年的研究及发展，但一直到 1998 年真正的 SiGe 产品才问世。 本项目利用韩国合资方 ELIA TE
11、CH 公司掌握的先进 SiGe 器件 及电路工艺技术生产的 SiGe 器件及集成电路，使我国能在最短的时 间内填补这种器件及电路的空白，推动我国 SiGe 集成电路生产赶上 国际先进水平。 （2）满足我国高频应用领域的需求，促进相关应用领域的发展 随着我国光纤通信、航天科技及军事科技的迅速发展，对高频 电路不仅在数量上有更多的要求，而且希望电路满足低成本、小体 积及能同硅电路兼容集成，从而构成系统集成芯片。SiGe 技术正好 满足这些要求，因而建立 6 英寸 0.35m SiGe 集成电路生产线，能 扭转我国目前高频电路主要依赖 GaAs 器件及大部分靠进口的状态， 从而促进我国相关应用领域的
12、发展。 （3）拓宽我国微电子产品的领域，形成我国 SiGe 集成电路生 产及研发基地。 多年来我国微电子工业的发展缓慢，尽管截止 2000 年我国已共 有 25 条微电子生产线，但除了上海华虹 NEC 的 8 英寸 0.25m 产 品刚进入当代国际硅主流技术水平以外，其它生产线以生产低中档 产品为主。近年来我国微电子工业发展速度有所加快，特别上海 “中心国际”及“宏力”8 英寸 0.25 生产线的建立，扩充了我国集 成电路的生产能力，提高了我国集成电路的产品水平。但是上述所 有微电子生产线均未考虑 SiGe 器件的生产。因此本项目 SiGe 集成 电路生产线的建立，可以拓宽我国微电子产品的领域
13、，本项目第二 期工程拟升级成 8 英寸加工线，并将建立 SiGe 集成电路研究及发展 中心，最终形成我国 SiGe 集成电路生产及研发基地。 深圳市高科实业有限公司 SiGe 集成电路芯片生产线项目 4 （4）带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展 多年来我国从事高频电路设计的科技人员均以 GaAs 器件为主 要对象，原因是缺乏新的高频器件，本项目 SiGe 器件生产线的建立， 为建立 SiGe 高频电路及系统集成芯片设计平台提供了一个验证及保 证的条件，从而带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展。 （5）推动深圳市电子信息产业的进一步发展 电子及通信设备制造业是深圳工业的主导行业，但是深圳市的 微电子工业由于起步较
