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1、再谈图腾柱驱动电路之一、之二、之三汇总（注：根据davida的建议，觉得还是把这个三个帖子综合起来跟方便大家探讨。）一、驱动电路之一 由于本人最近接触才saber，仿真能力有限，本想仿真，但实在是由于有关saber的基础东西还很多不会呢，所以只能请教大家了1、问：（1）在下面电路中，VCC的选择和哪些因素有关系？VCC和后级的mos管的Vgs电压相等吗？（2) NPN、PNP管子的选取的依据？三极管的电流Ic要满足什么样的条件才能驱动后端的mos？在下帖http:/ 胡庄主 曾提到“1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就
2、是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。3)得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。”针对上边的内容我有些疑问：1、MOS属于单级型电压驱动器
3、件，是栅极电压来控制漏极电流的，如果从表面理解的话，是不是只要保证栅极的电压达到Vgs就可以？和电流没有关系？2、MOS管的门极电容是怎么确定的？是下图这些参数吗？二、驱动电路之二问：1、图中的C18的作用？二极管D是否有必要加？要加的话，起作用？ 2、R15、R16加与不加？ R15、R16在一般电路中，是并接在mos的GS端，起消除Cgs累计电荷的作用，防止mos处于开始处于导通或者状态不明确的情况。在这里，采用了，脉变驱动。变压器绕组可以起到放电作用,所以即使不加GS电阻,在驱动没有的情况下,管子也不会自己导通。 请有经验的朋友们，说下，在这个时候R15和R16加与不加？影响如何？三、驱
4、动电路之三问：1、各电阻的作用？D1、D2的作用？ 2、Q1、Q3构成的图腾柱与Q2、Q4构成的图腾柱，为何相反？为什么用两级？难道是为了增强驱动能力？ Q1、Q3的选择和Q2、Q4的选择上是否不同？三幅图中，第三图很完整，逻辑关系比较有意思，很有把玩趣味第二幅图电路不是很齐全，让人像猜谜样猜，说话都得讲究个语境，看电路图不能就只给瞧某个单元模块，管中窥豹啊，楼主在搞非常6+1耶 第一幅图画个等效电路出来不就明白VCC与Vg之间的关系麽，楼主楼主的电路分析有待加强，把模电，电路这两书来来回回翻看个五六七八遍，再回过头来分析这几幅图你就有自己的体会喇第一幅图，实际上不经过等效电路就知道VCC应该
5、和VGS差不多相等，但是仿真的时候就不一样了。还有就是虽然等效电路出来VCCVGS，但你给出的仿真结构却不是。你可能没太注意，通道A、B的幅格大小是不一样的，一个是5V/Div，一个是2V/Div，实际上都是5V，和V1的大小相等，这个multisim仿真我也做过，但结果和你的一样，不过现在我知道这个图的原因所在了。第二个图，实际上不需要完整的电路图，只是个图腾柱+脉变，只是有些疑问。不过还是很感谢嘿，我贴出的仿真图是想让你看：输出波形（信号）与输入信号（激励源）同步且同相，A、B幅值不一样是爲了看得清楚些（好区分），至于输出幅值，它不仅受VCC影响，也受V1制约，因为并联的#￥%*&-（此省
6、略数十字符）所以，第三幅图中，D2的作用就基本明朗了，D1你再推敲推敲也就差不多了，至于Q1Q4，你明白它们的逻辑关系没有，明白了就知道它们不单是为了增强驱动能力而前后构造不一了而而不过经过仿真，实际上输出幅值基本上和VCC有关，和输入V1关系不大我看了，saber中好像不用设置吧，因为看它的模型就是7.5V的你看看我的截图，在仿真中试一下就知道了嘛对第一点中的那个问题也很感兴趣，MOS驱动应该是将驱动电压加在GS两端，I=Cdu/dt,但是对于驱动端来说，能做的只是提供一个良好的脉冲波形和足够的“能力”，至于实际的驱动电流为多少，是驱动能定的吗？很疑惑由于本人最近接触才saber，仿真能力有
7、限，本想仿真，但实在是由于有关saber的基础东西还很多不会呢，所以只能请教大家了1、问：（1）在下面电路中，VCC的选择和哪些因素有关系？VCC和后级的mos管的Vgs电压相等吗？（2) NPN、PNP管子的选取的依据？三极管的电流Ic要满足什么样的条件才能驱动后端的mos？在下帖http:/ 胡庄主 曾提到“1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。2）驱动能力用个简化的公
8、式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。3)得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。”针对上边的内容我有些疑问：1、MOS属于单级型电压驱动器件，是栅极电压来控制漏极电流的，如果从表面理解的话，是不是只要保证栅极的电压达到Vgs就可以？和电流没有关系？2、MOS管的门极电容是怎么确定的？是下图这些参数吗？1，不同的
9、NPN,PNP对管，能提供的驱动电流是不一样的。2，Ciss=Cgs+CgdCoss=Cds+CgdCrss=Cgd在计算栅极驱动电流时，要根据栅极电荷Qg来计算1）VCC的选择与MOS管的驱动电压有关。驱动电压比VCC低一个BE的压降。（2）三极管的电流要满足MOS管子的驱动速度谢谢！三极管的电流是不是要满足Igs啊？还有MOS管的技术指标中有mos管的驱动速度？三极管的电流怎样满足mos的驱动速度？有没有相关的计算公式来方便选择三极管呢？MOS管是电压控制不错，但电压是维持导通的条件，电流确实决定开启速度的条件，如果只有电压电流很小，那么MOS管栅极电容充电就比较慢，造成的结果就是开通速度
10、减慢。那怎么样选择我的NPN和PNP的管子呢1、vcc的选择确实跟Vgs有关；2、图腾驱动管子的选取依照正常的电压电流值，及其高频特性，电流一般都能满足，因为后接mos需要的电流很小。1、vcc的选择确实跟Vds有关；你这应该是笔误吧，Vgs吧SORRY 纯属笔误 我用的图，是IGBT管，P沟场管更好，内阻小，我打算做摩托车稳压器，主要是串联在正极上用的下面这张图，也在电源网找的， 回复6帖我用494和P沟的做串联式稳压电源，P沟的管或者IGBT要用600V 20A以上的这个电路看似简单，其实用起来要考虑的还比较多，简单谈谈个人的看法，先声明一下，只是随手总结，可能有不对或不足之处，1）首先要
11、确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。3)得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电
12、路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。4）这个时候再考虑的就是你PCB板layout的空间，位置，准备为这个电路花多少钱选器件，用MOS还是BJT，综合考虑，然后就想办法选器件吧，当然还要考虑IC的输出信号和你选的图腾柱器件（MOS或BJT）之间也是个回路，这会不会有问题？5) 另外要考虑的是，这个图腾柱能不能彻底关掉，这就又要考虑N在上还是P在上，正开还是负开,比如选用PMOS做关断，关断时图腾柱输出会仍有一个等于 Vgs电压的电压加在你的负载MOS上，如果这个电压高于你的负载MOS门槛的话，-这就意味着你没关掉，虽然你前面关掉了。更痛苦的是，前面和后面的MOS门槛电压toleranc
13、e都会非常大，再考虑到温度系数，.这要坐下来算算了6）还要重点考虑的是图腾柱的器件也是要损耗功率的，所以要考虑它的温度及功耗会不会有问题。总之，具体用时要考虑的问题还真不少，单挑一个出来都非常简单，但加到一块，还真要花点时间研究计算一下。因为是做产品，所有的规格参数，寄生参数，tolerance，温度，cost, PCB空间等等等等，前前后后的一堆问题都得面对，不象写paper或仿真,抓住一点，其它都可考虑为理想状态，这样当然很快可以推出理想的结果。输出极采用一个上电阻接一个NPN型晶体管的集电极,这个管子的发射极接下面管子的集电极同时输出;下管的发射极接地.两管的基极分别接前级的控制.就是上
14、下两个输出管,从直流角度看是串联,两管联接处为输出端.上管导通下管截止输出高电平,下管导通上管截止输出低电平,如果电路逻辑可以上下两管均截止则输出为高阻态.其实也是用NPN和PNP管子的搭配使用，当上升沿的时候NPN工作打开，当下降沿的时候PNP工作关闭，依次循环。不就是OUT高位时，上三极管导通，下三极管关断，Rgate接上Vdrv，MOS开通，OUT低位时，反过来，Rgate接地，MOS关断。按照你的说法那mosfet的驱动信号就是：低电平0，高电平Vdrv？可实际是低电平0，高电平Vout。我讲的不严谨，只是个大概意思。实际应该是VoutVbe，(忽略Rb上压降)，不过Vbe在过程中，不
15、是个定值Rgate推动的可以看作是一个电容C，反复将它充放电。上管：最大充电电流(=Vout-Vbe)/Rgate，这也是三极管的最大电流，它的Vceo需要大於Vdrv，功耗最小等於(Vdrv-Vout-Vbe)*充电电流平均值下管：放电，计算类似。图腾柱式的驱动方式，一方面增加了驱动能力，另一方面，当PWM的输出端为低的时候，下管为MOS的结电容提供放电回路。如此而已，所以此种驱动方式在MOS管的驱动上面应用比较广，对了晶体管的驱动而已，没有任何优势这个电路看似简单，其实用起来要考虑的还比较多，简单谈谈个人的看法，先声明一下，只是随手总结，可能有不对或不足之处，1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容
