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1、1拜师求学反馈环路 设计、调式 先去把自控原理（经典部分）看一遍，搞懂零，极点的概念，因为电源在小信号的情况下就是一个很典型的小相角系统，什么叫看懂，那到一个电源，一看反馈部分马上零，极点就可以写出来。而 PWM 部分和滤波部分对固定的电路拓扑和控制形式（电压或电流） ，其零，极点都有响应的公式写出。如果你要详细的数学计算，再去看自控的超前，滞后补偿部分，但这种计算来的一般不会太准，但可以作为一个调试的起点，最后的检测一般用电子负载做动态加减载实验就可以（专用仪器非常贵） 。一般的电源设电流变化率为 1A/uS 或 5，10A/uS 。50-100%负载变化，看电压变化，如果电压很缓慢的回到稳
2、态值，说明相角裕度太大，如果震荡 2 个周期以上回到稳态值，相角裕度一般只有二，三十度，太小，如果一个周期左右，则相角裕度一般为50-60 度，正好。当然如果电源本身就震荡，则震荡的频率就是你的环路的交越频率，既带宽，说明在此频率处相位移已经到了 360 度，解决的方法要么减小带宽：加大补偿的电容值，或加大反馈分压的电阻值，当你改变这些值不起作用时，要看环路的其他方面，既加零点，如TL431 做反馈，当补偿电容加的很大还不行时，其实应该在其与光偶串联的支路加补偿（RC） ，这样增加了一个低频零点和一个高频极点，高频极点由于频率很高，不在环路带宽以内，对环路没有影响。 太多了，很难说完，我想说的
3、是只要很明确的知道零，极点的概念，环路问题实际上很简单（当然，要正确的应用到电源里面来是花很多时间的，由于没有老师，我研究了近一年） ，也可以用相关软件来模拟，但并非易事，因为模型很难准确的建立，举个例子，如电压型控制的反击（CCM 工作方式） ，如果 TL431 只加一个补偿电容，用 PSPICE 模拟的结果基本上是不稳定的，但实际中大部分电源是稳定的，怎么解释，原因是输出滤波部分实际上并不是一个严格的二阶系统，由于绕组电阻，高频阻抗，二极管电阻，电容电阻，特别是次级损耗要等效为一个较大的电阻，这样两个极点并不会重合（二阶系统） ，它变成了两个不同频率的一阶系统的串联，所以它的相位移变化并不
4、剧烈，加上其他零点的影响，相位并不会到 360 度，这是用 PSIPCE模拟时要人为给二极管或电容加一个很大的电阻，如 1 欧姆，才会得出正确的结果。随便聊几句，希望对大家有帮助。EMC 测试 【专题】小发现，小心得，小经验。与大家共享 ！电磁干扰的测试需要专用的仪器，而这仪器又很贵。但我们可以根据其特点做简单的评估。 共模干扰是走两根线，那我们在电源线的进线上套一个磁环，电源零线和火线的电流互相抵消，不产生磁通，但共模电流不能抵消，它必然在磁环中产生磁通，我们在磁环上饶一匝线圈必然会还原次电流，接一个电阻就产生电压，我试了一下，接一个 1K 电阻，用示波器探头就可以看到共模电流产生的电压，改
5、变共模电感的大小，就会看到此电压的变化，借此应该可以评估共模干扰的大小。EMC 测试只测 150KHz-30MHz 所以，用 300M 探头可能太高了，俺一般用类似的办法做一个工装(用频谱特性较平缓的钴基非晶态磁环)，先套在一个已通过 EMC 测试的标准产品的输入端，再套在被评估产品的输入端，用频谱仪比较，便一目了然。如果没有频谱仪，用一台 40MHz的示波器比较应该也差不多，带宽太宽，不知会不会评估不准？(俺没用示波器评估过，就在这里大放厥词，嘿嘿。 。 。如果讲错了，大侠们砸砖时还望手下留情。 。 。做抱头鼠窜状)2哦，能教我处理的办法吗？这一次我想 COST DOWN ，也想搞清一些传导
6、的机理，于是就做了一些实验。PQ 的磁芯没有罐形的磁芯屏蔽效果好。现在我的 60W 的电源变压器不用绕组屏蔽，只在磁芯外面绕一层铜箔，接输入直流地。 一般传导的产生有两个主要的点： 1.200K 和 20M 左右，这几个点也体现了电路的性能； 2.200K 左右主要是你的漏感产生的尖刺的形状和大小； 3.20M 左右主要是你的电路开关的噪声大小。处理不好你的变压器会增加大量的辐射。加屏蔽都没用！这时辐射肯定过不了。 4.PCB 的电流环和电压环的处理，很重要！ 我现在用 100M 带宽看电流波形，若开启噪声能在 500mv 以内，你的电路就很爽了呢。纹波、调整率都会提一个数量极，且抗干扰也增强
7、了。 不知我的看法对不对？各位大侠提意见呀！特别是 CMG 大师呀！我也是和你一样，原来以为自己还不错，岂知高手好厉害！我刚测了一个同功率的扳子，有10dB 余量！且 EMC 的方法差不多！差别好象只有 PCB！我看了他的 PCB，发现有两点：1.电流、电压环的面积的理解！你要越小越好，努力几次，发现自己的扳子的功率线的面积还可以减小！电流线路还可以缩短！因此一个成功的 PCB，应该是在布板上最优先考虑这几点，多做几次优化！ 2.接地点考虑。起滤波作用的器件一定要让电流、电压从管脚流过。最好的情况是一点接地，消除彼此的干扰。比如控制电路的接地，应是所有的地先到辐助电源电解电容的地；再到输入直流
8、地的电解电容处，要与功率地分开。关于电流、电压环的面积的理解，不懂呃！通常我们都是把功率线的面积做得越大越好，为什么要减小？不担心功率损耗？其实我也是猜测！以前我也是象你那样去画 PCB。当然得有理论的依据。我是这样理解，有两点：1.尖峰损耗；二.铜箔的损耗。环路的尖峰损耗能减小的话，损耗自然就小，可以和铜箔宽度折中！况且一般都是 72mil 的厚度。导线的长度确定，就可确定铜箔的阻值，可以算算看。如果功率线的面积大，则电流的面积大、电压的面积大，自然面积要大一些，辐射也大，尖峰也大，开关管损耗就会增加！因此我认为宽度够用就好！尽量减小这两个环所包围的面积。当然这只是我的一些理解，还没有作成扳
9、子试！可以用同样的元器件，再按这种思路去LAYOUT，试一下就清楚了！木头兄，电流环及电压环的面积不是指 trace 的面积，应理解为大电流经过的零件或 trace 所围成的空间面积，所谓大电流是指 di/dt 大的讯号,如开关部分及二次整流滤波部分环路面积越小越好,大电流 trace 越粗越好.电磁兼容书上说：PCB 上走线是主要辐射源；直流导线也会产生辐射。 近场区：与电流、长度成正比，与所测点的距离的 平方成反比； 远场区：与电流、长度成正比，与所测点的距离 成反比； 3你的导线越宽，产生的辐射相对也越多！ 我认为你说的也没错，但我认为应把两者折中，取最小值。 不知我的看法是否正确？最好
10、能有两者的关系的公式，我是导不区来。呜呜呜。 。 。！你说的很对, 一般的做法是让 AC 的 TRACE 尽量小, 够用就好 , 开关大电流部分尽量大而短. 至于公式化, 我倒是没研究过, 等你什么时候研究出来了, 我再向你讨教吧关键是搞懂 CMG 的用意，差模信号通过共模电感肯定没有抵抗，共模信号通过时的阻抗为jwL，阻抗和 F、L 成正比，示波器抓不住共模信号，CMG 通过变压器的方式抓住了它，高！为什么没有辐射呢？辐射可以从空中污染电源线带到机壳外面去。频谱仪测试辐射将电源输入线及输出线放在吸收钳中,将吸收钳的输出接至频谱仪(最好是对数坐标频谱的那种),排除周围环境的电磁干扰(最好在屏蔽
11、室里做),测试结果与到半电波暗室结果基本一致.是传导的共模部分。如果测差模，把两跟电源线从相反的方向穿进磁环里面，测出的是两倍的差模电流。 我在传导测试时 150K 总超标，我真没招了！加一串 0。22 的 X 电容（如 10 个并联）到电源输入线上，看一下能不能下来，如果下来了，说明是差模（一般这么低的频率一定是差模） ，如果没有太大作用，那么干扰就是共模的，或者把电源线在一个大磁环上饶几圈，下来了就是共模的，改进方法：如果干扰曲线后面很好，就减小 Y 的容量。另外看一下布板是否有问题，或者干脆就在前面加磁环。 EMI 挑戰专利是有的，只是你们没有留意，说不定用了还不知道；也很简单，我现在对
12、画图最头痛，描述一下吧:变压器下来一是 MOS,另一是二极体 D1_串(二极体 D2 并电阻 R1)_串(R2 并 C)_回到电源端。D1 为慢速管，D2 为快速管，专利的申请为: 反期间，C 会充电，有两部分，次级反回一个加变压器漏的能量，反击完了后，C 会通过 R1_D1_变压器形成回路把一部分能量返回，也会减少 ring,这个专利申请得很灵活，只要通过电路把 C 的能量返回，不在乎电路的形式。专利的文件没看过，只是公司有规定，不必要就不用此电路，EMI 实测是有一定的改善(DCM)。这个电路有没有专利我不知道，你写的不是很明白，我也不知道你的电路到底是怎么样的，但原理我知道。因为我们有类
13、似的电路，但比你的更简单，就是 RRCD 电路，吸收电路用1N4007 之类的慢速管，在上面串联一个几十欧姆的电阻，然后是传统的 RC，也是利用 D 的慢把一部分能量送回去，用 R 阻尼震荡，一般关断时的震荡频率为 8M 左右，这么一改后震荡几乎没有了，所以以大约 8M 为中心的共模干扰会下降很大。这个方法在充电器中大量使用，但大功率时会降低效率。其实这和在变压器初级除 RCD 外再并联一个 RC 是一样的道理，只是并联 RC 的方法损耗更大。 去掉 Y 电容不能以减低效率为代价。4两个重要的方法，一是把产生的滤掉，二不要让它产生，变压器是产生共模干扰的元凶，因初级与次级线圈之间相当于电容，就
14、有回路，因是通过电容回路，只要你能让电容两端产生的电压一样，它就没有了电流，在变压器上每一圈感应出来的电压是一样的，只要你在初级与次级的接触层处理好圈数，同名端的方向，线圈面积，与 CMG 下面讲的原理相似，只是单是那样做还不行，因变压器的参数很分散，变压器做好还需要在电路上调整，至于调整的方法不是很方便跟你讲(毕竟是老板的成果)。这只是对传导有效果，对辐射没有效果，对辐射你可以把开关管的开关速度放慢，也就是把驱动波形做斜一点，对改善辐射相当明显，但效率会直线往下掉，你要选用 Ron 小的管，还有 PCB LAYOUT,滤波电路少不了了，但装在板上效果不一定好，检验方法，你把滤波电路元件认它失
15、效，另用小板做一个滤波电路，元件跟原板上用的一样，测试时小板不要靠近大板，比较一下结果就知道 LAYOUT 得怎样了。这两天帮旧同事装电脑，累得不行了，我要睡了，RCC 还有个帖没回呢，明天再来吧!有两个屏蔽绕组当然好，如有一个，要靠近最大干扰源，也就是连接 MOS 的 D 端的那一部分绕组，饶向和这一部分相反，这样利用电场抵消的原理，适当调整屏蔽匝数，可使其整体对外电场基本抵消，这样就减小了共模电流，差模部分就靠前面的差模滤波，当然采用一些谐振的方法降低干扰源占有很重要的成分，变压器的技术只是用来切断传播途径。 其实我一直很怀疑你和 leo 所说的这么大功率无 Y 电容，原因是共模电流除变压
16、器外还有一个传播途径，那就是 MOS 的 D 端，包括 D 端和变压器的连线这一部分面积，因为这一部分面积和大地形成一个电容，构成共模电流的第二个主要传播途径，这一部分与变压器没有关系，要想去掉这一部分，只有用一个金属壳把电源包起来，然后金属壳落初级地线，但这样外壳会有高压，所以只有在适配器里面才会用，因为它外面还有塑料壳。所以你的应该是适配器，如果是开放式结构，我认为是万难做到的。当然人外有人，也可能是我的理论和经验不够，需要再努力。leo 的我问过，是适配器。请教一下,关于两线电源漏电流地测试方法,是测输入和输出还是测输入和输出对于虚拟的地呢?还是别的方法呢?應該是輸入輸出之間。最关键的是量一下次级线和大地有没有电压，只有电压在 36V 一下才算可以，因为 Y 电容还可以通过其他途径产生，所以并不是物理上没有一个 Y 电容就可以了，其目的是降低漏电流。特别是在医疗设备等对漏电流有特殊要求的场合。磁放大器的专题讨论磁放大器和其他磁性元件一样，在它的线圈里总是装有磁芯。因为磁芯有较大的磁导率，可以增
